APS1604M-3SQRX-SN:高兼容性低功耗存储方案

品牌：爱普（AP Memory）

型号：APS1604M-3SQRX-SN

容量：16 Mb / 2MB

产品类型：PSRAM (Pseudo SRAM)

接口类型：SPI / QPI (支持标准SPI、双线SPI、四线SPI)

工作电压：2.7V ~ 3.6V

封装：SOP-8

免费样品申请：中国区一级代理商：深圳市贝乐实业股份有限公司

APS1604M-3SQRX-SN不是传统的SRAM或DRAM，而是一颗PSRAM（Pseudo SRAM，伪静态随机存储器）。它内部的核心存储单元采用的是高密度的DRAM技术，但芯片本身集成了所有必要的刷新逻辑和控制电路。这意味着，对于您的主控芯片（MCU/MPU）而言，操作它就像操作一颗传统的SRAM一样简单，无需复杂的刷新管理，但却能享受到堪比DRAM的高容量和低成本优势。

主要性能特点：

存取时序：（典型访问时间 (tACC)约为70ns）作为PSRAM，其读写速度远快于同接口的Flash，能满足实时性较高的数据吞吐场景。

功耗表现：（支持深度睡眠模式，待机电流极低）对于电池供电的物联网和穿戴设备，该特性可显著延长续航时间。其动态功耗也优于传统DRAM。

工作电压：（2.7V - 3.6V）宽电压范围设计，兼容常见的3.3V系统，便于系统供电设计。

数据可靠性：（集成自动刷新与自刷新电路）无需主控MCU干预，芯片内部自主完成数据刷新，简化了软件设计并提高了系统稳定性。

它在实际应用中会带给工程师的三大核心价值：

1.极致的易用性与高兼容性

这是它最吸引人的特点之一。APS1604M-3SQRX-SN采用了与标准QSPI Flash高度兼容的协议。这意味着，在硬件上，您可以将其直接连接到原本为QSPI Flash预留的引脚上；在软件上，也只需对底层的驱动程序进行少量修改，即可实现对PSRAM的访问。这种设计极大降低了系统升级或扩展内存的难度，缩短了开发周期。

2.低引脚数，简化系统设计

传统的并行SRAM需要地址线和数据线，通常会占用大量MCU的GPIO。而这款芯片采用标准的串行接口，只需6个引脚（CLK, CS, IO0-IO3）就能实现完整的读写功能。这不仅解放了主控芯片的资源，也让PCB布局布线变得更加简单，有助于实现更低成本的PCB板层设计。

3.优化的功耗表现

对于如今越来越多的物联网和便携设备，功耗是重中之重。APS1604M-3SQRX-SN在设计中充分考虑了这一点。它支持多种省电模式，包括深度睡眠模式（Deep Sleep Mode）。在不进行数据操作时，可以命令芯片进入此模式，将功耗降至最低，极大地延长了电池供电设备的续航时间。同时，其动态功耗也比传统DRAM更具优势。

基于上述特性，APS1604M-3SQRX-SN在以下领域有着广泛的应用前景：

物联网与通信模组： 在Wi-Fi、蓝牙等模组中，它可作为数据缓冲的理想选择。当网络拥塞或主控繁忙时，它能像“缓存池”一样暂存传感器数据或网络数据包，确保数据不丢失，通信更稳定。

智能穿戴设备：在智能手环、手表等设备中，它可以作为“随身速记本”。以极低功耗实时记录心率、计步等健康数据，待与手机App同步时再批量读出，实现了流畅且低功耗的用户体验。

显示驱动与图像处理：对于带有图形用户界面的小家电（如智能电表、对讲机、智能家电面板），它可以作为显示帧缓冲（Frame Buffer）。为MCU提供足够的内存来存储一帧或多帧的显示数据，从而实现流畅的菜单滑动、图标刷新等动画效果。

工业传感器：在工业现场，它可以作为数据“中转站”，快速汇聚多个传感器的高速数据流，供控制器进行分析和处理，满足实时性要求。

审核编辑 黄宇