Onsemi NVMFD020N06C 双 N 沟道 MOSFET 解析

在电子设计领域，MOSFET 作为关键元件，其性能直接影响电路的效率和稳定性。今天我们来深入了解 Onsemi 推出的 NVMFD020N06C 双 N 沟道 MOSFET，看看它有哪些独特之处。

文件下载：NVMFD020N06C-D.PDF

一、产品特性

1. 紧凑设计

NVMFD020N06C 采用了 5x6 mm 的小尺寸封装，这对于追求紧凑设计的电子产品来说是一个巨大的优势。在如今电子产品不断追求小型化的趋势下，这种小尺寸封装能够有效节省 PCB 空间，为设计带来更多的灵活性。

2. 低损耗特性

• 低导通电阻：该 MOSFET 具有低 (R_{DS}(on))，能够最大程度地减少导通损耗。这意味着在电路中，当 MOSFET 导通时，消耗在其上的功率更小，从而提高了整个电路的效率。
• 低栅极电荷和电容：低 (Q_{G}) 和电容能够减少驱动损耗，降低了驱动电路的功耗，进一步提升了系统的能效。

3. 可焊侧翼选项

NVMFWD020N06C 提供了可焊侧翼选项，这有助于增强光学检测的效果。在生产过程中，可焊侧翼能够更方便地进行焊接质量的检测，提高了生产的良品率。

4. 汽车级认证

该产品通过了 AEC - Q101 认证，并且具备 PPAP 能力，这表明它能够满足汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。同时，它还符合 Pb - Free、Halogen Free/BFR Free 和 RoHS 标准，环保性能出色。

二、最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	60	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	27	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(I_{D})	19	A
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	(P_{D})	31	W
功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)）	(P_{D})	15	W
连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)）	(I_{D})	8	A
连续漏极电流（(T_{A}=100^{circ}C)）	(I_{D})	6	A
功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	(P_{D})	3.1	W
功率耗散（(T_{A}=100^{circ}C)）	(P_{D})	1.5	W
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10 mu s)）	(I_{DM})	98	A
工作结温和存储温度范围	(T{J})、(T{stg})	- 55 至 + 175	(^{circ}C)
源极电流（体二极管）	(I_{S})	25	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I{L}=5.7 A{pk})）	(E_{AS})	16	mJ
引线焊接回流温度（距外壳 1/8"，10 s）	(T_{L})	260	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。同时，热阻值会受到整个应用环境的影响，并非恒定值。

三、热阻额定值

参数	符号	最大值	单位
结到壳热阻（稳态）	(R_{theta JC})	4.8	(^{circ}C/W)
结到环境热阻（稳态）	(R_{theta JA})	47	(^{circ}C/W)

热阻是衡量 MOSFET 散热性能的重要指标，了解这些热阻额定值有助于我们在设计散热系统时做出合理的决策。

四、电气特性

1. 关断特性

• 漏源击穿电压：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250 mu A) 时为 60 V，其温度系数为 29 mV/°C。
• 零栅压漏极电流：(I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(T = 25^{circ}C) 时为 10 (mu A)，在 (T = 125^{circ}C) 时为 250 (mu A)。
• 栅源泄漏电流：(I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V) 时为 100 nA。

2. 导通特性

• 栅极阈值电压：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=20 A) 时为 2.0 - 4.0 V，其负阈值温度系数为 - 7.8 mV/°C。
• 漏源导通电阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)，(I_{D}=4A) 时为 16.9 - 20.3 m(Omega)。
• 正向跨导：(g{fs}) 在 (V{DS}=5V)，(I_{D}=4A) 时为 12 S。
• 栅极电阻：(R{G}) 在 (T{A}=25^{circ}C) 时为 1.0 (Omega)。

3. 电荷与电容特性

• 输入电容：(C_{iss}) 为 355 pF。
• 输出电容：(C{oss}) 在 (V{GS}=0V)，(f = 1 MHz)，(V_{DS}=30V) 时为 260 pF。
• 反向电容：(C_{rss}) 为 4.9 pF。
• 总栅极电荷：(Q_{G(TOT)}) 为 5.8 nC。
• 阈值栅极电荷：(Q_{G(TH)}) 为 1.4 nC。
• 栅源电荷：(Q{GS}) 在 (V{GS}=10 V)，(V{DS}=48 V)，(I{D}=4A) 时为 2.3 nC。
• 栅漏电荷：(Q_{GD}) 为 0.53 nC。

4. 开关特性

• 导通延迟时间：(t_{d(ON)}) 为 6.5 ns。
• 上升时间：(t_{r}) 为 1.4 ns。
• 关断延迟时间：(t_{d(OFF)}) 为 9.7 ns。
• 下降时间：(t_{f}) 为 4.0 ns。

5. 漏源二极管特性

• 正向电压：(V{SD}) 在 (V{GS}=0V)，(I{S}=4A)，(T{J}=25^{circ}C) 时为 1.2 V。
• 反向恢复电荷：(Q_{RR}) 为 12 (mu C)。

五、典型特性

文档中还给出了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源和漏源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、安全工作区、雪崩时峰值电流与时间关系以及热响应等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解该 MOSFET 在不同工作条件下的性能表现。

六、订购信息

器件标记	封装	包装
NVMFD020N06CT1G	SO8FL 双封装	1500 / 卷带包装
NVMFWD020N06CT1G	SO8FL 双封装（可焊侧翼）	1500 / 卷带包装

七、机械尺寸

该 MOSFET 采用 DFN8 5x6，1.27P 双旗形（SO8FL - 双）封装，文档中给出了详细的机械尺寸图和标注，包括各个尺寸的最小值、标称值和最大值。同时，还对尺寸标注和公差等方面进行了说明，为 PCB 设计提供了准确的参考。

Onsemi 的 NVMFD020N06C 双 N 沟道 MOSFET 在紧凑设计、低损耗、可靠性等方面表现出色，适用于多种电子应用场景。作为电子工程师，在设计电路时，我们需要根据具体的应用需求，综合考虑其各项特性和参数，以确保电路的性能和稳定性。大家在实际应用中有没有遇到过类似 MOSFET 的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。