Onsemi NVBLS1D7N10MC MOSFET：高效性能与可靠设计的完美结合

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一个非常关键的元件，它的性能直接影响到电路的效率和稳定性。今天我们就来详细探讨一下Onsemi公司的NVBLS1D7N10MC这款单通道N沟道功率MOSFET。

文件下载：onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N沟道PowerTrench® MOSFET.pdf

产品概述

NVBLS1D7N10MC专为满足高效功率转换需求而设计，具备100V的耐压能力，极低的导通电阻（RDS(on)）仅为1.8mΩ，能够处理高达265A的连续漏极电流，这些特性使其在众多应用场景中表现出色。同时，它还具有低Qg和电容，可有效降低驱动损耗，并且通过了AEC - Q101认证，符合PPAP要求，能够满足汽车级应用的严格标准。此外，该器件还具有低开关噪声/EMI的优点，并且是无铅产品，符合RoHS标准。

应用场景广泛

根据搜索到的信息，MOSFET具有开关特性好的显著特点，被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源、马达驱动和照明调光等领域。而NVBLS1D7N10MC作为一款高性能的MOSFET，也能在这些场景中发挥重要作用。比如在开关电源设计中，其低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高电源的转换效率；在马达驱动应用里，它能够快速准确地实现开关动作，为马达提供稳定的驱动电流。大家在实际设计中，有没有遇到过因为MOSFET性能不足而导致电路效率低下的情况呢？

关键参数解析

最大额定值

该MOSFET的最大额定值在不同温度条件下有明确规定。例如，在结温(TJ = 25^{\circ}C)时，漏源电压(V{DSS})为100V，连续漏极电流(I_D)在不同散热条件下有不同的值，稳态时，(T_C = 25^{\circ}C)时(I_D)可达265A ，(T_A = 25^{\circ}C)时为32.4A。功率耗散也与温度和散热条件相关，(T_C = 25^{\circ}C)时(P_D)为303W ，(T_A = 25^{\circ}C)时为4.5W。需要注意的是，整个应用环境会影响热阻数值，这些数值并非恒定不变，仅在特定条件下有效。如果实际应用中的温度和散热条件与额定值规定的不同，大家知道该如何进行参数调整吗？

电气特性

• 关断特性：包括漏源击穿电压(V{(BR)DSS}) 、漏源击穿电压温度系数(V{(BR)DSS}/TJ)、零栅压漏极电流(I{DSS})和栅源泄漏电流(I{GSS})等参数。例如，(V{(BR)DSS})在(V_{GS}=0V)，(ID = 250A)时为100V ，(I{DSS})在(V{GS}=0V)，(V{DS}= 100V)，(T_J = 25^{\circ}C)时最大为10μA。
• 导通特性：像栅极阈值电压(V{GS(TH)}) 、阈值温度系数(V{GS(TH)}/TJ)、漏源导通电阻(R{DS(on)})和正向跨导(g{fs})等。其中，(R{DS(on)})在(V_{GS}=10V)，(I_D = 80A)时，典型值为1.5mΩ，最大值为1.8mΩ。
• 电荷和电容特性：涵盖输入电容(C{iss})、输出电容(C{oss})、反向传输电容(C{rss})、总栅极电荷(Q{G(TOT)})等。例如，(C{iss})在(V{GS}=0V)，(f = 1 MHz)，(V_{DS}= 50V)时为9200pF。
• 开关特性：包含开通延迟时间(t_{d(ON)})、上升时间(tr)、关断延迟时间(t{d(OFF)})和下降时间(tf)等。在(V{GS}=10V)，(V_{DS}=50V)，(I_D = 80A)，(RG = 69)的条件下，(t{d(ON)})为48ns。这些参数对于评估MOSFET的开关速度和性能至关重要，大家在设计开关电路时，会重点关注哪些开关特性参数呢？

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，如导通区域特性、转移特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区以及最大漏极电流与雪崩时间关系等曲线。通过这些曲线，我们可以直观地了解MOSFET在不同工作条件下的性能表现。例如，从导通电阻随温度变化曲线中，我们可以预测在不同温度环境下MOSFET的导通电阻变化情况，从而更好地进行热设计。大家在实际应用中，会如何利用这些典型特性曲线来优化电路设计呢？

封装与订购信息

NVBLS1D7N10MC采用H - PSOF8L封装，文档详细给出了该封装的尺寸信息，包括各个引脚和外形的尺寸范围。在订购方面，提供了具体的器件型号和包装形式，如NVBLS1D7N10MCTXG采用2000/Tape& Reel的包装。大家在选择封装时，主要会考虑哪些因素呢，是尺寸、散热还是其他方面？

Onsemi的NVBLS1D7N10MC MOSFET凭借其出色的性能参数和可靠的设计，为电子工程师在功率转换和开关电路设计方面提供了一个优秀的选择。在实际应用中，我们需要根据具体的设计需求，综合考虑各项参数和特性，以充分发挥该MOSFET的优势，设计出高效、稳定的电路。希望以上内容对大家在使用NVBLS1D7N10MC进行电路设计时有所帮助。