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EPC90145开发板快速上手:开启高效功率转换之旅

chencui 2026-05-14 13:05 次阅读
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EPC90145开发板快速上手:开启高效功率转换之旅

在电子工程领域,开发板是验证和测试新器件性能的关键工具。今天,我们就来深入了解一下EPC90145开发板,这是一款专为评估EPC2306 eGaN场效应晶体管(FET)而设计的半桥开发板,下面将从多个方面为大家详细介绍。

文件下载:EPC90145.pdf

开发板概述

EPC90145开发板尺寸为2英寸×2英寸,板上集成了两个EPC2306 eGaN FET,采用半桥配置,还有一个EPC2038 GaN FET用于增强自举电源。它搭载了uPI Semiconductor uP1966E栅极驱动器,包含了所有关键组件,布局设计支持最佳开关性能,并且设有多个探测点,方便进行波形测量和效率计算。

性能参数

Symbol Parameter Conditions Min Nominal Max Units
V DD Gate Drive Regulator Supply Range 7.5 12 V
V IN Bus Input Voltage Range (1) 80 V
I OUT Switch Node Output Current (2) 45 A
V PWM PWM Logic Input Voltage Threshold (3) Input ‘High’ 3.5 5.5 V
Input ‘Low’ 0 1.5 V
PWM ‘High’ State Input Pulse Width V PWM rise and fall time < 10 ns 50 ns
PWM ‘Low’ State Input Pulse Width (4) V PWM rise and fall time < 10 ns 200 ns

需要注意的是,最大输入电压取决于电感负载,EPC2306的开关节点最大振铃必须保持在100 V以下;最大电流取决于管芯温度,实际最大电流受开关频率、总线电压和散热条件影响;使用板载逻辑缓冲器时,绕过逻辑缓冲器需参考uP1966E数据手册;PWM低态输入脉冲宽度受高端自举电源电压“刷新”时间限制。

快速启动步骤

单/双PWM信号输入设置

开发板上有两个PWM信号输入端口PWM1和PWM2。双输入模式下,PWM1连接上FET,PWM2连接下FET;单输入模式下,PWM1作为输入,电路会为FET生成所需的互补PWM。输入模式通过选择J630(模式选择)的跳线位置来设置。

死区时间设置

死区时间是指一个FET关断到另一个FET导通之间的时间,参考栅极驱动器的输入。可以通过电阻R620和R625来设置死区时间,所需电阻值可从图4的图表中读取。建议最小死区时间为5 ns,最大为15 ns。

旁路设置

可以使用J640(旁路)的跳线设置来绕过极性变换器和死区时间电路,直接访问栅极驱动器输入。有三种旁路选项:无旁路、死区时间旁路和完全旁路。

转换器配置

降压转换器配置

可选择单或双PWM输入,通过J630(模式)的跳线设置来选择。单输入降压模式下,旁路跳线J640必须设置为无旁路模式;双输入降压模式下,旁路跳线J640可配置为任何有效设置。操作步骤包括连接电源、开关节点、栅极驱动电源、PWM控制信号等,开启电源后逐步调整参数并观察输出。

升压转换器配置

同样可选择单或双PWM输入,通过J630(模式)的跳线设置来选择。单输入升压模式下,旁路跳线J640必须设置为无旁路模式;双输入升压模式下,旁路跳线J640可配置为任何有效设置。操作时需注意不能在无负载的情况下运行升压转换器模式,以防止输出电压超过最大额定值。

测量与热考虑

测量考虑

测量包含高频内容的开关节点电压时,要注意提供准确的高速测量。可使用可选的双引脚接头(J33)进行开关节点测量,推荐使用差分探头测量高端栅极电压,对于普通无源电压探头,可使用探头适配器。EPC网站提供了相关测量技术的资料。

热考虑

EPC90145开发板配备了三个机械垫片,可用于安装散热器。安装散热器前,需移除散热器区域内厚度超过1 mm的组件。选择热界面材料(TIM)时,要考虑机械顺应性、电气绝缘性和热性能等特性。EPC推荐了几种热界面材料,如t-Global的TG-A1780、TG-A620,Bergquist的GP5000 - 0.02和GPTGP7000ULM - 0.020等。

实验验证

测试条件

在特定的测试条件下对EPC90145的性能进行了测试,包括调节输入电压、输出电压、开关频率、电感、输入和输出电容等参数,同时添加了散热器和热界面材料。

电气性能

测量了不同负载电流下的电感电流和开关节点波形,展示了开发板在不同工作条件下的电气性能。

效率和功率损耗

图15显示了在不同开关频率下,使用4.7 µH电感时的效率和功率损耗结果。

热性能

图16展示了在特定条件下,开发板的热性能,包括在高气流下的外壳温度测量结果。

热降额

通过在不同气流条件下的测试,生成了热降额曲线,以确定不同开关频率下,带或不带散热器时的环境温度降额情况。

EPC90145开发板为工程师提供了一个便捷的平台来评估EPC2306 eGaN FET的性能。在使用过程中,大家要严格按照操作步骤进行,注意各项参数的设置和安全事项。你在使用类似开发板时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。

如需支持文件,可访问EPC90145的官网页面:https://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards/EPC90145.aspx 。如有更多疑问,可联系info@epc - co.com或当地销售代表。

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