Onsemi VHF/UHF晶体管MMBTH10L系列产品解析

在电子设计领域，VHF/UHF晶体管是非常重要的元件，今天我们来详细了解Onsemi公司的MMBTH10L、MMBTH10 - 4L、SMMBTH10 - 4L、NSVMMBTH10L这一系列NPN硅晶体管。

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产品特性

应用与认证

这些晶体管带有S和NSV前缀，适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用。它们通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力，并且是无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准的，这使得它们在环保和可靠性方面表现出色。

最大额定值

Symbol	Rating	Value	Unit
VCEO	Collector - Emitter Voltage	25	Vdc
VCBO	Collector - Base Voltage	30	Vdc
VEBO	Emitter - Base Voltage	3.0	Vdc

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

不同基板的散热情况

Symbol	Characteristic	Max	Unit
PD	Total Device Dissipation FR - 5 Board (Note 2) TA = 25 °C Derate above 25 °C	225 1.8	mW mW/ °C
RθJA	Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)	556	°C/W
PD	Total Device Dissipation Alumina Substrate (Note 3) TA = 25 °C Derate above 25 °C	300 2.4	mW mW/ °C
RθJA	Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3)	417	°C/W
TJ, Tstg	Junction and Storage Temperature Range	−55 to +150	°C

从热特性数据可以看出，不同的基板对器件的散热性能有明显影响。使用氧化铝基板时，器件的总功耗更高，热阻更低，散热效果更好。在实际设计中，我们需要根据具体的应用场景选择合适的基板。

电气特性

关断特性

Symbol	Characteristic	Min	Typ	Max	Unit
V(BR)CEO	Collector - Emitter Breakdown Voltage (IC = 1.0 mAdc, IB = 0)	25	-	-	Vdc
V(BR)CBO	Collector - Base Breakdown Voltage (IC = 100 μAdc, IE = 0)	30	-	-	Vdc
V(BR)EBO	Emitter - Base Breakdown Voltage (IE = 10 μAdc, IC = 0)	3.0	-	-	Vdc
ICBO	Collector Cutoff Current (VCB = 25 Vdc, IE = 0)	-	-	100	nAdc
IEBO	Emitter Cutoff Current (VEB = 2.0 Vdc, IC = 0)	-	-	100	nAdc

这些关断特性参数对于确保晶体管在截止状态下的性能非常重要。例如，击穿电压决定了晶体管能够承受的最大电压，而截止电流则反映了晶体管在关断时的漏电情况。

导通特性

hFE	DC Current Gain (IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc) MMBTH10LT1G, NSVMMBTH10LT1G MMBTH10 - 4LT1G, SMMBTH10 - 4LT3G	60 120	- -	- 240	-
VCE(sat)	Collector - Emitter Saturation Voltage (IC = 4.0 mAdc, IB = 0.4 mAdc)	-	-	0.5	Vdc
VBE	Base - Emitter On Voltage (IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)	-	-	0.95	Vdc

导通特性参数直接影响晶体管在导通状态下的性能。直流电流增益hFE决定了晶体管对电流的放大能力，而饱和电压和基极 - 发射极导通电压则影响了晶体管的功耗和工作效率。

小信号特性

fT	Current - Gain - Bandwidth Product (IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 Mhz) MMBTH10LT1G, NSVMMBTH10LT1G MMBTH10 - 4LT1G, SMMBTH10 - 4LT3G	650 800	- -	- -	MHz
Ccb	Collector - Base Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)	-	-	0.7	pF
Crb	Common - Base Feedback Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)	-	-	0.65	pF
rb′C c	Collector Base Time Constant (IC = 4.0 mAdc, VCB = 10 Vdc, f = 31.8 MHz)	-	-	9.0	ps

小信号特性参数对于高频应用非常关键。电流增益 - 带宽积fT决定了晶体管能够工作的最高频率，而电容和时间常数则影响了晶体管的高频响应特性。

封装与订购信息

封装形式

该系列晶体管采用SOT - 23（TO - 236）封装，具有特定的尺寸规格。	DIM	MIN	NOM	MAX
A	0.89	1.00	1.11
A1	0.01	0.06	0.10
b	0.37	0.44	0.50
C	0.08	0.14	0.20
D	2.80	2.90	3.04
E	1.20	1.30	1.40
e	1.78	1.90	2.04
L	0.30	0.43	0.55
L1	0.35	0.54	0.69
HE	2.10	2.40	2.64
T	0°		10°

订购信息

Device	Package		Shipping †
MMBTH10LT1G	SOT - 23 (Pb - Free)		3,000 / Tape & Reel
NSVMMBTH10LT1G	SOT - 23 (Pb - Free)		3,000 / Tape & Reel
MMBTH10LT3G	SOT - 23 (Pb - Free)		10,000 / Tape & Reel
MMBTH10 - 4LT1G	SOT - 23 (Pb - Free)	3,000 / Tape & Reel
SMMBTH10 - 4LT3G	SOT - 23 (Pb - Free)	10,000 / Tape & Reel

其中，MMBTH10 - 4LT1G和SMMBTH10 - 4LT3G已停产。在订购时，我们需要根据实际需求选择合适的器件和包装形式。

总结

Onsemi的MMBTH10L系列VHF/UHF晶体管具有良好的性能和环保特性，适用于多种应用场景。在设计电路时，我们需要综合考虑其最大额定值、热特性、电气特性等参数，选择合适的器件和封装形式。同时，在使用停产器件时，要注意其供应情况，避免影响项目进度。大家在实际应用中有没有遇到过类似晶体管的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。