华澜微骆建军亮相第十九届中国电子信息年会

2026年4月18日，第十九届中国电子信息年会在武汉·中国光谷科技会展中心隆重开幕。本届年会以“e创未来”为主题，汇聚数十位两院院士、千余名行业专家及产业链代表，围绕集成电路、网络通信、人工智能与大模型、先进材料等前沿方向展开深度对话。作为电子信息领域最具权威性的国家级学术盛会，本届年会聚焦产业痛点与前沿趋势，旨在为我国电子信息产业自主创新凝聚智力支持、搭建高端交流平台。

4月19日上午，年会核心专题论坛“智能引领，创芯未来”如期举行。杭州电子科技大学微电子研究院院长、杭州华澜微电子股份有限公司首席科学家骆建军教授作大会主题报告《存储主控芯片关键技术和发展展望》。

骆建军在报告中指出，我国在信息产业重要技术方向均有布局和持续进展，从处理器（如飞腾、龙芯、申威等）、操作系统（如麒麟和统信等）到数据存储（包括存储器和存储控制器）已形成三大核心产业体系。数据存储技术正在从磁介质的硬盘发展到以半导体闪存为介质的固态硬盘，这一技术更新换代给我国存储产业提供了千载难逢的好机会。闪存存储器相当于存储的仓库，而存储主控芯片是固态存储的“大脑”和“看门人”，直接决定系统性能、可靠性与信息安全。围绕核心技术自主可控，骆建军分享了其团队多年的攻坚成果。他带领杭电与华澜微技术团队，坚持全栈式、全链条自主研发，在芯片架构创新、闪存管理算法、数据纠错、安全加密等核心领域持续突破，形成完整的技术体系，为数据中心、工业控制、信息安全等国家关键领域提供了稳定可靠的国产芯支撑。面向未来，骆建军表示，随着新一代接口技术，3D闪存、存算一体等技术的快速演进，存储主控芯片将向更高性能、更低功耗、更高集成度、更安全智能的方向发展，他介绍了在闪存纠错算法、存储空间均衡算法、多通道冗余保护等方面的创新技术。针对当前高性能计算和人工智能的高性能要求，HBM(High Bandwidth Memory)正在演进到HBF(High Bandwidth Flash)，成为最近存储产业热点。他分享了团队近几年探索新型存储(如MRAM和FeRAM)融合到高性能计算的初步成果，提出了HBHM(High Bandwidth Hybrid Memory)的新架构，并展示了实践结果。针对边缘计算的需求，他描述了存储内计算的架构，并以存储空间加密提供主动安全防卫、嵌入式基础算子引擎为例子，描述了端侧芯片级加速计算的成果。

骆建军教授的报告，全面总结了当前存储主控技术的现状和未来演进趋势。结合我国在闪存存储器（以长江存储为代表）和DRAM存储器（以合肥长鑫为代表）的产业化进展，存储主控技术突破和相应SOC芯片国产化，一起呈现了我国数据存储的产业链全景。

骆建军教授在报告最后展望了存储技术中长期发展技术道路，从新型半导体存储器件的研发，到围绕DNA展开高效编码和碳基算存原理的研究，为我国存储芯片产业迈向更高水平提供了务实思路与实践参考。

作为我国在数据存储主控领域的开拓性技术领军人物，骆建军教授带领技术团队二十多年持续耕耘，不断推出新主控型号填补国内空白。近期，更是实现了存储盘阵列控制器芯片系列的国产化，把我国的存储控制器芯片技术从单个硬盘推进到海量存储的阵列系统，为我国存储产业链打造控制器芯片的硬核节点。