‌SN74SSTVF16857 14位注册缓冲器技术文档总结

该14位寄存器缓冲器设计用于2.3V至2.7V VCC操作。

除LVCMOS复位（RESET）输入外，所有输入均为SSTL_2。所有输出均为边沿控制电路，针对未端接的DIMM负载进行了优化，并符合SSTL_2 I类规范。
*附件：sn74sstvf16857.pdf

SN74SSTVF16857采用差分时钟（CLK和CLK）工作。数据在 CLK 走高和 CLK 走低的交叉点处记录。

该器件支持低功耗待机作。当RESET为低电平时，差分输入接收器被禁用，未驱动（浮动）数据、时钟和基准电压（V 裁判 ） 输入。此外，当RESET为低电平时，所有寄存器都被复位，所有输出都被强制为低电平。LVCMOS RESET输入必须始终保持在有效的逻辑高电平或低电平。

为确保在提供稳定时钟之前从寄存器获得定义的输出，RESET在上电期间必须保持低电平状态。

特性

• 德州仪器 （TI） Widebus™ 系列成员
• 工作电压范围为 2.3 V 至 2.7 V，适用于 PC1600、PC2100 和 PC2700;2.5 V 至 2.7 V，适用于 PC3200
• 引脚排列和功能与 JEDEC 标准SSTV16857兼容
• 在 PC2700 DIMM 应用中，比 JEDEC 标准SSTV16857快 600 ps（同时切换）
• 输出边沿控制电路可最大限度地降低未端接 DIMM 负载中的开关噪声
• 输出符合SSTL_2 I 类规格
• 支持SSTL_2数据输入
• 差分时钟（CLK和CLK）输入
• 支持 RESET 输入上的 LVCMOS 开关电平
• RESET输入禁用差分输入接收器，复位所有寄存器，并强制所有输出为低电平
• 流通架构优化了PCB布局
• 闩锁性能超过 100 mA，符合 JESD 78，II 类标准
• ESD 保护超过 JESD 22
  • 2000-V 人体模型 （A114-A）
  • 200V 机器型号 （A115-A）
  • 1000V 充电设备型号 （C101）

参数

‌1. 核心功能‌

• ‌器件类型‌：14位注册缓冲器，专为DDR SDRAM模块（DIMM）设计，支持PC1600/2100/2700/3200标准。
• ‌关键特性‌：
  • 工作电压范围：2.3V–2.7V（PC1600/2100/2700）或2.5V–2.7V（PC3200）。
  • 兼容JEDEC标准SSTV16857，性能提升600 ps（PC2700应用）。
  • 输出边缘控制电路减少未端接DIMM负载的开关噪声。
  • 支持SSTL_2 Class I输入/输出规范，LVCMOS电平的RESET输入。

‌2. 电气特性‌

• ‌输入/输出规范‌：
  • 差分时钟输入（CLK/CLK），数据在CLK上升沿和CLK下降沿交叉时锁存。
  • RESET低电平时禁用差分接收器，复位所有寄存器并强制输出低电平。
• ‌功耗与保护‌：
  • 静态电流（待机）：≤10 µA；动态电流（时钟运行）：≤25 mA。
  • ESD保护：2000V人体模型（HBM）、200V机器模型（MM）、1000V充电器件模型（CDM）。

‌3. 时序与性能‌

• ‌时钟频率‌：最高250 MHz（PC1600–PC3200）。
• ‌传播延迟‌：1.1 ns（典型值），最大2.6 ns。
• ‌关键时序参数‌：
  • 建立时间（tsu）：0.75 ns（快速斜率）或0.9 ns（慢速斜率）。
  • 保持时间（th）：同建立时间要求。

‌4. 封装与订购信息‌

• ‌封装类型‌：48引脚TSSOP（DGG），符合JEDEC MO-153标准。
• ‌订购型号‌：SN74SSTVF16857GR（卷带包装，2000片/卷）。
• ‌工作温度‌：0°C至70°C。

‌5. 应用场景‌

• 适用于高速内存模块（如DDR DIMM）的信号缓冲与驱动。
• 优化PCB布局的流式架构，降低信号完整性风险。