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AMC131M03-Q1 汽车级隔离式 ΔΣ ADC 技术总结

科技绿洲 2025-10-28 10:25 次阅读
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AMC131M03-Q1 是一款精密三通道、隔离式、同步采样、24 位、Δ-Σ (ΔΣ) 模数转换器ADC)。AMC131M03-Q1 具有宽动态范围、低功耗,专为汽车应用中的隔离电压和电流测量而设计。由于器件输入阻抗高,ADC输入可以直接连接到电阻分压器网络或分流电流传感器

AMC131M03-Q1 具有完全集成的隔离式 DC/DC 转换器,允许从器件的低端进行单电源作。增强型电容隔离栅已通过 VDE V 0884-17 和 UL1577 认证。该隔离栅将系统中在不同共模电压电平下运行的部件分开,并保护低压部件免受损坏。
*附件:amc131m03-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,T A
  • 三个隔离式同步采样ΔΣ ADC,带差分输入
  • 单电源作(3.3 V 或 5 V),集成 DC/DC 转换器
  • 低 EMI:符合 CISPR-11 和 CISPR-25 标准
  • 编程数据速率高达 64 kSPS
  • 可编程增益高达 128
  • 具有循环冗余校验 (CRC) 功能的 4 线 SPI 接口
  • 安全相关认证:
    • 7070V 峰值增强隔离,符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准
    • 5000V RMS 隔离 1 分钟,符合 UL1577 标准
  • 封装:20引脚宽体SOIC

参数
image.png

方框图

image.png
AMC131M03-Q1 是德州仪器(Texas Instruments)推出的汽车级三通道 24 位隔离式 ΔΣ 模数转换器(ADC) ,集成强化隔离屏障与隔离式 DC/DC 转换器,主打高分辨率、宽温适应性与低电磁干扰(EMI),专为混合动力汽车(HEV)、纯电动汽车(EV)的电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)、DC/DC 转换器及充电站等高压场景设计。其核心优势在于通过二氧化硅(SiO₂)电容隔离实现 7070Vₚₖ强化绝缘,结合三通道同步采样与集成温度传感器,兼顾高压系统安全性与测量精度。以下从核心特性、性能参数、功能模块、应用设计及使用信息等方面展开总结。

一、核心特性与产品定位

1. 基础参数与架构

  • 分辨率与通道配置 :24 位分辨率三通道同步采样 ADC,每通道支持差分模拟输入(AIN0P/AIN0N、AIN1P/AIN12N、AIN2P/AIN12N),集成可编程增益放大器(PGA,增益 1×-128×)与 1.2V 低漂移内部基准源,支持单电源(3.3V/5V)供电,无需额外隔离电源。
  • 汽车级认证与可靠性 :符合 AEC-Q100 Grade 1 标准(工作温度 - 40°C 至 125°C),ESD 防护达人体放电模型(HBM)±2000V、带电器件模型(CDM)±1000V,满足汽车电子严苛环境要求。
  • 隔离性能 :采用 SiO₂电容隔离屏障,符合 DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17)强化绝缘标准,隔离电压达 7070Vₚₖ(峰值)、5000Vₘₛ(1 分钟耐压),隔离电阻>10¹²Ω(25°C),屏障电容约 4.5pF,有效隔离高压与低压系统。
  • 高集成度 :内置隔离式 DC/DC 转换器(低侧供电转高侧 2.9V)、负电荷泵(支持输入电压低于地 1.3V)、数字滤波器、CRC 校验及 集成温度传感器 (支持内 / 外部 NTC/PTC 测量),减少外部元器件数量,简化高压系统设计。

2. 环境适应性与封装

  • 工作温度 :-40°C 至 125°C(结温最高 150°C),满足汽车电子宽温需求,适配发动机舱、电池包等恶劣环境。
  • EMI 性能 :采用扩频时钟技术,符合 CISPR-11(工业)与 CISPR-25(汽车)辐射标准,减少对车载敏感电子设备的干扰。
  • 封装规格 :20 引脚宽体 SOIC(DFM 封装),尺寸 12.8mm×10.3mm,引脚间距 1.27mm,适配汽车电子常规 PCB 布局,无需特殊焊接工艺。

二、关键性能指标

1. 静态与动态性能(典型值,TA=25°C,DVDD=3.3V,增益 = 1×)

性能参数测试条件最小值典型值最大值单位
积分非线性(INL)端点拟合,全量程-6-6ppm of FSR
输入失调误差通道 0/1(外部短路,TA=25°C)-100±10330µV
失调误差温度系数全局斩波模式(通道 0/1)-0.3±0.10.3µV/°C
增益误差通道 0(TA=25°C,端点拟合)-0.2±0.0250.2%FSR
共模抑制比(CMRR)f=50/60Hz,共模电压范围内-110-dB
无杂散动态范围(SFDR)f=50/60Hz,VIN=-0.5dBFS-105-dB
输入等效噪声0.1Hz-10Hz,增益 = 1×-10-µVₘₛ
动态范围(DR)增益 = 1×-98-dB
通道串扰相邻通道间,f=50/60Hz--120-dB

2. 隔离与电源性能

性能参数测试条件数值单位
隔离电压(V₁ₒₜₘ)认证测试,t=60s7070Vₚₖ
工作隔离电压(V₁ₒᵥₘ)AC 正弦波,连续工作1200Vₘₛ
冲击电压(Vᵢₘₚ)1.2/50μs 波形,空气环境7700Vₚₖ
DC/DC 输出电压HLDO_OUT,无负载2.6-2.9-3.2V
低侧供电电流高分辨率模式,所有通道使能19.5-24mA
待机电流所有通道禁用,无时钟160-210µA

3. 温度传感器性能

性能参数测试条件典型值单位
内部温度传感器电压TA=25°C,增益 = 8×80.5mV
温度系数TA=25°C,增益 = 8×265µV/°C
测量误差(未校准)全温度范围,增益 = 8×±5°C
测量误差(校准后)全温度范围,增益 = 8×±1.5°C

三、核心功能模块

1. 隔离系统与电源管理

  • 隔离 DC/DC 转换器 :低侧(DVDD:3.0V-5.5V)供电,通过隔离屏障转换为高侧 HLDO_IN(3.0V),经高侧 LDO 稳压后输出 2.9V(HLDO_OUT),为高侧模拟电路与外部辅助电路(如 NTC 传感器)供电,支持外接 1mA 负载,无需额外隔离电源。
  • 负电荷泵 :集成负电荷泵电路,允许模拟输入电压低于高侧地(HGND)1.3V,实现单电源下的双极性信号测量(如电池包分流器两端电压),避免额外负电源设计。

2. 模拟前端与信号调理

  • 可编程增益放大器(PGA) :每通道独立支持增益 1×、2×、4×、8×、16×、32×、64×、128×,通过 GAIN 寄存器配置,满量程输入电压范围随增益变化(增益 = 1× 时 ±1.2V,增益 = 128× 时 ±9.375mV),适配小信号(如分流器电压)与大信号(如电压分压)测量。
  • 输入保护与阻抗 :模拟输入内置 ESD 防护电路,单端输入阻抗 250kΩ(增益≤4×)、0.5MΩ(增益≥8×),输入偏置电流典型值 0.65μA,减少对外部信号源的负载影响。

3. ΔΣ 调制与数字滤波

  • 调制器与 Oversampling :采用 ΔΣ 调制架构,调制器时钟(f_MOD)由外部 CLKIN 分频得到(分频比 2/4/8/12 可选),过采样率(OSR)可编程(64-16384),数据率最高 64kSPS(高分辨率模式)、32kSPS(低功耗模式),平衡测量速度与噪声性能。
  • 数字滤波器 :集成 sinc³+sinc¹ 滤波器,支持快速建立模式(前两次采样用 sinc¹ 滤波器,快速输出)与正常模式(sinc³ 滤波器,低噪声),滤波器建立时间随 OSR 增加而延长(OSR=1024 时约 3120 个 CLKIN 周期),需忽略未稳定数据。

4. 同步采样与校准

  • 三通道同步 :三通道严格同步采样,支持通道间相位校准(PHASEn 寄存器,±511 个调制器时钟周期),补偿传感器相位偏差(如电流分流器与电压分压网络的相位差),保障电池电流 / 电压同步测量精度。
  • 校准功能 :每通道配备 24 位偏移校准(OCAL)与增益校准(GCAL)寄存器,自动修正系统偏移与增益误差;支持全局斩波模式(GC_EN=1),通过输入极性切换减少偏移漂移,偏移误差温度系数降至 ±0.1μV/°C。

5. 温度测量与 GPO 功能

  • 集成温度传感器 :通道 2 可配置为温度测量模式(TS_EN=1),支持内部温度(芯片温度)或外部温度(NTC/PTC 传感器)测量:
    • 内部模式:基于双二极管结构,测量范围 - 40°C 至 125°C,误差 ±5°C(未校准)/±1.5°C(校准后)。
    • 外部模式:通过 AIN2P/AIN12N 引脚连接 NTC/PTC,支持比率测量(消除高侧电源波动影响),输入阻抗 8MΩ(增益 = 1×)。
  • 通用输出(GPO) :AIN2P 引脚可复用为 GPO(GPO_EN=1),输出逻辑电平基于 HLDO_OUT(2.9V),支持推挽输出,最大负载电流 1mA,可用于控制外部继电器或指示灯。

6. 数字接口与故障管理

  • SPI 接口 :4 线 SPI(CS、SCLK、DIN、DOUT),支持 16/24/32 位数据宽度,内置 CRC 校验(CCITT/ANSI 多项式),检测通信错误;DRDY 引脚指示数据就绪(低有效),SYNC/RESET 引脚支持同步或硬件复位。
  • 故障监测 :STATUS 寄存器提供高侧电源故障(SEC_FAIL)、FIFO 溢出、CRC 错误、寄存器映射 CRC 故障等状态标识;DC/DC 转换器故障可通过 SEC_FAIL 位 latch 检测,保障高压系统安全性。
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