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电源学会学术年会前沿报告:GaN+HSC解决方案,开启数据中心48V高效转换新纪元

思瑞浦3PEAK 2025-12-10 18:28 次阅读
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日前,第四届中国电力电子与能量转换大会暨展览会、中国电源学会第二十八届学术年会(CPEEC & CPSSC 2025)在深圳圆满落幕。思瑞浦研发团队深度参与,并就数据中心48V供电系统这一关键技术作了相关报告,同时与现场专家进行深入讨论。

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01数据中心的48V革命

在算力需求爆发的时代,数据中心正面临严峻的能耗挑战。以NVIDIA为例,其最新AI基础设施架构白皮书显示,其下一代GPU单机架的功率密度已较2020年的上一代机架增长超100倍,功率达到MW,提升速度接近指数级。功率的激增使得传统12V供电架构已不堪重负。而新兴的48V架构凭借其独特优势,正成为行业新宠。

02

如何高效地把48V变成12V


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传统12V供电架构


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新一代48V供电架构


12V供电架构与48V供电架构对比

传统12V供电架构

新一代48V供电架构

基于在线交流UPS,转换级数多,能效低;

12V母线架构,线损严重。

扩容需要增加整个UPS模块,工程复杂。


分布式48V UPS,减小转换级数;

48V母线架构,线损降低;

按需增加机柜,无缝平滑扩容。

把48V电压高效转换到芯片所需的超低电压(如0.8V-3.3V),是一个行业公认的难题。核心挑战在于:降压幅度越大,传统方案的效率损失就越严重。为此,业界普遍采用“两步走”的分级降压方案:

第一级(48V→12V):由专门的48V总线变换器(IBC)高效完成;

第二级(12V→负载电压):再由靠近芯片的负载点(PoL)变换器精细调节。

这种架构在保证整体效率的同时,优化了系统散热和供电布局。那么,关键的第一步(48V→12V)如何实现?主流方案可分为两大类:

一、硬开关方案

特点:原理直接,设计相对简单,对元器件参数的细微变化不敏感,更易实现。

代表:多相BUCK变换器、混合开关电容(HSC)变换器。

二、软开关方案

特点:理论开关损耗更低,但对参数更敏感,设计复杂度高。

代表:LLC谐振变换器、谐振型开关电容变换器。

其中,混合开关电容(HSC)变换器正成为一种高密度、高效率的热门选择。它与谐振型方案不同,工作在非谐振模式这带来一个突出优势:对电感和电容的精度要求大幅降低,从而简化了电路设计,并有效控制了成本。同时,HSC通过巧妙的结构减少了对大型磁性元件的依赖,为实现更高的功率密度打开了新思路。

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48V IBC实现方案

03

思瑞浦的高效能方案

HSC变换器:利用电容传递能量,配合磁性元件进行滤波,实现了固定的1/4分压,大大减小了被动元件体积。

核心架构包括:

开关电容网络:由多个开关管与飞跨电容组成,负责快速切换电荷,实现降压;

磁性元件:抑制纹波,进一步实现降压,提升功率密度。


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混合开关电容变换器(HSC Converter)


亮点A:采用GaN(氮化镓)器件(EPC2218A),开关频率高达500kHz,速度快、损耗低。

亮点B:创新磁性设计。使用平面变压器,并巧妙利用“漏感”来替代输出滤波电感,进一步压缩体积。

亮点C:思瑞浦的隔离器+GaN驱动方案(TPT7710 + TPM1025),保障了高频下的稳定驱动。

亮点D:思瑞浦的隔离供电方案(TPM6501+TPL8032),保障稳定供电。

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电路原理


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驱动电路数字隔离器+GaN驱动


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辅电:推挽DCDC+LDO


04

实测表现


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VIN=48V稳态运行波形

下图展示了所设计样机的效率曲线。结果表明峰值效率可达97.14%,在输出功率100W至160W范围内,效率均保持在97%以上。


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VIN=48V效率曲线

05

总结

思瑞浦的HSC方案为数据中心电源提供了高密度、高效率的参考设计,解决了从48V母线到中间总线的关键转换难题。

除此之外,思瑞浦还为其他的48V电源砖拓扑提供全栈解决方案,覆盖供电、驱动、功率MOS、采样和保护关键环节,推动智算中心快速迭代。

供电

TPP0003X

TPQ5180

TPL5080

TPL8032



高压同步BUCK

原边反馈Flyback

高压低静态功耗LDO

高压低噪LDO



驱动

TPM27282

TPM27211

TPM27524

TPM21550

TPM1025

TPM6501

高压半桥栅极驱动

高压半桥栅极驱动

双通道低边栅极驱动

双通道隔离栅极驱动

GaN栅极驱动

变压器驱动器

采样/保护

TP5531

TPA191

TPA132

TPCMP27X

TPR6040

TPR33

零漂运算放大器

电流检测放大器

电流检测放大器

高速比较器

并联型电压基准

串联型电压基准

功率MOS

CMSH1080M

CMSH3085M





100V NMOS

30V NMOS





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