微碧半导体（VBsemi）重磅发布高频 GaN HEMT 新品，引领功率电子新时代

在现代电子设备对高效率、高功率密度和低损耗的要求日益增长的背景下，功率器件的性能升级成为行业关注的核心。微碧半导体（VBsemi）近期推出两款全新 E-MODE GaN HEMT 器件——VBQE165A20S 与 VBQA165A10S，以卓越的性能和创新技术，为高频功率转换领域注入新动力。

顶尖参数，性能突破传统限制

VBQE165A20S 拥有 650V 漏源电压（VDS），门源电压范围 -1.5V 到 7V，开启阈值电压 Vth = 1.5V，在 6V 驱动下的导通电阻仅 130 mΩ，最大电流 ID = 20A。紧凑的 DFN8X8 封装，不仅有效提升散热能力，还在高功率密度应用中保持稳定性能。

VBQA165A10S 同样具备 650V VDS，门源电压范围 -1.5V~7V，Vth = 1.6V，6V 驱动下导通电阻 190 mΩ，最大电流 ID = 10A，采用 DFN8 (5X6) 封装，更适合中低功率场景，为各类电子系统提供灵活可靠的解决方案。
这两款器件均为 Single-N 配置，充分满足工业和消费电子对高频、高效率器件的需求，性能指标远超传统硅基 MOSFET，尤其在高开关频率下表现更为卓越。

E-MODE 技术优势：效率与可靠性的完美结合
微碧半导体采用的 E-MODE（增强型）GaN 技术，实现了无需负偏压即可开启器件，带来以下关键优势：
导通损耗低：在高频切换下，能量损耗显著下降，系统效率提升明显。
开关速度快：支持数百 kHz 至 MHz 级的高速开关应用，提高功率转换效率。
热性能优异：降低热量产生，减轻散热设计负担，增强系统可靠性。
高功率密度：在同等尺寸下，提供更大电流承载能力，为紧凑设计提供支持。
相比传统硅 MOSFET，这两款 GaN HEMT 在电源转换、逆变器及快充应用中能够实现更低能耗、更小体积和更高系统可靠性。

多元化应用场景：驱动行业升级
微碧半导体 VBQE165A20S 和 VBQA165A10S 的高性能特性，使其在以下应用场景中具备显著优势：
高效 DC-DC 转换器：提升转换效率，降低能耗和热量，提高电源整体性能。
无线充电与快速充电：支持高频率开关，高功率密度设计满足现代快充标准。
电动汽车充电桩：在高压、高电流环境下稳定工作，确保充电系统高效运行。
数据中心电源：降低能源消耗，提高服务器供电可靠性，实现绿色节能。
工业逆变器与电源管理：满足高频、高效和高可靠性的工业应用需求。
这些应用场景正是未来电子产业发展热点，VBsemi 的新品为客户提供了可持续、高效和高可靠的解决方案。

品牌实力保障：微碧半导体的创新承诺
作为高性能 GaN 技术的先行者，微碧半导体一直致力于为全球客户提供领先的功率电子解决方案。此次推出的 VBQE165A20S 与 VBQA165A10S，体现了公司在高频功率器件设计、材料选择和封装技术方面的全面实力。选择 VBsemi，客户不仅获得卓越性能的器件，更享受完善的技术支持和可靠保障。

展望未来：高频 GaN 时代的加速器
随着新能源、智能电网、电动车及高效数据中心的快速发展，对高频、高效、高可靠功率器件的需求持续攀升。微碧半导体的 VBQE165A20S 与 VBQA165A10S，凭借 E-MODE GaN 技术、卓越开关性能和高功率密度，将成为推动高频 GaN 应用加速落地的重要引擎。
在功率电子新时代，微碧半导体再次证明了自己引领行业创新的决心。高频、高效、可靠——VBsemi GaN HEMT，助力每一位客户赢在未来。


审核编辑 黄宇