LF353运放构成振荡电路,LF353 Oscillation circuit
关键字:LF353,方波振荡器电路
当设定R1=R2=R.C1=C2=C时.在频率为fo时带通滤波器的相位为零。因此.当把运算放大器的反馈电阻R3和R4设定为R3=2R4时.同相放大器的增益为3倍,在fo处的环路增益正好为1倍,电路产生振荡,并正好能维持振荡。
振荡频率可用fo=1/2πRC进行计算.方法如下:
1.给定振荡频率fo和电阻R的值,计算电容器C的值。
例如设fo=1000Hz,R=10kΩ,则可以求得C=0.0159μF。
2.给定振荡频率fo和电容C的值,计算电阻R的值。
由于0.0159μF不是电容器的标称值.必须用几个电容器经串并联组合后才能实现,在制作电路时不但成本高,操作起来也很麻烦。因此可以先确定电容量,再求电阻阻值。例如此时将电容量设定为C=0.0159μF,即R=1/2πfoC=10.6kΩ。
对于该振荡电路来说即使环路增益只比1倍稍稍小一点点,电路也不会振荡。所以在设计实际的电路时为了能确保振荡.将R3和R4设定为R3=2.2 R4的关系。此时可以确保振荡.但又带来振荡会随时间不断增加,最后导致波形顶部被限幅的问题。为此需在反馈电路中接入稳压二极管对振幅的增加进行限制。

图2是输出电压为2Vrms,振荡频率为1kHz的振荡电路的例子。电路的输出阻抗为600Ω。负反馈量减小放大器的环路增益。振荡电路的谐波失真率约为0.5%,开机后振幅会不断增大,约需5ms才会稳定下来。
这种振荡电路存在振幅会因R1和R2的误差或者C1和C2的误差而变化,这是这种振荡电路的不足之处。例如在图3的电路中若R=2.2kΩ,将C2从0.015μF变为0.016μF,振荡电路的振幅会以7Vrms变成9.3Vms.
这种振荡电路可振荡的频率范围很宽.可以从数赫兹到数百赫兹。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
TPS40304EVM - 353评估模块:同步降压转换器的详细解析
TPS40304EVM - 353评估模块:同步降压转换器的详细解析 在电子设计领域,电源模块的性能和稳定性至关重要。今天我们来深入了解德州仪器(Texas Instruments
深入剖析PIC16LF1902/3微控制器:特性、功能与应用
深入剖析PIC16LF1902/3微控制器:特性、功能与应用 在电子工程领域,选择一款合适的微控制器对于项目的成功至关重要。Microchip的PIC16LF1902/3微控制器凭借其丰富的特性
DC353A演示板快速上手:LTC1928 - 5的卓越性能展现
DC353A演示板快速上手:LTC1928 - 5的卓越性能展现 在电子设计领域,一款性能出色且易于使用的演示板能为工程师们带来极大的便利。今天,我们就来深入了解一下DC353A演示板,它主要展示了
探索LF356-MIL JFET输入运算放大器:特性、应用与设计要点
探索LF356-MIL JFET输入运算放大器:特性、应用与设计要点 在电子工程领域,运算放大器是极为关键的基础元件,广泛应用于各种电路设计中。今天,我们要深入探讨的是LF356-MIL这款JFET
探索LF147/LF347:高性能四通道JFET输入运算放大器的奥秘
探索LF147/LF347:高性能四通道JFET输入运算放大器的奥秘 在电子工程师的日常设计工作中,选择一款合适的运算放大器至关重要,它直接影响着整个电路的性能和稳定性。今天,我们就来深入探讨一下
探索SKY13431 - 374LF:高性能0.5至6.0 GHz SPDT开关
探索SKY13431 - 374LF:高性能0.5至6.0 GHz SPDT开关 在无线通信领域,开关作为重要的基础元件,其性能直接影响着整个系统的表现。今天,我们就来深入探讨一下Skyworks
353家企业入围!星特杯入围名单公示
2025‘星特杯’第十一届大中华区磁性元器件与数字电源行业年度评选入围初选结果已出炉! 本届星特杯行业评选共设立15个奖项,入围企业达353家,覆盖磁性元器件、电感器、数字电源及相关产业链多个领域
霍尼韦尔SL353系列微功耗全极霍尔效应传感器
霍尼韦尔SL353系列传感器通过微功耗技术与全极性磁感应设计,将平均电流降至1.8 μA,一节纽扣电池即可工作数年,成为物联网和医疗设备的节能核心。其BiCMOS技术与间歇供电机制实现传统传感器1/10的功耗,适配从胰岛素泵到工业工具的多场景需求,助力绿色设计革命
STL320N4LF8 N沟道功率MOSFET技术解析与应用指南
意法半导体 STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。 该器件完全符合工业级标准。STL320N4LF8可降低
STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET技术解析与应用指南
意法半导体STL325N4LF8AG N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术,具有增强型沟槽栅极结构。 STL325N4LF8AG可确保非常低的导通电阻。该器件还降低内部电容和栅极电荷,实现更快、更高效的开关。
pHEMT GaAs IC 高功率 4-CTL DPDT 开关 LF–6GHz skyworksinc
电子发烧友网为你提供()pHEMT GaAs IC 高功率 4-CTL DPDT 开关 LF–6GHz相关产品参数、数据手册,更有pHEMT GaAs IC 高功率 4-CTL DPDT 开关 LF
发表于 08-15 18:33
实用电子电路设计(全6本)—— 振荡电路的设计与应用
由于资料内存过大,分开上传,有需要的朋友可以去主页搜索下载哦~
本文主要介绍振荡电路的设计与应用,内容包括基本振荡电路、RC方波振荡电路的设计、RC正弦波振荡电路的设计、高频LC
发表于 05-15 15:27
LF353运放构成振荡电路,LF353 Oscillation circuit
评论