安森美双共基 - 集电极偏置电阻晶体管：设计利器

在电子设计领域，追求电路的简洁性、高效性和可靠性是工程师们亘古不变的目标。安森美（onsemi）推出的双共基 - 集电极偏置电阻晶体管系列产品，如 UMC2NT1G、NSVUMC2NT1G、UMC3NT1G、NSVUMC3NT1G、UMC5NT1G/T2G、NSVUMC5NT1G/T2G，为工程师们提供了全新的解决方案。

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产品概述

结构特点

偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这种设计巧妙地将原本需要单独使用的晶体管和外部电阻偏置网络集成到一个器件中，大大简化了电路设计。

封装优势

以 UMC2NT1G 系列为例，两个互补的 BRT 器件被封装在 SOT - 353 封装中。这种封装对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用来说是理想之选，能够有效节省宝贵的电路板空间。

产品特性

简化电路设计

传统电路中，为了实现晶体管的偏置，需要额外设计和布局多个电阻元件，这不仅增加了设计的复杂度，还容易引入干扰。而 BRT 通过集成偏置电阻网络，让工程师无需再为偏置电路的设计和调试花费大量精力，直接使用该器件就能满足基本的偏置需求，使电路设计更加简洁明了。

减少电路板空间

在如今追求小型化、高密度的电子设备设计中，电路板空间显得尤为珍贵。BRT 将多个元件集成到一个封装内，减少了元件数量，从而有效缩小了电路板的尺寸，为产品的小型化设计提供了可能。

降低元件数量

元件数量的减少带来的好处不仅仅是节省空间，还能降低成本和提高可靠性。更少的元件意味着更少的焊接点和连接，减少了故障发生的概率，提高了整个电路的稳定性。

关键参数

最大额定值

在 (T{A}=25^{circ}C) 的条件下，这些器件的集电极 - 基极电压 (V{CBO}) 和集电极 - 发射极电压 (V{CEO}) 均为 50 Vdc，集电极电流 (I{C}) 为 100 mAdc。需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

热阻 (R{UA}) 为 833 °C/W，工作和储存温度范围为 - 65 至 + 150 °C，总封装耗散功率 (P{D}) 在 (T_{A}=25^{circ}C) 时为 150 mW。这些热特性参数对于工程师在进行散热设计和热管理时至关重要，能够确保器件在合适的温度环境下稳定工作。

电气特性

• 截止特性：以 PNP 晶体管为例，集电极 - 基极截止电流 (I{CBO}) 在 (V{CB}=50 V)、(I{E}=0) 时为 100 nAdc，集电极 - 发射极截止电流 (I{CEO}) 在 (V{CE}=50 V)、(I{B}=0) 时为 500 nAdc。不同型号的发射极 - 基极截止电流 (I_{EBO}) 有所差异，如 UMC2NT1G、NSVUMC2NT1G 为 0.2 mAdc，UMC3NT1G、NSVUMC3NT1G 为 0.5 mAdc，UMC5NT1G/T2G、NSVUMC5NT1G/T2G 为 1.0 mAdc。
• 导通特性：集电极 - 基极击穿电压 (V{(BR)CBO}) 在 (I{C}=10mu A)、(I{E}=0) 时为 50 Vdc，集电极 - 发射极击穿电压 (V{(BR)CEO}) 在 (I{C}=2.0 mA)、(I{B}=0) 时为 50 Vdc。不同型号的直流电流增益 (h{FE}) 也有所不同，例如 UMC2NT1G、NSVUMC2NT1G 的 (h{FE}) 范围为 60 - 100，UMC3NT1G、NSVUMC3NT1G 为 35 - 60，UMC5NT1G/T2G、NSVUMC5NT1G/T2G 为 20 - 35。此外，集电极 - 发射极饱和电压 (V{CE(SAT)}) 在 (I{C}=10 mA)、(I{B}=0.3 mA) 时为 0.25 Vdc，输出电压（导通）(V{OL}) 在 (V{CC}=5.0 V)、(V{B}=2.5 V)、(R{L}=1.0 kOmega) 时为 0.2 Vdc，输出电压（截止）(V{OH}) 在 (V{CC}=5.0 V)、(V{B}=0.5 V)、(R_{L}=1.0 kOmega) 时为 4.9 Vdc。

订购信息

这些器件均采用 SC - 88A/SOT - 353 无铅封装，每盘 3000 个。带有 NSV 前缀的产品适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了 AEC - Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。

应用建议

在实际应用中，工程师需要根据具体的设计需求选择合适的型号。例如，对于对直流电流增益要求较高的应用，可以选择 UMC2NT1G 系列；而对于对输入电阻有特定要求的应用，则可以根据不同型号的输入电阻参数进行选择。同时，在进行电路设计时，要充分考虑器件的热特性，合理进行散热设计，以确保器件的稳定性和可靠性。

安森美双共基 - 集电极偏置电阻晶体管为电子工程师提供了一种高效、可靠的电路设计解决方案。通过集成偏置电阻网络，这些器件简化了电路设计，减少了电路板空间和元件数量，同时具备良好的电气性能和热特性。在未来的电子设计中，它们有望在更多的领域得到广泛应用。你在实际设计中是否使用过类似的集成器件呢？遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验和见解。