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LMZM33606电源模块:高效、灵活的电源解决方案

lhl545545 2026-03-04 09:55 次阅读
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LMZM33606电源模块:高效、灵活的电源解决方案

在电子设计领域,电源模块的性能和可靠性直接影响着整个系统的运行。今天,我们来深入了解一下德州仪器TI)的LMZM33606电源模块,它是一款功能强大、应用广泛的电源解决方案。

文件下载:lmzm33606.pdf

一、产品概述

LMZM33606是一款3.5 - 36V输入、1 - 20V输出、6A的电源模块。它将6A DC/DC转换器、功率MOSFET、屏蔽电感和无源元件集成在一个低剖面封装中,只需最少4个外部组件,就可完成设计,大大简化了设计流程,消除了环路补偿和电感选型的困扰。

1. 产品特性

  • 小尺寸解决方案:整体解决方案尺寸小于250 (mm^{2}),采用16mm × 10mm × 4mm的QFN封装,易于焊接到印刷电路板上,适合紧凑型设计。
  • 宽输入输出范围:支持5V、12V、24V、28V输入轨,输出电压范围为1 - 20V,并且与4A的LMZM33604引脚兼容,方便设计升级。
  • 低辐射干扰:满足EN55011辐射发射标准,减少对其他设备的干扰。
  • 可配置输出:能够配置为负输出电压,适用于反相应用。
  • 灵活的可调特性:开关频率可在350kHz - 2.2MHz之间调节,还能同步到外部时钟;可选择自动模式或FPWM模式,自动模式在轻载时提高效率,FPWM模式在全负载范围内保持固定频率;具有可调软启动和跟踪输入功能,以及精确使能来编程系统欠压锁定(UVLO)。
  • 完善的保护功能:具备打嗝模式电流限制、过温保护和电源良好输出等功能,确保在恶劣环境下稳定运行。
  • 适应恶劣环境:在85°C无气流的情况下,可提供高达50W的输出功率;工作结温范围为 - 40°C至 + 125°C,工作环境温度范围为 - 40°C至 + 105°C,并且经过了Mil - STD - 883D的冲击和振动测试。

2. 应用领域

LMZM33606适用于工业、医疗和测试设备等领域,可用于通用宽输入电压调节和反相输出应用。

二、引脚配置与功能

LMZM33606采用41引脚的QFN封装,各引脚功能如下: PIN NAME TYPE DESCRIPTION
16,21 AGND G 模拟地,为内部参考和逻辑提供零电压参考,外部需连接在一起,且不能连接到PGND。
10 BIAS_SEL I 可选的偏置LDO电源输入,内部有470nF电容连接到PGND,不使用时应接地,若3.3V ≤ VOUT ≤ 18V可连接到VOUT,或连接到外部3.3V或5V电源以提高效率。
7 DNC - 不连接,该引脚连接到内部电路,不能连接到AGND、PGND或其他电压,需焊接到隔离焊盘。
20 EN I 调节器的精确使能输入,不能浮空,高电平开启,低电平关闭,可连接到VIN,通过外部电阻分压器可调节系统UVLO。
15 FB I 反馈输入,连接反馈电阻分压器的中心点,上拉电阻连接到VOUT,下拉电阻连接到AGND。
14 NC - 内部未连接。
8, 11,23, 30, 34, 35, 38, 40,41 PGND G 功率地,是器件功率级的回流路径,需通过PCB上的功率接地平面连接到输入源、负载和旁路电容的低端。
17 PGOOD O 电源良好标志的开漏输出,内部有100kΩ上拉电阻连接到PGOOD_PU引脚。
18 PGOOD_PU I 电源良好上拉电源,连接到逻辑轨或不高于20V的其他直流电压。
12 RT I 外部定时电阻连接到该引脚和AGND,可调节器件的开关频率,浮空时默认开关频率为500kHz,不能短路到地。
13 SS/TRK I 软启动/跟踪控制引脚,浮空时使用5ms内部软启动斜坡,连接电容到AGND可增加软启动时间,也可连接到外部电压斜坡进行跟踪,不能连接到地。
1,2,3,4,5, 6,31,32,33 SW O 开关节点,连接到器件下方的小铜岛以实现热释放,不能放置外部组件或连接到其他功能引脚。
19 SYNC/MODE I 同步输入和模式设置引脚,不能浮空,不使用时连接到AGND或逻辑高电平;连接到外部时钟可同步,连接到AGND选择自动模式,连接到逻辑高电平选择FPWM模式。
9 VCC O 内部偏置电源的输出,用于为内部控制电路驱动器供电,不能放置外部组件或连接到其他功能引脚。
22,39 VIN I 输入电源电压,外部输入电容连接到这些引脚和PGND。
24,25,26, 27,28, 29, 36,37 VOUT O 输出电压,连接到内部电感的输出,连接到输出负载,并在这些引脚和PGND之间连接外部旁路电容。

三、规格参数

1. 绝对最大额定值

在工作环境温度范围内,各参数的绝对最大额定值如下: 参数 条件 MIN MAX UNIT
输入电压(VIN to PGND) - -0.3 42 V
EN to AGND - -0.3 VIN + 0.3 V
FB, RT, SS/TRK to AGND - -0.3 5 V
PGOOD to AGND - -0.1 20 V
SYNC/MODE to AGND - -0.3 5.5 V
BIAS_SEL to AGND - -0.3 Lower of (VIN + 0.3) and 20 V
AGND to PGND - -0.3 0.3 V
输出电压(VOUT to PGND) - -0.3 VIN V
SW to PGND - -0.3 VIN + 0.3 V
SW to PGND(<10 ns transients) - -3.5 42 V
VCC to PGND - -0.3 5 V
峰值回流外壳温度 - - 240 °C
允许的最大回流次数 - - 1 -
温度(最大结温) - -40 125 °C
存储温度 - -55 150 °C
机械冲击 Mil - STD - 883D, Method 2002.3, 1 msec, 1/2 sine, mounted - 500 G
机械振动 Mil - STD - 883D, Method 2007.2, 20 to 2000 Hz - 20 G

2. ESD额定值

类型 测试标准 VALUE UNIT
人体模型(HBM) ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001 ±1500 V
带电器件模型(CDM) JEDEC specification JESD22 - C101 ±1000 V

3. 推荐工作条件

参数 MIN MAX UNIT
输入电压(VIN) 3.5(对于输出电压 ≤ 5V,为3.5V或(VOUT + 1V)中的较大值;对于输出电压 > 5V,为1.1 × VOUT) 36 V
输出电压(VOUT) 1 20 V
EN电压(VEN) 0 VIN V
PGOOD上拉电压(VPGOOD) 0 18 V
PGOOD灌电流 0 5 mA
BIAS_SEL 3.3 Lower of VIN and 18 V
输出电流(IOUT) 0 6 A
开关频率(FSW) 350 1200 kHz
工作环境温度(TA) -40 105 °C
输入电容(CIN) 20(最小20µF陶瓷电容,对于有瞬态负载要求的应用,建议额外增加100µF的大容量电容) - µF
输出电容(COUT) 根据输出电压而定(具体见输出电容选择部分) 700 µF

4. 热信息

热指标 RLX(B2QFN) LMZM33606 41 PINS UNIT
结到环境热阻(RθJA) 13.9 °C/W
结到顶部表征参数(ψJT) 1.2 °C/W
结到板表征参数(ψJB) 6.2 °C/W
热关断温度(TSHDN) 160 °C
热关断迟滞 25 °C

5. 电气特性

在 (T{A}=-40^{circ} C) 至 + 105°C, (V{IN}=24 ~V) , (V{OUT }=5 ~V) , (I{OUT }=I{OUT }) 最大, (f{sw}=500 kHz) ,FPWM模式(除非另有说明)的条件下,部分电气特性如下: 参数 测试条件 MIN TYP MAX UNIT
输入电压范围 输出电流范围内,VOUT = 2.5V,fSW = 350kHz 3.5 36 V
VIN开启 VIN增加,VOUT = 2.5V,IOUT = 0A 3.12 - - V
VIN关闭 VIN减小,VOUT = 2.5V,IOUT = 0A 2.62 - - V
关断电源电流(ISHDN) VIN = 12V,VEN = 0V,IOUT = 0A 0.8 10 µA
内部LDO电压(VCC) PWM操作 3.27 - - V
PFM操作 3.1 - 3.3 V
BIAS_SEL静态电流 VIN = 12V,VFB = 1.5V,VEN = 2V,VBIAS_SEL = 2 50 - - µA
反馈电压(VFB) -40°C ≤ TJ = TA ≤ 125°C,IOUT = 0A,输入电压范围内,VOUT = 2.5V,fSW = 350kHz 0.987 1.006 1.017 V
负载调整率 输出电流范围内,TA = 25°C - - 0.1% -
反馈泄漏电流 VFB = 1V 0.2 - 65 nA
输出电流 自然对流,TA = 25°C 0 6 A
过流阈值 - - - 9 A
效率(ƞ) IOUT = 3A,TA = 25°C - 91% - -
内部软启动时间(TSS SS引脚开路 - 5 - ms
软启动充电电流(ISSC) VIN = 12V,VFB = 1.5V,VEN = 2V,VSS/TRK = 0.5V 1.8 2 2.2 µA
EN上升阈值(VEN - H) - 1.14 1.2 1.25 V
EN迟滞电压(VEN - HYS) - - - -100 mV
EN输入泄漏电流 VIN = 12V,VFB = 1.5V,VEN = 2V 1.4 - 200 nA
PGOOD过压阈值 - 106% 110% 113% -
PGOOD欠压阈值 - 86% 90% 93% -
PGOOD低电压 0.5 - mA上拉,VEN = 0V - - 0.3 V
有效PGOOD的最小VIN 50 - µA上拉,VEN = 0V,TJ = TA = 25°C 1.3 - 2 V

6. 开关特性

在 (T{A}=-40^{circ} C) 至 + 105°C, (V{IN}=24 ~V) , (V_{OUT }=5 ~V) ,FPWM模式(除非另有说明)的条件下,开关特性如下: 参数 测试条件 MIN TYP MAX UNIT
默认开关频率(fSW) RT引脚开路,IOUT = 0A 440 500 560 kHz
开关频率范围 IOUT = 0A 350 - 2200 kHz
同步高阈值(VSYNC) - - - 2 V
同步低阈值 - 0.4 - - V
最小同步ON/OFF时间(TS - MIN) - - - 80 ns

四、详细特性描述

1. 输出电压调整

通过连接到FB引脚的电阻分压器来编程LMZM33606的输出电压,输出电压调整范围为1 - 20V。推荐 (R{FBB}) 的值为10kΩ, (R{FBT}) 的值可通过公式 (R{F B T}=10 timesleft(V{OUT }-V{F B}right)(k Omega)) 计算,其中 (V{FB}) 典型值为1.006V。

2. 输入电容选择

LMZM33606需要至少20µF的陶瓷输入电容,建议使用高质量的X5R或X7R陶瓷电容,电压额定值应大于最大输入电压。对于有瞬态负载要求的应用,TI建议额外增加33µF的非陶瓷电容。在最坏情况下,输入电容的组合纹波电流额定值至少应为3ARMS。

3. 输出电容选择

所需的最小输出电容取决于输出电压,具体如下: VOUT RANGE (V) MIN MAX MINIMUM REQUIRED COUT VOLTAGE RATING
1 1 400µF ≥ 6.3V
> 1 1.8 300µF -
> 1.8 2.5 200µF -
> 2.5 3.3 150µF -
> 3.3 5 100µF -
> 5.0 12 100µF ≥ 16V
> 12 20 50µF
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