CSD19535KTT 100V N - Channel NexFET™ Power MOSFET 深度解析

在电子设计领域，功率 MOSFET 是至关重要的元件，其性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天我们就来详细剖析一下德州仪器（TI）的 CSD19535KTT 100V N - Channel NexFET™ Power MOSFET。

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产品特性

电气性能卓越

• 超低栅极电荷：具备超低的 (Q{g}) 和 (Q{gd})，这有助于减少开关损耗，提高开关速度，使得 MOSFET 在高频应用中表现出色。比如在一些对开关速度要求极高的电源转换电路中，超低的栅极电荷能够显著降低开关时间，提升整体效率。
• 低导通电阻：当 (V{GS} = 10V) 时，(R{DS(on)}) 典型值为 2.8 mΩ，这意味着在导通状态下，MOSFET 的功率损耗较小，发热也相应减少，从而提高了系统的可靠性和效率。

热性能良好

• 低热阻：拥有较低的热阻，能够快速将热量散发出去，保证 MOSFET 在工作过程中不会因为过热而损坏。例如在一些高功率应用中，良好的热性能可以确保 MOSFET 稳定工作，延长其使用寿命。
• 雪崩额定：具备雪崩额定能力，能够承受一定的雪崩能量，增强了 MOSFET 在恶劣环境下的可靠性。

环保设计

• 无铅端子电镀：符合环保要求，减少了对环境的污染。
• RoHS 合规：满足 RoHS 标准，确保产品在生产和使用过程中符合环保法规。
• 无卤：不含有卤素，进一步提高了产品的环保性能。

封装优势

采用 (D2PAK) 塑料封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，方便安装和焊接，适用于各种不同的应用场景。

应用领域

热插拔应用

在热插拔电路中，CSD19535KTT 能够快速响应，实现设备的安全插拔，避免因插拔过程中的电流冲击对设备造成损坏。

电机控制

在电机控制中，MOSFET 的快速开关特性和低导通电阻可以精确控制电机的转速和转矩，提高电机的效率和性能。

二次侧同步整流

在电源的二次侧同步整流电路中，CSD19535KTT 可以降低整流损耗，提高电源的转换效率。

详细规格

电气特性

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
(BV_{DSS})（漏源击穿电压）	(V{GS} = 0V)，(I{D} = 250μA)	100	-	-	V
(I_{DSS})（漏源泄漏电流）	(V{GS} = 0V)，(V{DS} = 80V)	-	-	1	μA
(I_{GSS})（栅源泄漏电流）	(V{DS} = 0V)，(V{GS} = 20V)	-	-	100	nA
(V_{GS(th)})（栅源阈值电压）	(V{DS} = V{GS})，(I_{D} = 250μA)	2.2	2.7	3.4	V
(R_{DS(on)})（漏源导通电阻）	(V{GS} = 6V)，(I{D} = 100A)	-	3.2	4.1	mΩ
	(V{GS} = 10V)，(I{D} = 100A)	-	2.8	3.4	mΩ
(g_{fs})（跨导）	(V{DS} = 10 V)，(I{D} = 100 A)	-	301	-	S
(C_{iss})（输入电容）	(V{GS} = 0V)，(V{DS} = 50V)，(ƒ = 1MHz)	-	6100	7930	pF
(C_{oss})（输出电容）	-	-	1160	1510	pF
(C_{rss})（反向传输电容）	-	-	29	38	pF
(R_{G})（串联栅极电阻）	-	-	1.4	2.8	Ω
(Q_{g})（总栅极电荷）	(V{DS} = 50V)，(I{D} = 100A)	-	75	98	nC
(Q_{gd})（栅漏电荷）	-	11	-	-	nC
(Q_{gs})（栅源电荷）	-	25	-	-	nC
(Q_{g(th)})（阈值电压下的栅极电荷）	-	16	-	-	nC
(Q_{oss})（输出电荷）	(V{DS} = 50V)，(V{GS} = 0V)	-	210	-	nC
(t_{d(on)})（导通延迟时间）	(V{DS} = 50V)，(V{GS} = 10V)，(I{DS} = 100A)，(R{G} = 0Ω)	-	9	-	ns
(t_{r})（上升时间）	-	18	-	-	ns
(t_{d(off)})（关断延迟时间）	-	21	-	-	ns
(t_{f})（下降时间）	-	15	-	-	ns
(V_{SD})（二极管正向电压）	(I{SD} = 100A)，(V{GS} = 0V)	-	0.9	1.1	V
(Q_{rr})（反向恢复电荷）	(V{DS} = 50V)，(I{F} = 100A)，(di/dt = 300A/μs)	-	435	-	nC
(t_{rr})（反向恢复时间）	-	85	-	-	ns

热特性

热指标	最小值	典型值	最大值	单位
(R_{theta Jc})（结到壳热阻）	-	-	0.5	°C/W
(R_{theta JA})（结到环境热阻）	-	-	62	°C/W

典型 MOSFET 特性

文档中给出了多个典型特性曲线，如瞬态热阻抗曲线、饱和特性曲线、传输特性曲线、栅极电荷曲线等。这些曲线直观地展示了 MOSFET 在不同条件下的性能表现，对于工程师进行电路设计和性能评估非常有帮助。例如，通过 (R{DS(on)}) 与 (V{GS}) 的关系曲线，工程师可以根据实际需求选择合适的栅源电压，以获得最佳的导通电阻。

产品支持与注意事项

第三方产品免责声明

TI 对第三方产品或服务的信息发布不构成对其适用性的认可，也不提供相关的保证或背书。这提醒工程师在使用第三方产品与 TI 产品结合时，需要自行评估其兼容性和可靠性。

文档更新通知

工程师可以通过访问 ti.com 上的设备产品文件夹，点击“Notifications”进行注册，以接收文档更新的每周摘要。及时了解文档更新对于掌握产品的最新信息非常重要。

支持资源

TI E2E™ 支持论坛是工程师获取快速、经过验证的答案和设计帮助的重要渠道。在这里，工程师可以搜索现有答案或提出自己的问题，获得专家的指导。

静电放电注意事项

该集成电路容易受到 ESD 损坏，因此在处理和安装时需要采取适当的预防措施。ESD 损坏可能导致性能下降甚至设备完全失效，特别是对于精密集成电路，微小的参数变化都可能导致设备无法满足规格要求。

封装与订购信息

封装选项

提供了不同的订购型号，如 CSD19535KTT、CSD19535KTT.B、CSD19535KTTT、CSD19535KTTT.B，它们的封装均为 DDPAK/TO - 263 (KTT)，引脚数为 2，不同型号的包装数量和载体有所不同。

包装材料信息

详细给出了磁带和卷轴的尺寸、引脚编号、象限分配等信息，以及磁带和卷轴盒的尺寸，为工程师在设计 PCB 和选择包装形式时提供了参考。

总结

CSD19535KTT 100V N - Channel NexFET™ Power MOSFET 以其卓越的电气性能、良好的热性能、环保设计和多样化的应用场景，成为电子工程师在电源转换、电机控制等领域的理想选择。在使用过程中，工程师需要充分了解其规格参数和特性曲线，同时注意静电放电等问题，以确保产品的正常使用和系统的稳定性。大家在实际应用中是否遇到过类似 MOSFET 的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。