EMMI-InGaAs 与 OBIRCH：一分钟教你看懂两款失效定位设备原理与应用

EMMI-InGaAs 与 OBIRCH：主流故障点定位技术的原理与应用

1）微光显微镜（EMMI-InGaAs）

EMMI-InGaAs，又称砷化铟镓微光显微镜，是一种典型的“被动式”光学故障定位技术。它通过捕捉半导体器件内部电子—空穴在异常复合时产生的近红外微弱发光，实现对亮点与热点的精确识别。漏电、PN 结受损、局部击穿等失效通常会伴随微光信号，借助 InGaAs 探测器即可将这些原本不可见的光子清晰呈现。凭借快速、非破坏、定位直观的优势，EMMI 在致晟光电的分析流程中常作为漏电类问题的首选筛查手段，有助于迅速判断失效的大致区域。

2）激光束电阻异常侦测（OBIRCH）

OBIRCH 属于“主动式”热效应定位方法，通过激光在芯片正面或背面扫描，使金属走线上产生轻微温升，从而引发可检测的电阻变化。金属短路、微断路、Via 接触不良等结构性缺陷会在这种热敏响应下表现出明显对比信号。与 EMMI 不同，OBIRCH 不依赖任何光发射，因此更适用于金属通路类问题的精准定位，尤其是在复杂结构或背面分析中表现突出。

审核编辑 黄宇