上海贝岭BLP038N15荣获2026年度中国IC设计成就奖-电子发烧友网

贝岭捷报

IIC 2026 「功」获殊荣，车规芯声引关注

2026 IIC Shanghai 国际集成电路展览会暨研讨会盛大启幕，上海贝岭携硬核实力亮相，一举斩获行业重磅奖项，更在峰会上发表车规级半导体专题演讲，尽显本土企业技术底蕴！

展会期间，2026中国IC设计成就奖颁奖典礼圆满举行，汽车电子市场总监张飞代表公司登台领奖。本次上海贝岭150V屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管BLP038N15，荣获2026年度中国IC设计成就奖之热门IC产品类：功率器件/宽禁带器件，这份荣誉是行业对该产品在技术创新、市场应用及行业影响力等方面卓越表现的高度认可，更是对公司深耕功率半导体赛道成果的充分肯定。

同期，在2026中国IC领袖峰会上，其发表《新趋势、新变局，国产车规级半导体的挑战与应对策略》主题演讲。演讲深度剖析了国产车规级半导体行业发展新趋势与新变局，系统梳理产业面临的多重挑战及破局思路，并以上海贝岭为例，分享车规级电子产品布局、车规服务体系建设等实践经验与前瞻思考，内容扎实干货满满，获得现场高度关注与热烈反响。

核心功率器件推荐

BLP038N15

产品定位

关键词：SGT MOSFET、150V、超低导通电阻、低FOM值、车规级可靠性

核心应用场景：

上海贝岭BLP038N15产品凭借超低导通电阻、高可靠性、高雪崩能量和低开关损耗的核心优势，广泛适配以下领域：

· 通信和数据中心服务器电源

· 叉车和轻型电动车电机驱动器

· 光伏储能以及电池管理系统 (BMS)

· 不间断电源 (UPS)

核心技术与性能

上海贝岭BLP038N15产品采用业界先进工艺，结合深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件具有极低的导通电阻和优异的漏源间击穿电压Vdss；采用屏蔽栅极结构，器件获得优良的开关性能，使得该产品具有极低的开关损耗。其器件优势具体如下：

超低导通电阻Rds(on)

BLP038N15的导通电阻典型值仅为2.9mΩ，相比于市场主流厂商同类低导通电阻产品，导通电阻降幅高达23%，可有效地降低功率器件在导通期间的损耗，显著提升系统整机效率。贝岭产品具有优良的Rds(on) 一致性，适合大功率并联场景。

图1 导通电阻Rds(on)

低FOM 值

性能品质因数Figure of Merit（FOM= Rds(on)×Qg，Rds(on)为器件导通电阻，Qg为器件栅极总电荷），简称FOM值，是评估MOSFET综合性能的一个重要指标。较低的导通电阻代表SGT MOSFET在导通状态下具有更低的损耗和更高的效率。较低的栅极总电荷代表SGT MOSFET可以更快地在导通和截止之间切换，从而减少功耗和提高性能。上海贝岭BLP038N15在保证超低的导通电阻优势下，极力控制器件栅极总电荷，使得该器件FOM值相较国内厂商同电压等级产品具有显著优势。

图2 FOM值

优良的抗电流冲击能力

贝岭BLP038N15产品具有高雪崩能力、低热阻的特点，在电机应用中可以满足电机短路大电流关断的需求。

封装与适配性

器件封装

为了满足客户在不同应用场景下的使用需求，上海贝岭150V SGT产品在封装选择上，可以提供TO-220，TO-247为代表的插件安装形式。与此同时，还提供以TOLL和TO-263、TO-263-7、TOLT-16LW为代表的贴片安装形式。对于高功率密度、电流密度设计，贝岭推荐使用TOLL封装的150V SGT 产品。TOLL封装为高功率密度封装，其典型占位面积为9.8mm*11.73mm与TO-263封装相比，PCB面积可节省30%。TOLL封装的外形高度仅为2.3mm，占用的体积较TO-263减少60%，实现节省用户PCB空间，使客户产品更具成本优势。