全球内存韩企“称霸” 国产芯如何突围

“晋华事件”发展至今，仍牵动着国内半导体产业敏感神经，才刚起步的晋华似乎步上“中兴”覆辙，在不确定的未来，在中美贸易紧张的局势下，国产内存芯将何去何从？引发广泛的关注。而近日韩媒的一份报道称，“韩国公司占据全球75%内存芯片市场份额“，再次凸显国产存储芯片的欠缺与距离国际地位尚且很远。

全球内存韩企“称霸” 市场高度垄断

据韩国媒体报道，到2018年第三季度,韩国公司生产的内存（DRAM）内存芯片已经占到全球市场的75%，其中三星和SK海力士(SK Hynix)占据了重要地位。

韩国媒体指出，11月15日，SK海力士发布第一个符合JEDEC规格的DDR5 DRAM；而三星则在7月份成功开发出10nm级别的LPDDR5 DRAM，在技术上进一步领先于世界同类企业。另外，SK海力士发布的DDR5 DRAM比DDR4的电力消耗减少30%，数据传输速度也快了6成，适合应用在大数据、AI运算等领域，进一步打开市场和销量。

根据DRAMeXchange发布的数据显示，截至2018年9月，韩企在DRAM市场的份额已经达到74.6%，三星占45.5%,SK海力士占29.1%，全球第三大厂商是来自美国的美光，占比为21.1%。

尽管美光正忙于与福建晋华和***地区联华电子的专利之争。但其仍看好在人工智能大势下,数据中心、手机、等设备对存储的需求迅速增长，整体规模已达集成电路市场的三分之一。美光在2018财年的营收突破300亿美元。

前有狼 后有虎 国产内存芯如何突围？

中国是最大的存储芯片进口国，根据韩国贸易协会、大韩贸易投资振兴公社及半导体行业发布的数据显示，2017年中国存储芯片进口总额达886.17亿美元，同比增长38.8%。然而庞大的进口额就像悬在头上的一把利刃，不知道什么时候将会掉下来掐住命脉。此前的中兴事件是一次警告，这次的晋华事件更是一次沉重打击。

值得庆幸的是，“国产芯”的呼声从未停止。而国产内存芯片，安徽的合肥长鑫、福建的晋华和武汉的长江存储当属国内三强。

目前，晋华深陷美光专利泥潭以及美国商务部的制裁下，前途堪忧。

长江存储因为主攻3D NAND闪存芯片，2018年量产了32层堆栈的3D NAND闪存，真正规模量产待2019年的64层堆栈3D NAND闪存。为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江存储在2020年将跳过96层堆栈的3D闪存，直接量产128层堆栈的3D闪存。

不仅如此，此前紫光国微将从事 DRAM 芯片设计的全资子公司西安紫光国芯转让给北京紫光存储，战略的调整也恐拉开DRAM设计实力。值得一提的是，紫光官方表示，DDR4芯片正在研发中，预计2018年底将会推向市场。

合肥长鑫在2018年1月厂房完工，目前300多台核心设备已基本安装完毕。根据其存储器项目的5年规划：2018年1月一厂厂房建设完成，并开始设备安装；2018年底量产8Gb DDR4工程样品；2019年3季度量产8Gb LPDDR4；2019年底实现产能2万片/月；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。目前，合肥长鑫于2018年7月就已经对8Gb LPDDR4正式投片。

似乎长鑫的进展取得较大成果，然而，有媒体称，除了晋华，其他厂家也很可能未来会连带卷入美方列入限制美半导体重要零组件出口清单。一旦“靴子落地”，这将是对中国半导体产业，尤其是国产存储芯片雪上加霜。

不过，塞翁失马焉知非福，这也更加坚定了我国发展集成电路产业的决心。此前，紫光集团联席总裁刁石京就表示，集成电路是全体工业体系大成的一个基础，探索成功的道路中要经历漫长的过程。因此，需要整个行业静下心来，像“盖房子”一样，从基础开始，踏踏实实把设计、制造、生产等各个环节的关键问题解决。

作为全球最大的存储器芯片消耗国，国内庞大的市场需求将会带动行业的发展，尽管打破当前由美日韩企业垄断的局面还需时间，国内半导体芯片厂商还需备足弹药，利用政策和资本优势，大力发展技术，积极培育人才。半导体产业不是一蹴而就，这将是一场旷日持久的战争。

中国反垄断调查 DRAM市场前景变数多

2018年5月底市场监管总局对市占率超过 95% 的三大 DRAM 大厂三星、海力士、美光公司涉嫌实施垄断行为立案开展调查，近日国家市场监督管理总局反垄断局局长吴振国表示，对这三家公司的反垄断调查已经取得了重要进展。

业内认为，若反垄断事实成立，进而对三大厂祭出高额罚金，恐使 DRAM 价格面临压力，市场供需情况也可能产生变化，为明年的存储器产业展望再增添不确定性。