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120V低IQ理想二极管典型应用与极限参数

pc16211 来源:pc16211 作者:pc16211 2025-12-18 14:27 次阅读
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产品描述:

PC2781 是高边驱动控制器配合 N沟道功率MOSFET控制器,在应用时与外部 N沟道功率MOSFET、电容储存器共同使用,实现二极管电路功能,该二极管电路在串联电流源时具有低平均正向导通电压,反向低漏电流特性,可应用于组件级光伏电源系统中作为防反或旁路保护器件。产品内部集成电荷泵、参考比较器、反偏检测及功率 MOS驱动电路等单元。

wKgZPGlDnpCAQ_eyAABMPGrtlqo808.png

特点

最低反向电压: 120V

适用于外部 N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的电荷泵栅极驱动

低反向漏电流: ~20nA@120V

快速响应反极性事件:典型 3μs

肖特基二极管具有优异的功耗性能

工作环境温度范围宽: -40°C ~ 125°C

采用 MSOP-8 和 SOT23-6 封装

wKgZO2lDnp6AYs8AAAFrd74iYFg538.png

应用:

冗余 (N+1)电源的有源 OR-ing

高压接线盒、机器人、扫地机

光伏优化、关断器

替代高边的PMOS或者肖特基

审核编辑 黄宇

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