高频开关eGaN®功率晶体管、极小型化及增强了效率的电源转换方案

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

宜普公司的EPC9130五相开发板展示出采用高频开关eGaN®功率晶体管、极小型化及增强了效率的电源转换方案。

宜普电源转换公司(EPC)的EPC9130开发板是一款48 V转换至12 V的非隔离稳压式开发板、具用五个相位、每相具12 A、最大输出电流为60安培，开发板的输出功率可以超过700 W。该板具超高功率密度（每立方英寸大于1250 W），其效率高于96%。

EPC9130开发板有五个相位、在半桥配置中包含两个100 V的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）EPC2045及采用uPI 半导体公司的 up1966A 栅极驱动器。发送至栅极驱动器的 PWM 信号由板载 Microchip dsPIC33 微控制器发出。该板包含所有关键元器件，采用可实现最佳开关性能的布局 – 物料清单/成本是每瓦（Watt）低于0.06美元。

各种新兴运算应用都需要更大的功率及更小的外型尺寸。除了服务器市场不断扩大外，其它的应用包括多人游戏系统、全自动汽车、人工智能及比特币挖矿。面对这些应用的要求及挑战，EPC9130大大提升48 V转换至12 V的DC/DC转换器的功率密度而同时使得转换器更小型化、成本更低。

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow 说：“这种DC/DC系统的功率密度每立方英寸超过1250 W，而效率则高于96%，这是这种电源转换器前所未有的优势。最引人注目的是，元件的成本为每瓦低于0.06美元，比目前投产的系统还要低很多。”