又一家MCU企业，进军存储芯片市场！

黄晶晶综合整理

近日，中微半导体（深圳）股份有限公司表示，即将推出首款非易失性存储器芯片。 l

本次新产品的发布，是公司实施“MCU+”战略的最新成果，填补了公司在 Flash 领域的产品空白，标志着公司正式向 Flash 领域迈出实质性一步，体现了公司技术创新能力和产品开发能力的拓展，进一步丰富了公司产品矩阵和产品形态，拓宽了公司产品应用场景和使用范围，将有助于巩固和提升公司综合竞争力，对公司未来发展将产生积极的影响。

公司首款非易失性存储芯片，产品型号为 CMS25Q40A，容量为4Mbit 的SPI NOR Flash 芯片，存储阵列划分为 2048 个可编程页，每页容量为256 字节。单次编程操作最多可写入 256 字节数据。支持多种擦除方式，包括4 页一组的1KB 扇区擦除、16 页一组的 4KB 扇区擦除、128 页一组的32KB 块擦除、256页一组的 64KB 块擦除，以及整片擦除。具有低成本、低功耗、SPI 高速读写、掉电不丢失等特点，适配小存储需求场景，包括嵌入式MCU 程序存储、小型智能硬件配置存储、低功耗 IoT 终端存储以及外设/模块配套存储等场景。

具体性能参数如下：
1.采用单电源供电，电压范围为 1.65V 至 3.6V。
2.全系列产品均采用小型封装，节省空间。
3.支持标准串行外设接口（SPI），同时兼容高性能的双路/四路输出模式以及双路/四路输入输出（I/O）SPI 模式。
4.支持最高 120MHz 的 SPI 时钟频率。
5.芯片配备保持引脚、写保护引脚，并支持可编程写保护功能，可灵活控制存储阵列的顶部、底部或互补区域的写保护状态。
6.支持标准 SPI 及高性能双路/四路 I/O/SPI 接口，兼具灵活的擦写方式与可靠的保护机制。
7.安全特性：配备 4×256=1024 字节安全存储器、支持一次性可编程锁定，内置 64 位唯一序列号。





不过，中微半导表示，公司本次发布的非易失性存储芯片，但尚未进行市场推广，未来要实现大规模销售，尚需通过更多客户对该产品进行试用和评估，存在市场推广与客户开拓不及预期的风险。

存储芯片市场由 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash、EEPROM 等细分市场组成，其中 DRAM 和 NAND Flash 占据了存储芯片市场的主要份额，NOR Flash市场规模相对较小且竞争日趋激烈。国内主要参与者包括兆易创新和普冉股份等上市公司，它们已经在存储芯片领域深耕多年，具有技术积累深厚、产品系列化 完善、市场品牌度高和客户认可的优势，公司作为存储芯片市场新进入者，如果公司不能及时完善产品系列化或未能较好地应对外部竞争压力，可能面临亏损性推广而存在影响公司整体盈利能力的风险。