AQ7538-08UTG：低电容ESD保护的理想之选

在电子设备的设计中，静电放电（ESD）保护是至关重要的一环。今天，我们来深入了解一款名为AQ7538 - 08UTG的TVS二极管阵列，它在ESD保护方面有着出色的表现。

文件下载：Littelfuse AQ7538-08UTG 0.3pF TVS二极管阵列.pdf

产品概述

AQ7538 - 08UTG是一款集成了8通道超低电容轨到轨二极管和一个额外齐纳二极管的器件，旨在为可能遭受破坏性静电放电的电子设备提供保护。它能够安全地吸收超过国际标准IEC 61000 - 4 - 2规定的最大水平（±8kV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容使其成为保护高速信号引脚（如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB3.1、USB2.0和IEEE 1394）的理想选择。

主要特性

强大的ESD防护能力

该器件符合多项ESD标准，能承受±22kV接触、±30kV空气的ESD冲击（IEC 61000 - 4 - 2），以及ISO 10605标准下330pF 330Ω、+30kV / - 18kV接触和+30kV / - 18kV空气的ESD冲击。这意味着它能在复杂的电磁环境中为设备提供可靠的保护。大家在实际应用中，有没有遇到过因ESD问题导致设备故障的情况呢？

出色的电气性能

• 低电容：在0V、3GHz（典型值）下，每个I/O的电容仅为0.3pF，这对于高速信号传输至关重要，能有效减少信号失真。
• 低漏电流：在5V时，最大漏电流仅为0.5μA，有助于降低功耗，提高设备的稳定性。

其他特性

• 符合环保标准：无卤素、无铅，且符合RoHS标准，满足环保要求。
• 高可靠性：湿度敏感度等级为MSL - 1，经过AEC - Q101认证，具备PPAP能力，适用于汽车等对可靠性要求较高的应用场景。

电气参数

绝对最大额定值

符号	参数	值	单位
IPP	峰值电流（tp = 8/20μs）	3.0	A
TOP	工作温度	-40 至 150	°C
TSTOR	存储温度	-55 至 150	°C

需要注意的是，超过“绝对最大额定值”的应力可能会对器件造成永久性损坏。

电气特性（TOP = 25°C）

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
反向关断电压	VRWM	Pin - 1, - 2, - 4, - 5, - 6, - 7, - 8, - 9 到 pin - 3	5			V
击穿电压	VBR	IR = 1mA	6			V
反向漏电流	ILEAK	VR = 5V, I/O 到 GND			0.5	μA
钳位电压1	VC	IPP = 1A, tp = 8/20μs, Fwd		9.9		V
钳位电压1	VC	IPP = 2A, tp = 8/20μs, Fwd		10.9		V
动态电阻2	RDYN	TLP, tP = 100ns, I/O 到 GND		0.5		Ω
ESD 耐受电压1,3	VESD	IEC 61000 - 4 - 2（接触放电）			±22	kV
ESD 耐受电压1,3	VESD	IEC 61000 - 4 - 2（空气放电）			±30	kV
二极管电容1	CI/O - GND	反向偏置 = 0V, f = 3GHz		0.3		pF

应用领域

AQ7538 - 08UTG的应用非常广泛，包括但不限于以下领域：

• 高速接口：V - By - One、Embedded DisplayPort、USB 2.0/3.0/3.1端口、HDMI等。
• 显示设备：平板显示器、LCD/LED电视等。
• 移动设备：智能手机、移动计算设备等。
• 汽车电子：因其具备汽车级标准，可用于汽车电子系统中。

焊接参数与产品特性

焊接参数

在进行无铅组装时，需要遵循特定的回流焊接条件，如预热温度、时间、升温速率等，以确保焊接质量。具体参数如下表所示：	回流条件		无铅组装
预热	- 温度最小值（Tm）	150°C
	- 温度最大值（T）	200°C
	- 时间（min 到 max）（t）	60 - 120 秒
平均升温速率（液相线）温度（T）到峰值		3°C/秒 最大
Tsmay 到 ， - 升温速率		3°C/秒 最大
回流	- 温度（T）（液相线）	217°C
	- 时间（t）	60 - 150 秒
峰值温度（T）		260 ± 0/5°C
实际峰值温度（t）的 5°C 范围内的时间		30 秒
降温速率		6°C/秒 最大
25°C 到峰值温度（T）的时间		8 分钟 最大
不超过		260°C

产品特性

• 引脚镀层：雾锡
• 引脚材料：铜合金
• 基板材料：硅
• 本体材料：模塑化合物
• 可燃性：符合UL认可的阻燃等级V - 0

订购信息

部分编号	封装	最小订购数量
AQ7538 - 08UTG	uDFN - 9	3000

封装尺寸

该器件采用μDFN - 9（3.8x1.0mm）封装，具体尺寸如下表所示：	符号	毫米			英寸
最小值	标称值	最大值	最小值	标称值	最大值
A	0.45	0.50	0.55	0.018	0.020	0.022
A1		0.02	0.05		0.001	0.002
b	0.15	0.20	0.25	0.006	0.008	0.010
C	0.10	0.15	0.20	0.004	0.006	0.008
D	3.70	3.80	3.90	0.146	0.150	0.154
e		0.80BSC		0.031 BSC
e1	0.90 BSC			0.035 BSC
E	0.90	1.00	1.10	0.035	0.039	0.043
L	0.20	0.30	0.40	0.008	0.012	0.016

此外，文档还提供了压纹载带和卷轴的规格信息。

总的来说，AQ7538 - 08UTG凭借其出色的ESD保护能力、低电容和低漏电流等特性，在高速信号保护领域具有很大的优势。电子工程师们在进行相关设计时，可以充分考虑这款器件，以提高设备的可靠性和稳定性。大家在使用类似器件时，有没有什么独特的经验或遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享。