0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

深入解析Infineon FM24V10 1-Mbit Serial (I2C) F-RAM

璟琰乀 2026-01-08 16:45 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

深入解析Infineon FM24V10 1-Mbit Serial (I2C) F-RAM

在电子设计领域,存储器的选择至关重要,它直接影响着系统的性能、可靠性和成本。今天我们要深入探讨的是英飞凌(Infineon)旗下的FM24V10 1-Mbit Serial (I2C) F-RAM,这款产品在非易失性存储器市场中具有独特的优势。

文件下载:FM24V10-G.pdf

产品概述

Cypress已成为英飞凌科技公司的一部分,英飞凌将继续为新老客户提供FM24V10等产品。FM24V10是一款采用先进铁电工艺的1-Mbit非易失性存储器,逻辑上组织为128K × 8。它具有诸多出色的特性,使其在众多应用场景中脱颖而出。

特性亮点

  1. 高耐久性:具备100万亿(10¹⁴)次的读写次数,相比传统的EEPROM,其写入耐久性有了质的飞跃,能够满足频繁读写的应用需求。
  2. 超长数据保留:在不同温度条件下有出色的数据保留能力,例如在85°C时可达10年,65°C时可达151年,为数据的长期存储提供了可靠保障。
  3. 无延迟写入:与EEPROM不同,FM24V10在总线速度下执行写入操作,无需写入延迟,数据在成功传输到设备后立即写入内存阵列,下一个总线周期可立即开始,无需数据轮询。
  4. 高速串行接口:采用快速的两线串行接口(I2C),频率最高可达3.4-MHz,可直接替代串行(I2C)EEPROM,并且支持100 kHz和400 kHz的传统时序。
  5. 设备ID和序列号:提供制造商ID和产品ID,FM24VN10还具备唯一的序列号,可用于识别电路板或系统。
  6. 低功耗:工作电流低,在100 kHz时为175 μA,待机电流典型值为90 μA,睡眠模式电流典型值为5 μA,有助于降低系统功耗。
  7. 宽电压范围:工作电压为2.0 V至3.6 V,可适应不同的电源环境。
  8. 工业温度范围:能够在 -40°C至 +85°C的工业温度范围内稳定工作。
  9. 环保封装:采用8引脚小外形集成电路(SOIC)封装,并且符合有害物质限制(RoHS)标准。

功能描述

与EEPROM对比优势

FM24V10在写操作方面具有明显优势。EEPROM在写入时需要较长的写入时间,并且可能会出现写入延迟,而FM24V10的写入操作在总线速度下完成,无需等待,大大提高了系统的响应速度。此外,FM24V10在写入时功耗更低,因为它不需要内部升高的电源电压来驱动写入电路。

应用场景

由于其高耐久性和无延迟写入的特性,FM24V10非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用,如数据记录、工业控制等。在数据记录应用中,大量的写入操作可能会导致传统存储器的寿命缩短,而FM24V10的高耐久性可以有效解决这个问题;在工业控制应用中,EEPROM的长写入时间可能会导致数据丢失,而FM24V10的无延迟写入可以确保数据的及时保存。

接口与操作

I2C接口

FM24V10采用双向I2C总线协议,通过SDA和SCL信号进行通信。总线协议由START、STOP、数据位和确认等四种状态控制。

  • START条件:当总线主设备在SCL信号为高电平时将SDA信号从高电平拉低时,表示START条件,所有命令都应在START条件之后发送。
  • STOP条件:当总线主设备在SCL信号为高电平时将SDA信号从低电平拉高时,表示STOP条件,所有操作都应在STOP条件结束。
  • 数据/地址传输:所有数据传输(包括地址)都在SCL信号为高电平时进行,SDA信号在SCL为高电平时不应改变。
  • 确认/无确认:在任何事务中,第8个数据位传输完成后会进行确认。接收器将SDA信号拉低表示确认接收到字节,如果接收器未将SDA拉低,则表示无确认,操作将被中止。

存储器操作

写入操作

写入操作从发送从设备地址开始,然后是内存地址,主设备通过将从设备地址的LSB(R/W位)设置为0来指示写入操作。写入过程中,主设备发送每个数据字节,存储器生成确认条件。由于F-RAM的特性,写入操作无有效延迟,写入完成后可立即进行其他操作。

读取操作

读取操作分为当前地址读取和选择性(随机)读取两种类型:

  • 当前地址读取:主设备发送从设备地址,LSB设置为1,表示读取操作。FM24V10从当前地址开始输出数据,主设备通过确认信号指示是否继续读取下一个字节。
  • 选择性(随机)读取:主设备先发送写入操作的前三个字节来设置内部地址,然后发送START条件,同时中止写入操作并允许发送读取命令,此时变为当前地址读取。

睡眠模式

FM24V10支持低功耗的睡眠模式,当主设备发送特定的睡眠命令(86h)时,设备进入睡眠模式。需要注意的是,发送STOP命令进入睡眠模式是可选步骤,存在一个小问题,即当I2C主设备发送睡眠命令的最后一个保留从设备ID(86h)时,I2C F-RAM可能会在I2C时钟为高电平时释放SDA线,产生意外的STOP信号,可通过忽略该信号或主设备驱动SDA线来解决。

设备ID和唯一序列号

FM24V10提供只读的设备ID,可用于确定制造商、产品密度和产品版本。FM24VN10还具备唯一的8字节序列号,可用于唯一识别电路板或系统。序列号的读取通过特定的从设备地址序列进行,并且可以通过计算CRC值来验证通信的正确性。

电气特性

最大额定值

超过最大额定值可能会缩短设备的使用寿命,包括存储温度、电源电压、输入电压等方面的限制。例如,存储温度范围为 -65°C至 +125°C,电源电压VDD相对于VSS的范围为 -1.0 V至 +4.5 V。

工作范围

在工业温度范围 -40°C至 +85°C内,VDD的工作电压为2.0 V至3.6 V,确保设备在不同环境下的稳定工作。

直流电气特性

包括电源电流、待机电流、睡眠模式电流、输入输出电压等参数,这些参数在不同的工作条件下有不同的取值,为系统设计提供了参考。

数据保留和耐久性

在不同温度下有不同的数据保留时间,并且具备10¹⁴次的读写耐久性,保证了数据的长期存储和设备的可靠性。

交流测试特性

规定了I2C总线的各种时序参数,如时钟周期、数据建立和保持时间等,确保数据的准确传输。

总结

英飞凌的FM24V10 1-Mbit Serial (I2C) F-RAM以其高耐久性、无延迟写入、低功耗等特性,为电子工程师在非易失性存储器设计中提供了一个优秀的选择。它可以直接替代串行(I2C)EEPROM,并且在性能上有显著提升。在实际应用中,工程师需要根据具体的需求,合理利用其各种功能和特性,同时注意一些小的问题,如睡眠模式中的意外STOP信号。希望通过本文的介绍,能让大家对FM24V10有更深入的了解,在设计中充分发挥其优势。你在使用类似的存储器时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • F-RAM
    +关注

    关注

    0

    文章

    29

    浏览量

    15293
  • 非易失性存储器

    关注

    0

    文章

    140

    浏览量

    24146
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    【蓝牙4.1试用体验】实验七 I2C总线FM24V10读写操作(十一)

    BLE Pioneer Kit开发套件上有一个基于I2C总线的铁电存储芯片FM24V10。今天的实验主要是对这颗芯片进行读写。后续好使用他来保存相关用户数据。1,建立工程,工程名为FM24V
    发表于 11-18 22:40

    请问有人写过 ramtron 的FM24V10 eeprom i2c驱动吗?

    本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-5 15:43 编辑 论坛里有人写过 ramtron 的FM24V10 eeprom i2c驱动吗?
    发表于 06-04 13:18

    FM24V10 datsheet pdf,1Mb Seria

    FM24V10 datsheet pdf,1Mb Serial 3V F-RAM Memory The
    发表于 03-03 14:53 45次下载

    FM28V100 datasheet pdf ,1Mbit

    FM28V100 datasheet pdf ,1Mbit Bytewide F-RAM Memory The FM28V100 is a 128K x 8 nonvolatile
    发表于 03-03 15:07 28次下载

    FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件

    FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件 世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM) 和集成半导
    发表于 08-18 11:58 1909次阅读

    fm25v20a 2兆位串行(SPI)F-RAM

    The FM25V20A is a 2-Mbit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A
    发表于 09-14 11:26 18次下载
    <b class='flag-5'>fm25v</b>20a <b class='flag-5'>2</b>兆位串行(SPI)<b class='flag-5'>F-RAM</b>

    FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能与应用解析

    FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能与应用解析 在电子工程领域,非易失性存储器的选择对于系统的性能和可靠性至关重要。今天,我们将深入探讨
    的头像 发表于 12-10 17:15 2657次阅读
    <b class='flag-5'>FM24</b>CL04B:4-Kbit串行<b class='flag-5'>F-RAM</b>的卓越性能与应用<b class='flag-5'>解析</b>

    FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性与应用解析

    FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性与应用解析 在电子设计领域,找到一款性能卓越、功能丰富且稳定可靠的非易失性存储器至关重要。今天,我们就来
    的头像 发表于 01-04 17:25 969次阅读

    高性能I²C接口F-RAM芯片:FM24V10深度解析

    高性能I²C接口F-RAM芯片:FM24V10深度解析 在电子设备飞速发展的今天,对于存储设备的要求也越来越高。对于那些需要频繁读写数据的应
    的头像 发表于 01-22 15:30 494次阅读

    深入解析FM24W256:256-Kbit串行F-RAM的卓越特性与应用

    深入解析FM24W256:256-Kbit串行F-RAM的卓越特性与应用 引言 在当今的电子设计领域,非易失性存储器的选择至关重要。它直接影响着系统的性能、可靠性和成本。本文将
    的头像 发表于 01-22 17:15 1140次阅读

    Infineon FM24V10 1-Mbit 串行 F-RAM:高性能非易失性存储器的理想之选

    )的 FM24V10 1-Mbit 串行(I²CF-RAM 便是这样一款出色的产品,今天就让我们深入
    的头像 发表于 01-31 17:20 1292次阅读

    探索CY15E064J 64-Kbit Serial (I2C) Automotive-A F-RAM的卓越性能

    。今天,我们就来深入了解一款高性能的非易失性存储器——Cypress的CY15E064J 64-Kbit Serial (I2C) Automotive-A F-RAM。 文件下载
    的头像 发表于 02-28 11:30 830次阅读

    探索Cypress FM25V20A 2-Mbit F-RAM:高性能非易失性存储器的卓越之选

    20A 2-Mbit F-RAM以其独特的性能优势,成为众多应用场景下的理想选择。今天,我们就来深入了解这款F-RAM的特点、功能和应用。 文件下载:
    的头像 发表于 03-11 16:10 259次阅读

    探索FM25V10 1-Mbit Serial (SPI) F-RAM:高性能非易失性存储器解决方案

    探索FM25V10 1-Mbit Serial (SPI) F-RAM:高性能非易失性存储器解决方案 在电子设计领域,选择合适的存储器对于系统的性能和可靠性至关重要。今天,我们将
    的头像 发表于 03-29 14:40 226次阅读

    深入剖析FM25V02A 256-Kbit Serial (SPI) F-RAM:特性、功能与应用解析

    深入剖析FM25V02A 256-Kbit Serial (SPI) F-RAM:特性、功能与应用解析 在电子设计领域,选择合适的存储器对于
    的头像 发表于 04-30 17:20 3640次阅读