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深入解析TPS23523:-48V热插拔与单ORing控制器的卓越性能

lhl545545 2026-02-28 11:00 次阅读
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深入解析TPS23523:-48V热插拔与单ORing控制器的卓越性能

在现代电信系统中,对于高功率设备的热插拔和电源管理有着严格的要求。德州仪器TI)的TPS23523集成热插拔和单ORing控制器,就是为满足这些严苛需求而设计的。今天,我们就来深入了解一下这款产品。

文件下载:tps23523.pdf

产品特性亮点

宽电压范围与高耐压

TPS23523支持 -10V 至 -80V 的直流工作电压,绝对最大耐压达到 -200V,这使得它在面对如雷击浪涌等极端情况时,能够轻松应对。例如,在 IEC61000 - 4 - 5 雷击浪涌测试中,其高耐压特性可以有效保护系统,降低设备损坏的风险。

软启动电容断开功能

软启动电容断开功能允许使用更小的热插拔 FET,同时限制浪涌电流,又不影响瞬态响应。在启动时,软启动电容发挥作用,而在正常运行时,电容断开,从而优化了系统的性能。

双热插拔栅极驱动

具备双热插拔栅极驱动,400µA 的栅极驱动电流能够实现快速恢复。在雷击浪涌测试中,这种快速恢复能力有助于避免系统复位,确保系统的稳定性。

双电流限制

基于 (V{DS}) 的双电流限制是该产品的一大特色。当 (V{DS}) 较低时,电流限制为 25mV ± 4%;当 (V_{DS}) 较高时,电流限制为 3mV ± 25%。这种设计使得产品在不同的工作条件下都能提供有效的电流保护,提高了系统的可靠性。

编程保护功能

具备可编程的欠压(±1.5%)和过压(±2%)保护,以及可编程的滞后(±11%)。用户可以根据实际需求灵活设置保护阈值,为系统提供精准的保护。

集成 ORing 控制器

集成的 ORing 控制器可以调节正向压降至 25mV ± 15mV,并且在检测到反向电流时能够快速关断(-6mV ± 4mV)。这对于 -48V 系统的反向连接保护和反向电流保护至关重要,能够有效避免系统复位。

重试功能

在超时后具备重试功能,提高了系统的容错能力。当出现故障时,系统能够自动尝试恢复,减少人工干预的需求。

应用领域广泛

TPS23523适用于多种电信和网络设备,包括远程无线电单元、基带单元、路由器和交换机、小基站以及 -48V 电信基础设施等。在这些应用场景中,它能够有效管理浪涌电流,保护下游电路和上游总线,确保设备的稳定运行。

详细功能剖析

电流限制

采用双电流限制阈值 (CL1) 和 (CL2)。(CL1) 用于热插拔 FET 的 (V{DS}) 较低时,(CL2) 用于 (V{DS}) 较高时。这种双级保护方案能够更好地应对电压阶跃和其他瞬态情况,同时在启动短路和热短路事件中保护 MOSFET。通过连接从热插拔 FET 的漏极到 TPS23523 的 D 引脚的电阻,可以编程设置切换阈值。

软启动断开

通过在 SS 引脚和热插拔 MOSFET 的漏极之间放置电容,可以限制流入输出电容的浪涌电流。同时,TPS23523 在栅极引脚和 SS 引脚之间设置了断开开关和放电电阻,避免了在正常运行时软启动电容对系统性能的干扰。

定时器

定时器是热插拔功能的关键部分,它可以管理 MOSFET 的应力水平。在不同的工作条件下,定时器会对定时器电容进行充电和放电操作。当定时器达到特定电压时,热插拔会超时并关闭。超时后会有一个冷却期,之后系统会尝试重新启动。

第二栅极驱动(GATE2)

TPS23523 具有第二个热插拔栅极驱动,可用于需要多个热插拔 MOSFET 的应用中,节省了 BOM 成本和尺寸。第二个 MOSFET 只有在主 FET 导通后才会开启,从而降低了其对安全工作区(SOA)的要求。

ORing 功能

集成的 ORing 功能通过控制外部 MOSFET 来模拟理想二极管。它可以将 ORing FET 上的正向压降调节到 25mV,同时配备快速比较器,在检测到显著反向电流时能够快速关断 FET。

应用设计与实现

设计要求考虑

在设计 -48V 热插拔电路时,需要考虑启动、热短路、启动短路、输入雷击浪涌等关键场景。这些场景会对热插拔 MOSFET 造成很大的压力,因此需要确保 MOSFET 在各种条件下都能处于安全工作区(SOA)内。

详细设计步骤

  1. 选择 (R_{SNS}): 根据最大负载电流和目标电流限制,计算并选择合适的 (R_{SNS}) 值。
  2. 选择软启动设置: 计算最小浪涌电流和目标 (C{SS}) 值,选择合适的电容,并添加 (C{SS, VEE}) 电容以提高抗干扰能力。
  3. 选择 (V_{DS}) 切换阈值: 根据实际需求,通过 (R{D}) 编程设置 (V{DS}) 阈值。
  4. 定时器选择: 根据需要的超时时间,选择合适的 (C_{TMR}) 电容。
  5. MOSFET 选择和 SOA 检查: 选择具有合适 (V{DS}) 额定值、(R{DSON}) 和 SOA 的 MOSFET,并进行 SOA 检查,确保其能够承受关键应力场景。
  6. 输入电容、输入 TVS 和 ORing FET 选择: 根据应用需求,选择合适的输入电容、TVS 和 ORing FET,以应对雷击浪涌和反向连接保护。
  7. EMI 滤波器考虑: 在 EMI 滤波器后添加自由轮二极管和缓冲器,以处理热短路时电感中的电流。
  8. 欠压和过压设置: 编程设置欠压和过压保护的阈值和滞后,添加滤波电容以提高抗干扰能力。
  9. 选择 (R{VCC}) 和 (C{VCC}): 确保 (C{VCC}) 满足稳定性和上电时间要求,选择合适的 (R{VCC}) 以提供足够的电流。
  10. 电源良好接口 通过 PGb 引脚控制下游 DC/DC 转换器,确保在热插拔充电时下游设备关闭。

布局与电源建议

布局指南

在布局 TPS23523 电路时,需要注意 VEE 和 SNS 引脚的 Kelvin 感测连接,确保 VEE 走线粗短以减少 IR 压降和电流感测误差。同时,将滤波电容靠近 IC 放置,以提高系统的稳定性。

电源建议

为了确保 TPS23523 在非理想 -48V 总线上的稳定运行,建议进行各种瞬态测试,增加 (C{SS, VEE}) 与 (C{ss}) 的比例以减少启动时的输入电流纹波。对于大输入电感的情况,添加电容和输入缓冲器以稳定电流限制环路。

总结

TPS23523 作为一款集成热插拔和单 ORing 控制器,凭借其丰富的特性和广泛的应用领域,为高功率电信系统提供了可靠的解决方案。在设计过程中,工程师需要充分考虑各种因素,合理选择元件,优化布局和电源设置,以确保系统的性能和稳定性。你在使用 TPS23523 或类似产品时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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