onsemi PNP多芯片通用放大器FFB2907A、FMB2907A、MMPQ2907A数据手册解读

一、产品概述

onsemi推出的FFB2907A、FMB2907A、MMPQ2907A是PNP多芯片通用放大器，适用于集电极电流达500 mA的通用放大器和开关应用，采用Process 63工艺制造。

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二、产品特性

1. 封装与标识

• 封装形式：FFB2907A采用SC - 88封装，FMB2907A采用TSOT23封装，MMPQ2907A采用SOIC - 16封装，均为无铅、无卤封装。
• 标识含义：以MMPQ2907A为例，MMPQ2907A为特定器件代码，A代表组装地点，WL为晶圆批次号，Y为生产年份，WW为工作周号。

2. 绝对最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
VCEO	集电极 - 发射极电压	-60	V
VCBO	集电极 - 基极电压	-60	V
VEBO	发射极 - 基极电压	-5.0	V
IC	集电极连续电流	-600	mA
TJ, TSTG	结温和储存温度	-55 to +150	°C

需注意，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。对于脉冲或低占空比操作的应用，应咨询onsemi。

3. 热特性

Symbol	Parameter	FFB2907A	FMB2907A	MMPQ2907A	Unit
PD	总器件功耗	300	700	1000	mW
25°C以上降额	2.4	5.6	8.0	mW/°C
RBA	结到环境的热阻	415	180		°C/W
有效4芯片结到环境的热阻			125
每个芯片结到环境的热阻			240

这里的热特性是在PCB尺寸为FR - 4 76x114x1.57 mm³（3.0英寸x4.5英寸x0.062英寸）且具有最小焊盘图案尺寸的条件下测量的。在实际设计中，我们需要考虑热特性对器件性能的影响，大家是否有遇到过热管理方面的难题呢？

4. 电气特性

电气特性涵盖了击穿电压、截止电流、直流电流增益、饱和电压、电流增益 - 带宽乘积、电容和开关时间等参数。例如：

• 击穿电压：V(BR)CEO在$I{C}=-10 mA$，$I{B}=0$时为 - 60 V；V(BR)CBO在$I{C}=-10 mu A$，$I{E}=0$时为 - 60 V；V(BR)EBO在$I{E}=-10 mu A$，$I{C}=0$时为 - 5.0 V。
• 直流电流增益：在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下，hFE有所不同。如$I{C}=-0.1 mA$，$V{CE}=-10 V$时，hFE最小为75。
• 饱和电压：$I{C}=-150 mA$，$I{B}=-15 mA$时，VCE(sat)最大为 - 0.4 V；$I{C}=-500 mA$，$I{B}=-50 mA$时，VCE(sat)最大为 - 1.6 V。

这些电气特性是在$T_{J}=25^{circ}C$条件下测量的，实际应用中，不同的工作条件可能会导致性能有所差异。大家在设计时，是否会根据实际工作条件对这些参数进行修正呢？

三、典型性能特性

数据手册中提供了多个典型性能特性图表，包括典型脉冲电流增益与集电极电流、集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流、基极 - 发射极饱和电压与集电极电流等关系曲线。这些图表有助于我们直观地了解器件在不同工作条件下的性能表现，在实际设计中，我们可以根据这些图表来优化电路设计。

四、机械尺寸

手册详细给出了TSOT23 6 - 引脚、SC - 88和SOIC - 16三种封装的机械尺寸，包括各尺寸的最小值、标称值和最大值。在进行PCB设计时，我们需要严格按照这些尺寸来布局，以确保器件的正确安装和使用。

五、修订历史

Revision	Description of Changes	Date
2	转换数据手册为onsemi格式	1/16/2025
3	将外壳轮廓从419AG更新为419BL	5/13/2025

了解修订历史可以帮助我们掌握产品的更新情况，在使用时选择合适版本的数据手册。

六、总结

onsemi的FFB2907A、FMB2907A、MMPQ2907A PNP多芯片通用放大器具有多种封装形式、明确的电气和热特性，适用于多种通用放大器和开关应用。在设计过程中，我们需要充分考虑这些特性，结合实际应用需求，合理选择器件和优化电路设计。同时，要密切关注器件的最大额定值和工作条件，确保器件的可靠性和稳定性。大家在使用类似器件时，有什么独特的经验或遇到过什么问题，欢迎在评论区分享。