2026年存储市场涨价潮正式拉开帷幕。
1月5日,据《韩国经济日报》报道,三星电子与SK海力士计划在第一季度大幅上调DRAM价格,服务器、PC及智能手机用DRAM报价较2025年第四季飙涨60%-70%,打响年内涨价第一枪。
这场涨价风波背后,是全球存储市场的供需失衡。两大存储龙头不仅强硬提价,还拒绝签订长期供货协议,坚持按季度签约以灵活应对价格波动。即便涨幅惊人,业界仍普遍认为客户将被动接受——短期内厂商产能难以快速提升,且大型科技公司为推进AI基础设施建设,对DRAM涨价的容忍度极高。
涨价底气源于持续加剧的供应短缺。当前存储厂商正集中产能攻坚HBM3E,大幅挤压了通用服务器DRAM的产能空间。而Google、微软等企业加速拓展AI推理服务,博通也在加码HBM3E订单,双重需求叠加进一步拉大供需鸿沟。
集邦咨询同日发布的研报印证了市场趋势,给出明确涨价预期:1Q26一般型DRAM合约价季增55%-60%,Server DRAM涨幅逾60%;NAND Flash同步跟涨,季涨幅达33%-38%,其中客户端SSD价格涨幅将超40%。美系CSP提前锁定货源,更迫使其他买家接受高价,加剧市场紧张态势。
行业分析指出,在AI算力需求爆发与数据中心投资扩大的双重驱动下,DRAM价格有望在2027年前保持逐季度阶梯式上涨。此次涨价将传导至终端电子产业,对PC、智能手机、服务器等领域的成本控制构成挑战。
审核编辑 黄宇
-
DRAM
+关注
关注
41文章
2401浏览量
189540 -
海力士
+关注
关注
2文章
137浏览量
27154 -
三星
+关注
关注
1文章
1781浏览量
34428
发布评论请先 登录
三星NAND涨价100%,存储芯片迎来超级周期
涨价周期下,国产存储的突围之路与补给破局
三星美光缺货怎么办|紫光国芯国产存储芯片现货供应替代方案
存储芯片涨价潮下,“智芯谷”寻源替代精准决策
多家存储封测厂商开始计划涨价 DRAM最高上调30%,NAND上调5%-10%
美撤销三家在华半导体企业授权 包括英特尔 SK海力士 三星
三星最新消息:三星将在美国工厂为苹果生产芯片 三星和海力士不会被征收100%关税
三星Q2净利润暴跌56%:代工遇冷,HBM业务受挫
回收三星S21指纹排线 适用于三星系列指纹模组
看点:三星DDR4内存涨价20% 华为与优必选全面合作具身智能
DDR4涨价20%,DDR5上调5%!
HBM重构DRAM市场格局,2025年首季DRAM市占排名
三星、海力士官宣:下季度DRAM涨价60%-70%
评论