深入解析CPH6350 P-Channel Power MOSFET

在电子设计领域，功率MOSFET是至关重要的元件，它们广泛应用于各种电路中。今天，我们来深入了解一下ON Semiconductor推出的CPH6350 P-Channel Power MOSFET。

文件下载：CPH6350-D.PDF

产品概述

CPH6350是一款-30V、-6A、43mΩ的单P沟道功率MOSFET。它具备4V驱动能力，拥有低导通电阻，内部还集成了保护二极管，这些特性使得它在众多应用场景中表现出色。

产品特性

驱动能力与低电阻

CPH6350支持4V驱动，这意味着它可以在较低的驱动电压下正常工作，降低了驱动电路的设计难度和功耗。同时，其低导通电阻特性能够有效减少功率损耗，提高电路效率。

保护二极管

内部集成的保护二极管可以为电路提供额外的保护，防止反向电压对MOSFET造成损坏，增强了电路的稳定性和可靠性。

规格参数

绝对最大额定值

参数	符号	条件	额定值	单位
漏源电压	VDSS	-	-30	V
栅源电压	VGSS	±	±20	V
漏极电流（直流）	ID	-	-6	A
漏极电流（脉冲）	IDP	PW≤10μs，占空比≤1%	-24	A
允许功耗	PD	安装在陶瓷基板（900mm²×0.8mm）上	1.6	W
沟道温度	Tch	-	150	°C
存储温度	Tstg	-	-55 至 +150	°C

电气特性

在Ta = 25°C的条件下，CPH6350的各项电气特性如下：

• 击穿电压：漏源击穿电压V(BR)DSS在ID = -1mA，VGS = 0V时为 -30V。
• 漏极电流：零栅压漏极电流IDSS在VDS = -30V，VGS = 0V时为 -1μA。
• 栅源泄漏电流：栅源泄漏电流IGSS在VGS = ±16V，VDS = 0V时为 ±10μA。
• 截止电压：截止电压VGS(off)在VDS = -10V，ID = -1mA时为 -1.2 至 -2.6V。
• 正向传输导纳：正向传输导纳|yfs|在VDS = -10V，ID = -3A时为 5.4S。
• 导通电阻：静态漏源导通电阻RDS(on)在不同条件下有不同的值，如ID = -3A，VGS = -10V时为 33 至 43mΩ。
• 电容参数：输入电容Ciss在VDS = -10V，f = 1MHz时为 600pF，输出电容Coss为 145pF，反向传输电容Crss为 110pF。
• 开关时间：开启延迟时间td(on)为 7.4ns，上升时间tr为 27ns，关断延迟时间td(off)为 62ns，下降时间tf为 45ns。
• 栅极电荷：总栅极电荷Qg在VDS = -15V，VGS = -10V，ID = -6A时为 13nC，栅源电荷Qgs为 1.8nC，栅漏“米勒”电荷Qgd为 3.2nC。
• 二极管正向电压：二极管正向电压VSD在IS = -6A，VGS = 0V时为 -0.87 至 -1.2V。

封装与订购信息

CPH6350有两种型号可供选择：CPH6350 - TL - E和CPH6350 - TL - W，它们都采用SC - 74、SOT - 26、SOT - 457封装，每卷3000pcs，且均为无铅产品，其中CPH6350 - TL - W还做到了无铅和无卤。

使用注意事项

由于CPH6350是MOSFET产品，在使用时应避免将其放置在高电荷物体附近，以防止静电对其造成损坏。

总结

CPH6350 P - Channel Power MOSFET凭借其出色的特性和丰富的规格参数，在电子设计中具有很大的应用潜力。电子工程师们在设计电路时，可以根据具体需求合理选择和使用这款MOSFET，以实现高效、稳定的电路设计。你在使用功率MOSFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。