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DLP650LNIR:近红外光控制的理想之选

lhl545545 2025-12-11 15:15 次阅读
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DLP650LNIR:近红外光控制的理想之选

在工业设备的近红外(NIR)光控制领域,DLP650LNIR数字微镜器件凭借其卓越的性能和广泛的应用前景,成为了众多工程师的首选。今天,我们就来深入了解一下这款器件的特点、应用以及设计要点。

文件下载:dlp650lnir.pdf

一、器件特性

(一)微镜阵列

DLP650LNIR拥有1280×800(WXGA)的阵列,超过100万个微镜,微镜间距为10.8μm,微镜倾斜角为±12°(相对于平面),采用0.65英寸对角线阵列用于角落照明。如此精细的微镜阵列设计,为其在各种应用中提供了高精度的光线控制能力。

(二)光学性能

它能够高效控制近红外光(800nm到2000nm),在特定波段具有高窗透射率。例如,在950nm至1150nm波段,单通道、两个窗面的窗透射率>98%;在850nm至2000nm波段,单通道、两个窗面的窗透射率>93%。这使得它在近红外光应用中能够有效减少光线损失,提高光学效率。

(三)散热与功率

采用0.5°C/W耐热高效封装,允许DMD上有高达160W的入射功率。良好的散热性能保证了器件在高功率运行时的稳定性,能够适应各种复杂的工作环境。

(四)控制与传输

采用偏振无关型铝制微镜,拥有16位2xLVDS 400MHz输入数据总线,专用的DLPC410控制器、DLPR410 PROM和DLPA200微镜驱动器可确保可靠的高速运行,二进制模式速率高达12,500Hz,还支持全局、单块、双块和四块反射镜时钟脉冲(复位)运行模式。

二、应用领域

(一)3D相关应用

在3D打印、选择性激光烧结(SLS)、3D机器视觉和3D生物识别等领域,DLP650LNIR可以精确控制光线的投射,实现高精度的3D建模和制造。

(二)工业加工

动态灰度激光打标和编码、工业印刷、柔性版印刷、数字制版、修复和消融等工业加工过程中,它能够提供高速、精准的光线调制,提高加工效率和质量。

(三)光谱分析与成像

光谱分析、红外场景投影、高光谱成像等领域,DLP650LNIR的高光学效率和精确的光线控制能力,有助于获取更准确的光谱信息和高质量的图像。

(四)其他应用

还可用于光学开关等应用场景,为相关领域的发展提供了有力支持。

三、技术规格

(一)绝对最大额定值

对各种电源电压、输入电压和环境温度等都有明确的限制。例如,Vcc(L CMOS核心逻辑电源电压)的范围是 -0.5V至4V,VccI(LVDS接口电源电压)同样是 -0.5V至4V,Vcc2(微镜电极和HVCMOS电压)为 -0.5V至9V等。在设计过程中,必须严格遵守这些额定值,以确保器件的安全运行。

(二)存储条件

DMD的存储温度范围为 -40°C至80°C,平均露点温度(非冷凝)为28°C,在特定的升高露点温度范围(28°C至36°C)内,累积时间不能超过24个月。合理的存储条件有助于保持器件的性能和可靠性。

(三)ESD 评级

除MBRST(15:0)引脚外,所有引脚的人体模型(HBM)静电放电评级为 ±2000V,MBRST(15:0)引脚 < 250V。在操作过程中,要采取适当的静电防护措施,避免器件受到静电损伤。

(四)推荐工作条件

对电源电压、输入输出电压、时钟频率、温度等都给出了推荐值。例如,VCC(LVCMOS核心逻辑电源电压)推荐为3.0V至3.6V,VCCI(LVDS接口电源电压)同样是3.0V至3.6V,VCC2(微镜电极和HVCMOS电压)为8.25V至8.75V等。在实际应用中,尽量使器件工作在推荐条件下,以获得最佳性能。

四、芯片组与接口

(一)芯片组组件

DLP650LNIR需要与DLPC410、DLPR410和DLPA200等芯片组组件配合使用。DLPC410提供高速LVDS数据和控制接口,用于DMD控制;DLPR410包含启动配置信息;DLPA200为DMD提供微镜时钟脉冲驱动功能。这些组件协同工作,确保了系统的稳定运行。

(二)接口说明

  1. DLPC410接口:有多种输入输出信号,如ARST(异步低电平复位)、CLKIN R(参考时钟)、DIN_A,B,C,D(LVDS DDR数据输入)等。在初始化过程中,需要发送训练模式来正确对齐数据输入和时钟。同时,DLPC410能自动检测DMD类型和设备ID,在关机时要执行特定的关机程序,以确保器件的长期可靠性。
  2. DLPC410到DMD接口:通过LVDS总线A和B进行数据传输,DMD使用输出总线A和B的奇数输入信号。在设计PCB时,要注意信号的路由和长度匹配,以保证信号的质量。
  3. DLPC410到DLPA200接口:通过串行通信端口(SCP)进行命令交换,有多个控制和状态引脚,如A_SCPEN(DLPA200串行总线的低电平有效片选)、A_STROBE(DLPA200控制信号选通)等。DLPA200可根据逻辑控制输入选择不同的输出选项。
  4. DLPA200到DLP650LNIR接口:DLPA200生成VBIAS、VRESET和VOFFSET三种电压,通过微镜时钟脉冲驱动功能以不同顺序提供给DMD的MBRST线,同时VOFFSET也直接作为VCC2提供给DMD。

五、操作模式

(一)DMD块模式

可在单块模式、双块模式、四块模式和全局模式下运行。不同模式下,根据微镜时钟脉冲命令,确定哪些块被“复位”,以实现不同的图像加载和显示方式。例如,单块模式下可对任意单块进行数据加载和复位;双块模式下,DMD的复位块成对分组进行操作。

(二)DMD Load4模式

这是一种特殊的数据加载功能,可在牺牲垂直分辨率的情况下,加快DMD的数据加载速度。但在使用时要注意,由于DMD的每个复位块为50行,不能被4整除,需要采取相应的预防措施。

六、设计要点

(一)功率接口

需要三个直流输入电压:$V{CC}$、$V{CCI}$和$V{CC2}$,通常$V{CC}$和$V{CCI}$可由同一3.3VDC电源提供,$V{CC2}$由DLPA200生成。在设计电源电路时,要确保电压的稳定性和准确性。

(二)布局设计

  1. 阻抗要求:单端信号的目标阻抗为50Ω,LVDS信号之间为100Ω。要确保信号路由的阻抗匹配,除LVDS差分对(D_Xnn、DCLK_Xn和SCTRL_Xn)外,其他信号的阻抗为50Ω ±10%,LVDS差分对的阻抗为100Ω ±10%。
  2. PCB信号路由:信号迹线角不能小于45°,相邻信号层的主要迹线应正交路由。关键信号应按顺序手动路由,避免在电源或接地层上进行信号路由,避免接地层开槽,高速信号迹线不能跨越相邻电源和/或接地层的开槽。
  3. 基准标记:自动组件插入的基准标记应为0.05英寸铜,带有0.1英寸的切口(反焊盘),光学自动插入的基准标记应放置在PCB两侧的三个角上。
  4. DMD接口:DLPC410到DMD的数字接口为LVDS信号,时钟速率高达400MHz,数据速率为800MHz。要确保LVDS信号具有100Ω的差分阻抗,差分信号长度匹配且尽可能短,由于DMD内部有LVDS接收器的并联终端,因此板上不需要额外的终端。
  5. 去耦设计:要在PCB周围分布DLP650LNIR的通用去耦电容,使其与器件电压和接地焊盘的距离最小化。每个去耦电容(推荐0.1µF)需要直接连接到接地和电源平面的过孔,避免组件之间共享过孔。

七、温度计算与控制

(一)微镜温度计算

由于DMD微镜温度无法直接测量,需要通过测量封装外部的参考点温度、硅到陶瓷的热阻、镜到硅的热阻以及内部产生的电功率和照明热负荷等参数,进行解析计算。文档中给出了详细的计算公式和示例,如在均匀照明整个DMD有源阵列和部分DMD有源阵列非均匀照明的情况下,如何计算微镜温度。

(二)温度控制

在设计光学系统时,要尽量减少微镜阵列外的光线,避免光线照射到光学边界和窗口透明孔径外,以降低DMD的热负荷。同时,要确保冷却系统能够将封装温度保持在推荐的工作条件范围内。

八、总结

DLP650LNIR数字微镜器件以其出色的特性和广泛的应用领域,为工业设备的近红外光控制提供了强大的解决方案。在设计过程中,工程师需要严格遵守其技术规格和设计要点,合理选择操作模式,做好温度计算和控制,以确保器件的性能和可靠性。希望本文能为从事相关领域的工程师提供有价值的参考,在实际应用中充分发挥DLP650LNIR的优势。各位工程师在使用DLP650LNIR过程中遇到过哪些问题呢?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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