全球前五大NAND厂商表示，近几年NAND位出货量平均增长速率为40%

2018年5月，美光在其2018年分析师与投资者活动上给出一个数据，按闪存位出货量（bit volume shipments）每年增长40%进行产能规划所需资本支出金额，IC Insights则提供了NAND行业每年资本支出的实际金额，这两个数据对比很有意思。

如图所示，美光认为，满足位出货量年增40%需求所需资金量增长极快，从2015年的90亿美元，到2017年220亿美元，两年时间里，翻番还要多。资本支出急剧攀升是因为NAND行业正在从平面NAND转向3D NAND，与平面工艺相比，3D NAND需要更多的半导体设备，以及额外的洁净空间，才能够处理相对平面工艺增加的器件附加层。

全球前五大NAND厂商都表示，近几年NAND位出货量平均增长速率为40%。如图所示，2017年实际资本支出比预期资本支持（按位出货量40%计算）增长27%，IC Insights预计2018年实际支出将比预期支出增加41%。（2017年位出货量同比增长41%，不过从2018年初到现在，位出货量只增长30%）

用于扩充产能的资本支出超出市场实际需求，毫无疑问，将导致NAND闪存价格下滑。实际上，自2018年开始，NAND闪存价格已现疲弱。而且，价格走软有望从2018年下半年一直持续到2019年。

历史经验表明，价格下滑往往跟随存储器市场过度资本支出而至。伴随三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/西部数据/Sandisk，以及武汉新芯/长江存储等都计划未来几年大幅增加3D NAND闪存产能，在加上可能有中国新厂商还想杀入NAND市场，IC Insights认为，3D NAND实际资本支出远超位出货量增长所需资本支出的可能性将越来越高。