斯达半导2025年研发费用激增35.94%，聚焦下一代IGBT

2026年3月31日，斯达半导（603290）发布2025年度业绩快报，全年实现营业收入40.12亿元，同比增长18.34%；然而，归母净利润却同比下降20.2%至4.05亿元。这一“增收不增利”的背后，是公司对技术研发的持续高投入——2025年，斯达半导研发费用同比增加1.27亿元，同比增长35.94%。2024年，斯达半导的研发费为3.54亿元，较2023年同期增长23.27%。成为影响利润的核心因素。

研发驱动：下一代IGBT与宽禁带材料双线突破

斯达半导的研发重心聚焦于两大方向：下一代IGBT技术迭代与宽禁带半导体（SiC/GaN）产业化。

1. IGBT技术升级：公司重点推进基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的1200V/750V车规级IGBT模块研发，相关产品已批量应用于800V高压电动车平台，并新增多个主电机控制器项目定点。此外，针对工业控制与电源领域，公司开发出高可靠性、低损耗的IGBT单管，覆盖户用光伏到大型储能全场景。
2. SiC/GaN布局加速：2025年，斯达半导1200V SiC MOSFET模块通过车规级认证，并进入比亚迪、长安汽车等头部车企供应链；GaN功率芯片在数据中心电源、AI服务器等领域实现小批量供货，技术指标达到国际先进水平。公司同步推进6英寸SiC芯片产线建设，预计2026年产能将达6万片/年，满足新能源汽车与光伏逆变器需求。
3. 生态协同创新：斯达半导将驱动IC、工业级/车规级MCU芯片与功率模块深度融合，推出集成化智能功率解决方案。例如，其车规级MCU芯片已与IGBT模块形成协同设计，显著提升电机控制器能效与可靠性。

战略布局：新兴市场与全球化双轮并进

在技术突破的同时，斯达半导通过市场拓展与产能扩张巩固行业地位：

1. 新兴领域爆发增长：
   • 新能源汽车：作为全球第五大、中国第一大IGBT模块供应商，斯达半导2025年车规级产品出货量同比增长超30%，配套车型覆盖A级轿车到高端SUV，并拓展至电子助力转向、车载空调等辅助系统。
   • 新能源发电：公司IGBT模块在地面光伏电站、大型储能项目中的市占率提升至25%，并首次进入北美市场，实现海外营收同比增长40%。
   • AI与机器人：针对数据中心高功率密度需求，斯达半导推出定制化SiC模块，已通过英伟达、浪潮信息认证；工业机器人领域，其高开关频率IGBT模块成为埃斯顿、汇川技术等企业的首选。
2. 全球化产能布局：
   • 国内方面，公司太原工厂300mm硅片产能达85万片/月，支撑高端IGBT芯片自给；晋科硅材料通过多家客户体系认证，为SiC模块量产奠定基础。
   • 海外方面，斯达半导在欧洲设立研发中心，贴近大众、宝马等客户需求；东南亚生产基地进入试产阶段，规避贸易壁垒风险。
3. 供应链韧性提升：
   面对原材料成本上涨压力，斯达半导通过与中芯国际、华虹集团等晶圆厂建立联合研发机制，保障产能供应；同时与上游硅料企业签订长期协议，平抑价格波动影响。