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合科泰MOS管HKTQ50N03的三个核心优势

合科泰半导体 来源:合科泰半导体 2025-10-16 09:40 次阅读
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引言

在低压大电流设计的时候,想要省成本、缩体积,所以想省个散热器,但是又怕过热炸管子;大封装倒是散热好了,结果又占了半块PCB板。两难抉择下,怎么选择MOS都是坑。今天就给大家扒一款无散热器也能裸奔的MOS管HKTQ50N03,解决两难痛点!

HKTQ50N03无散热设计的三个核心优势

1.超低内阻:HKTQ50N03的导通电阻低至1.8mΩ(@10V),比行业同类产品低15%,MOS管发热的本质是电路导通损耗,在50A电流下计算导通损耗I²R=4.5W,比竞品少的1W意味着温升直降10-15℃,代表使用这款MOS管不用散热器也能抗住。

2.超低热阻:HKTQ50N03通过优化封装工艺,让铜框架与芯片用银浆贴合,使得热阻降低到45℃/W。越低的内阻代表着越快的散热,而很多时候之所以热量散不出去、结温飙升,就是因为热阻太高。而45℃/W的热阻意味着每瓦功耗下,温升才45℃!

3.高冗余结温:HKTQ50N03的结温上限175℃,这个数字比行业标准150℃还高25℃。在车载、工业设备等环境的60℃高温下,结温能控制在78℃,远低于这款MOS管的极限值,长期下来运行更稳定、更持久!

无散热器实验验证

通过四管并联的场景测试损耗、计算温升、测试结温安全值,我们发现只要普通面积大于十平方厘米,并且打三到五个连到内层地铜箔的导热过孔,满足这两个条件就能在没有散热器的情况下抗住55A的短时脉冲电流。测试结果如下:

总损耗:四管均流,单管损耗仅0.405W;

温升计算:0.405W×45℃/W≈18℃(单管);

结温安全值:环境温度60℃+18℃=78℃,远小于175℃极限。

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结语

HKTQ50N03的“低损耗+高导热”特性,完美匹配低压大电流场景。合科泰专注低压大电流MOS管研发,用技术解决工程师的“设计痛点”,让每一次选型都更安心。

公司介绍

合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。专注提供高性价比的元器件供应与定制服务,满足企业研发需求。

产品供应品类:覆盖半导体封装材料、电阻/电容/电感等被动元件;以及MOSFETTVS肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件,电源管理IC及其他,一站式配齐研发与生产所需。

两大智能生产制造中心:华南和西南制造中心(惠州7.5万㎡+南充3.5万㎡)配备共3000多台先进设备及检测仪器;2024年新增3家半导体材料子公司,从源头把控产能与交付效率。

提供封装测试OEM代工:支持样品定制与小批量试产,配合100多项专利技术与ISO9001、IATF16949认证体系,让“品质优先”贯穿从研发到交付的每一环。

合科泰在始终以“客户至上、创新驱动”为核心,为企业提供稳定可靠的元件。

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原文标题:不用散热器的MOS管HKTQ50N03?低压大电流的秘诀

文章出处:【微信号:合科泰半导体,微信公众号:合科泰半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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