深入解析MC9S08DZ128系列芯片:特性、数据手册变更及应用指南
引言
在电子工程师的日常设计工作中,选择合适的芯片是项目成功的关键。MC9S08DZ128系列芯片凭借其丰富的功能和良好的性能,在众多应用场景中得到了广泛应用。本文将深入剖析该系列芯片的特性,并详细解读其数据手册的修订内容。
文件下载:MC9S08DV128CLL.pdf
MC9S08DZ128系列芯片特性
中央处理器单元(CPU)
- 高性能:采用40 - MHz HCS08 CPU(20 - MHz总线),具备HC08指令集,并新增了BGND指令,为系统提供强大的运算能力。
- 丰富的中断/复位源:支持多达32个中断/复位源,能灵活应对各种复杂的系统需求。
片上存储器
- FLASH:可在全工作电压和温度范围内进行读取、编程和擦除操作,为程序存储提供可靠保障。
- EEPROM:具有在线可编程功能,有8 - 字节单页或4 - 字节双页擦除扇区,支持在执行FLASH时进行编程和擦除,还具备擦除中止功能。
- RAM:不同型号的芯片配备了不同容量的随机存取存储器,满足不同应用的需求。
电源管理
- 低功耗模式:拥有两种极低功耗停止模式和降低功耗等待模式,同时具备极低功耗实时中断功能,可在运行、等待和停止模式下使用,有效降低系统功耗。
时钟源选项
- 振荡器(XOSC):采用Loop - control Pierce振荡器,支持晶体或陶瓷谐振器,频率范围为31.25 kHz至38.4 kHz或1 MHz至16 MHz。
- 多用途时钟发生器(MCG):具备PLL和FLL模式,参考时钟具有非易失性微调功能(0.2%分辨率,1.5%温度公差,内部温度补偿),支持外部参考和振荡器/谐振器选项。
系统保护
- 看门狗(COP):可选择从备份专用1 - kHz内部时钟源或总线时钟运行,具备可选的窗口操作功能,确保系统的稳定性。
- 低电压检测:可设置复位或中断,并有可选的跳闸点,防止系统在低电压下出现异常。
- 非法操作码和地址检测:检测到非法操作码或地址时进行复位,保障系统的安全性。
- 存储器保护:提供FLASH和EEPROM块保护以及锁相丢失保护功能。
开发支持
外设
- ADC:24通道,12位分辨率,2.5 μs转换时间,具备自动比较功能、温度传感器和内部带隙参考通道。
- ACMPx:两个模拟比较器,可选择在比较器输出的上升、下降或任意边沿产生中断,可与固定内部带隙参考电压进行比较,能在stop3模式下运行。
- MSCAN:支持CAN协议2.0 A、B,标准和扩展数据帧,支持远程帧,有五个接收缓冲区和FIFO存储方案,标识符接受过滤器可编程为2 x 32位、4 x 16位或8 x 8位。
- SCIx:两个SCI支持LIN 2.0协议和SAE J2602协议,全双工非归零(NRZ),具备主扩展中断生成和从扩展中断检测功能,可在活动边沿唤醒。
- SPIx:最多两个SPI,全双工或单总线双向,双缓冲发送和接收,支持主或从模式,可选择MSB - first或LSB - first移位。
- IICx:最多两个IIC,最高100 kbps,支持多主操作,可编程从地址和通用呼叫地址,采用中断驱动的逐字节数据传输。
- TPMx:一个6 - 通道(TPM1)、一个2 - 通道(TPM2)和一个4 - 通道(TPM3)定时器,每个通道可选择输入捕获、输出比较或缓冲边沿和中心对齐PWM。
- RTC:8位模数计数器,具有二进制或十进制预分频器,可利用外部晶体和RTC实现精确的时间基准、时间、日历或任务调度功能,片上低功耗振荡器(1 kHz)可实现无外部组件的循环唤醒。
输入/输出
- 丰富的I/O引脚:最多87个通用输入/输出(I/O)引脚和1个仅输入引脚。
- 中断引脚:最多32个中断引脚,每个引脚可选择极性。
- 输入特性:所有输入引脚具有滞后和可配置的上拉设备。
- 输出特性:所有输出引脚可配置压摆率和驱动强度。
封装选项
提供100 - 引脚、64 - 引脚和48 - 引脚的低轮廓四方扁平封装(LQFP),满足不同的应用需求。
数据手册修订内容
修订版本概述
MC9S08DZ128系列数据手册的修订2版本包含三部分:数据手册修订1的附录修订2、附录修订1以及数据手册修订1。这些附录中描述的更改尚未在指定页面中实现。
具体修订内容
MCG控制寄存器3字段描述
在表8 - 7(第176页)中,位4(DIV32)描述的最后一句应从 “如果PLLS位被设置,对该位的写入将被忽略” 改为 “当PLL被选择时,DIV32必须被清除”。
初始化MCG
在第8.5.1.1节(第186页)中,步骤6后的注释的最后一句应删除。同时,强烈建议在使用高频范围(RANGE = 1)外部参考时钟的FLL外部模式下,设置MCGC3中的DIV32(位4)。
示例1:从FEI模式转换到PEE模式
在第8.5.3.1节(第189页)中,步骤2b的第一句应为 “BLPE/PBE: MCGC3 = 0x48 (%01001000)”,并且步骤2b的第二个要点应明确 “当PLLS被设置时,DIV32(位4)必须被清除”。
FEI到PEE模式转换流程图
在第8.5.3.1节(第190页)的流程图中,右上角框中的 “MCGC3 = $58” 应改为 “MCGC3 = $48”。
DC特性
参数24(带隙电压参考)的最小值从1.19V改为1.18V,脚注10中应删除 “Temp = 25°C”。
振荡器电气规格
更新表A - 11(第435页)中的参数1,以纠正与HGO位设置相关的最大高范围振荡器频率。替换参数6,以纠正FEE或FBE模式下的最大方波输入时钟频率。同时,替换脚注1和2,以纠正典型表征电压并添加DIV32除数。
MCG规格
(f_{dcot}) 评级中的 (f{intut}) 应改为 (f{int_t})。
引脚可用性
更新表2 - 1(第34页)中第9 - 15行的引脚分配信息。
边缘对齐PWM模式
在第16.4.2.3节末尾应添加:写入TPMxSC会取消写入TPMxMODH和/或TPMxMODL的任何值,并重置模寄存器的一致性机制;写入TPMxCnSC会取消写入通道值寄存器的任何值,并重置TPMxCnVH:TPMxCnVL的一致性机制。
应用建议
在实际应用中,工程师需要根据具体的项目需求选择合适的芯片型号和配置。例如,如果项目对功耗要求较高,可以充分利用芯片的低功耗模式;如果需要进行高速数据采集和处理,则可以发挥ADC和CPU的高性能。同时,在使用过程中要密切关注数据手册的修订内容,确保系统的稳定性和可靠性。
总结
MC9S08DZ128系列芯片以其丰富的功能和良好的性能,为电子工程师提供了一个强大的设计平台。通过深入了解芯片的特性和数据手册的修订内容,工程师可以更好地发挥芯片的优势,设计出更加高效、稳定的系统。大家在使用该系列芯片时,是否遇到过一些特殊的需求或挑战呢?欢迎在评论区分享交流。
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