安森美NCV459:低电压轨4A单负载开关的技术剖析
在电子设备的电源管理领域,负载开关扮演着至关重要的角色。安森美(onsemi)推出的NCV459单负载开关,专为低电压轨应用设计,具有诸多出色特性,能有效优化电池寿命和便携设备的自主性。下面我们就来详细剖析这款产品。
文件下载:NCV459-D.PDF
产品概述
NCV459是一款由外部逻辑引脚控制的功率负载开关,采用极低导通电阻(Ron)的NMOSFET。它的输入电压范围宽广,从0.75V到5.5V,封装为小巧的DFNW8 3x3 mm、0.65间距的形式。凭借NMOS结构对电流消耗的优化,显著降低了漏电流,为连接在电池上的IC提供了优化的漏电隔离。同时,它还具备输出放电路径,可消除输出引脚连接的外部组件上的残余电压。
产品特性
宽工作电压范围
NCV459的工作电压范围为0.75V - 5.5V,能适应多种不同的电源环境,为设计带来了更大的灵活性。
低导通电阻
其N - MOSFET的导通电阻典型值为23mΩ,在不同的输入电压和温度条件下,都能保持较低的电阻,减少功率损耗。
高电流能力
直流电流最大可达4A,还能承受一定的交流电流冲击,如1ms @ 217Hz时为5A,100ms尖峰时为15A,满足多种负载的供电需求。
输出自动放电选项
当使能引脚(EN)置低时,输出自动放电功能开启,可快速释放输出端的残余电压,保护外部组件。
小封装设计
DFNW8 3x3 mm、0.65间距的封装,节省了电路板空间,适合对空间要求较高的应用。
引脚功能
| Pin Name | Pin Number | Type | Description |
|---|---|---|---|
| GATE | 1 | INPUT | OUT引脚的上升时间控制 |
| OUT | 2, 3 | POWER | 负载开关输出引脚 |
| GND | 4 | POWER | 接地连接 |
| VBIAS | 5 | POWER | 外部电源电压输入 |
| IN | 6, 7 | POWER | 负载开关输入引脚 |
| EN | 8 | INPUT | 使能输入,逻辑高电平开启电源开关 |
| EPAD | 9 | POWER | 外露焊盘,连接到地电位 |
电气特性
静态导通电阻
在不同的输入电压和温度条件下,NCV459的静态导通电阻(RDS(on))有所不同。例如,在VIN = VBIAS = 5.5V、IOUT = 200mA、TA = 25°C时,典型值为23mΩ;当TJ = 125°C时,最大值为80mΩ。
输出放电电阻
输出放电路径的电阻(RDIS)在EN为低电平时,典型值为230Ω,最大值为300Ω。
时序参数
输出上升时间(TR)、使能时间(Ten)、下降时间(TF)和禁用时间(Tdis)等时序参数,会受到输入电压、负载电容和栅极电容的影响。例如,在VIN = 5V、CLOAD = 1μF、无栅极电容时,输出上升时间TR为0.26ms;当栅极电容为1nF时,TR为1.5ms;当栅极电容为10nF时,TR为15ms。
功能描述
使能输入
使能引脚(EN)为高电平有效。当EN引脚置低时,NMOS开关关闭,IN/OUT路径断开;当EN引脚置高,且VBIAS、VIN满足最小值要求时,IN/OUT路径导通。
自动放电
在输出引脚和地之间放置了NMOS FET,当EN引脚置低时,自动放电功能激活,可对连接在OUT引脚的应用电容进行放电。
Vbias轨
IC的核心由Vbias电源轨供电,常见的电压有+5V、3.3V、1.8V、1.2V等。使用Vbias轨可避免在IN引脚上消耗电流,提高需隔离电源轨的节能效果。若Vbias轨不可用,可将Vbias引脚和Vin引脚尽可能靠近连接到被测设备(DUT),同时建议连接10μF的外部电容以提高EMC抗扰性。
输出上升时间 - 栅极控制
NMOS由内部电荷泵和驱动器控制,内部设置了最小栅极转换速率,以避免EN从低到高时产生巨大的浪涌电流。默认的栅极转换速率取决于Vin电平,Vin电平越高,上升时间越长。此外,还可在栅极引脚和地之间连接外部电容,以减慢栅极上升速度。
Cin和Cout电容
为了提高噪声抗扰性和稳定性,需在DUT附近连接100nF的外部电容。在输入热插拔(输入电压以快速转换速率连接 - 几毫秒)的情况下,强烈建议避免在输入连接大电容,以防止输入过电压瞬变。
应用信息
功率耗散
功率MOSFET的功率耗散是影响结温的主要因素。正常模式下的功率耗散(PD)和结温(TJ)可通过以下公式计算: [P{D}=R{D S(on)} timesleft(I{OUT }right)^{2}] [T{J} = P{D} times R{theta JA} + T_{A}] 其中,PD为功率耗散(W),RDS(on)为功率MOSFET导通电阻(Ω),IOUT为输出电流(A),TJ为结温(°C),RθJA为封装热阻(°C/W),TA为环境温度(°C)。
订购信息
| Device | Marking | Option | Package | Shipping |
|---|---|---|---|---|
| NCV459NMWTBG | 45A | Auto Discharge 230Ω | DFNW8 3 x 3 mm (Pb - Free) | 3000 / Tape & Reel |
总结
安森美NCV459单负载开关凭借其宽工作电压范围、低导通电阻、高电流能力、输出自动放电等特性,在低电压轨应用中具有显著优势。无论是ADAS系统、相机模块的电源管理,还是其他对电源效率和空间要求较高的应用,NCV459都能提供可靠的解决方案。电子工程师在设计相关电路时,可根据具体需求合理选择和使用这款产品。你在实际应用中是否遇到过类似负载开关的设计挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
-
负载开关
+关注
关注
2文章
373浏览量
21400
发布评论请先 登录
安森美NCV459:低电压轨4A单负载开关的技术剖析
评论