EML光芯片与CW光源的核心区别

光互联的研究壁垒比较高，专业性非常强。我们“格知研究”公众号不做受污ran知识的搬运工，而是专注深入浅出的研究与交流，深入研究产业，然后将干涩难懂的专业知识和产业信息从参与市场的角度、浅显易懂的翻译出来，与广大粉丝朋友分享交流其中的理解重点与难点。

第一部分从产业角度看光芯片目前的主要特点

光芯片从产业角度看目前主要特点有两个：一是产能缺口大，二是在光互连产业链中的高价值量占比。

全球高端EML光芯片缺口超25%，根据Lumentum首席执行官Michael Hurlston在2026年4月的最新表态，美国超大规模云厂商资本开支规模"巨大且看不到尽头"，公司产能已跟不上需求增长节奏。按当前趋势，仅需两个季度，公司就能将整个2028年的产能全部售罄。

光互连产业链中的高价值量占比，不仅体现在整个光互连在AI硬件上的价值量占比变化：光互联在整个AI CAPEX的价值占比未来几年很大概率将要从5%提升到20%，提升4至5倍。也可以理解为是gpu增速的2次方以上。

（上面这段话是所有关注光、参与光的朋友都要去理解去认知的，有这个认知你会发现光才是未来AI的主角，否则你还会在光是配角的误区中执迷！这方面之前的文章有更详细的阐述：链接替代、共存还是互补？。。。光互联各技术路线相互关系与趋势分析（深度））

除此之外，也体现在光芯片在光互连产业中的价值量占比：高速光模块（400G-800G）光芯片成本占比达40%-50%，超高速光模块（800G以上）光芯片成本占比可达60%-70%甚至更高。光芯片在光模块中的价值占比随速率提升而增加，是光互连产业链中技术壁垒最高、价值占比最大的环节。

第二部分光芯片分类

光芯片是光器件中的核心元器件，主要用于光电信号转换和处理。光芯片是光模块的核心组成部分，其利用光子学原理，通过光源产生光信号，利用波导传输光信号，并通过探测器将光信号转换回电信号，从而实现信息的传输和处理。

按照芯片适用于发射端还是接收端，光芯片可以分为激光器芯片（发射端）和探测器芯片（接收端）。

激光器芯片：一般以PN结注入电源为激励源，以半导体材料为增益介质，将注入电流的电能激发，从而实现谐振放大选模输出激光，完成电转光。激光器芯片按照发光类型又可以分为面发射芯片和边发射芯片。其中，面发射芯片包括VCSEL芯片，边发射芯片包括FP、DFB、EML芯片等。

传统的FP激光器芯片因损耗较大，且传输距离短，在光通信领域的应用逐渐收窄，因此目前发射端的激光器芯片主要包括DFB、EML、VCSEL三种类型，分别适用于不同传输距离和成本敏感度的应用场景。

探测器芯片：主要用于检测光信号，并完成光信号向电信号的转换。接收端的探测器芯片主要包括PIN（PIN光电二极管）芯片和APD芯片（雪崩光电二极管）两类。

第二部分EML光芯片与CW光源的核心区别

EML（Electro-absorption Modulated Laser电吸收调制激光器）与CW（Continuous Wave）+外调制是当前高速光通信（尤其是400G/800G/1.6T光模块）中光源的两种核心的技术路线。

看下面这张表就能简单明了的理解两者的核心区别：

从我们做的这个表中，很容易理解到：EML和CW+外调制并非简单替代关系，而是长期共存、各有侧重。EML在传统可插拔模块的中长距市场优势明显，而CW+外调制方案在短距、高密度集成（如CPO）和应对供应链风险方面更具潜力。

EML是中短期需求交付主力，适合中长距传输，技术成熟度高。CW是目前主流方案，凭借高集成、低成本优势渗透率快速提升。