Texas Instruments CD74HC73/CD74HCT73双路J-K触发器采用硅栅极CMOS技术,实现与LSTTL零件相当的工作速度。这些器件具有低功耗标准CMOS集成电路,以及驱动10个LSTTL负载的能力。
数据手册:*附件:Texas Instruments CD74HC73,CD74HCT73双路J-K触发器数据手册.pdf
Texas Instruments CD74HC73/CD74HCT73触发器具有独立的 J、K、复位和时钟输入以及Q和Q输出。这些器件在时钟脉冲的负向转换中更改状态。R复位通过低电平输入异步完成。该器件在功能上与HC/HCT107相同,但在端子分配和某些参数极限值方面有所不同。HCT逻辑系列与标准LS逻辑系列功能和引脚兼容。
特性
- 时钟输入上的迟滞,可提高抗噪性并延长输入上升和下降时间
- 异步复位
- 互补输出
- 缓冲输入
- 典型f
MAX=60MHz(VCC=5V、CL=15pF、TA=25°C时) - 扇出(超温范围)
- 标准输出:10个LSTTL负载
- 总线驱动器输出:15个LSTTL负载
- 宽工作温度范围: –55°C至125°C
- 平衡传播延迟和转换时间
- 与LSTTL逻辑IC相比,显著降低了功耗
- HC类型
- 2 V 至 6 V 操作
- 高抗噪性:V
CC=5V时,NIL=30%,NIH=VCC的30%
- HCT类型
- 4.5 V 至 5.5 V 操作
- 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V
IL=0.8V(最大值),VIH=2V(最小值) - CMOS输入兼容性,电压为V
OL、VOH时,II≤1µA
功能方框图

CD74HC73/CD74HCT73双路J-K触发器技术解析与应用指南
1. 器件概述
Texas Instruments的CD74HC73和CD74HCT73是采用硅栅CMOS工艺设计的双路J-K触发器,兼具高速操作(等效于LSTTL器件)和低功耗特性。两款器件均支持负边沿触发,并配备异步复位功能,适用于噪声敏感环境和高负载驱动场景。
- HC系列:工作电压范围2V至6V,兼容标准CMOS电平。
- HCT系列:工作电压4.5V至5.5V,直接兼容LSTTL逻辑电平(如VIL=0.8V max, VIH=2V min)。
2. 关键特性
2.1 性能参数
- 时钟抗噪能力:时钟输入内置迟滞功能,提升抗噪性并允许较慢的输入上升/下降时间(典型值tr/tf=6ns)。
- 高速操作:典型fMAX=60MHz(VCC=5V, CL=15pF, TA=25℃)。
- 驱动能力:
- 标准输出:驱动10个LSTTL负载
- 总线驱动输出:支持15个LSTTL负载
- 宽温范围:-55℃至125℃(军用级可靠性)。
2.2 低功耗设计
相比传统LSTTL逻辑器件,功耗显著降低,静态电流极低(HCT类型输入漏电流II≤1μA)。
3. 功能与工作模式
3.1 功能框图
器件包含两个独立的J-K触发器单元,每个单元具有:
- J、K输入:数据输入,上升沿锁存。
- CP(时钟)输入:负边沿触发。
- 异步复位(R) :低电平有效,直接清除输出(Q=L, Q̅=H)。
- 互补输出(Q和Q̅) :提供反相逻辑信号。
3.2 真值表
| R | CP | J | K | Q | Q̅ |
|---|---|---|---|---|---|
| L | X | X | X | L | H |
| H | ↓ | L | L | 保持 | 保持 |
| H | ↓ | H | L | H | L |
| H | ↓ | L | H | L | H |
| H | ↓ | H | H | 翻转 | 翻转 |
4. 电气规格与设计建议
4.1 电源与布局
- 电源去耦:每个VCC引脚需就近放置0.1μF旁路电容,建议并联1μF电容以抑制多频段噪声。
- 未用输入处理:必须连接至高电平或低电平,避免浮空导致逻辑状态不确定。
4.2 时序参数
- 传播延迟:CP到Q的延迟tPLH/tPHL典型值13ns(VCC=5V, CL=15pF)。
- 建立/保持时间:J/K信号需在时钟下降沿前至少16ns稳定(HCT系列)。
5. 封装与选型
| 型号 | 封装类型 | 尺寸(mm) | 适用场景 |
|---|---|---|---|
| CD74HC73M | SOIC-14 | 8.65×3.90 | 高密度PCB布局 |
| CD74HCT73E | PDIP-14 | 19.31×6.35 | 原型设计/手工焊接 |
| CD54HC73F | CDIP-14 | 19.55×6.71 | 军用/高温环境 |
6. 典型应用场景
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