‌SN74SSTVF16859 13位至26位注册缓冲器技术文档总结

该13位至26位寄存器缓冲器设计用于2.3V至2.7V VCC操作。

除LVCMOS复位（RESET）输入外，所有输入均为SSTL_2。所有输出均为边沿控制LVCMOS电路，针对未端接的DIMM负载进行了优化。

SN74SSTVF16859使用差分时钟（CLK和CLK）工作。数据在CLK变高和CLK变为低电平的交叉点处注册。
*附件：sn74sstvf16859.pdf

该器件支持低功耗待机作。当RESET为低电平时，差分输入接收器被禁用，未驱动（浮动）数据、时钟和基准电压（V 裁判 ）输入。此外，当RESET为低电平时，所有寄存器都被复位，所有输出都强制为低电平。LVCMOS RESET输入必须始终保持在有效的逻辑高电平或低电平。

为确保在提供稳定时钟之前从寄存器获得定义的输出，RESET在上电期间必须保持低电平状态。

特性

• 德州仪器 （TI） Widebus™ 系列成员
• 工作电压为 2.3 V 至 2.7 V，适用于 PC1600、PC2100 和 PC2700
• 工作电压范围为 2.5 V 至 2.7 V，适用于 PC3200（QFN 封装）
• 引脚排列和功能与 JEDEC 标准SSTV16859兼容
• 在 PC2700 DIMM 应用中，比 JEDEC 标准SSTV16859快 600 ps（同时切换）
• 1 对 2 输出，支持堆叠式 DDR DIMM
• 输出边沿控制电路可最大限度地降低未端接线路中的开关噪声
• 输出符合SSTL_2 I 类规格
• 支持SSTL_2数据输入
• 差分时钟（CLK和CLK）输入
• 支持 RESET 输入上的 LVCMOS 开关电平
• RESET输入禁用差分输入接收器，复位所有寄存器，并强制所有输出为低电平
• 引脚排列优化了 DIMM PCB 布局
• 闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78，II 类标准
• ESD保护超过JESD22
  • 2000-V 人体模型 （A114-A）
  • 200V 机器型号 （A115-A）
  • 1000V 充电设备型号 （C101）

参数

‌1. 核心特性‌

• ‌高性能缓冲‌：支持2.3V-2.7V（PC1600/2100/2700）和2.5V-2.7V（PC3200）供电
• ‌兼容性‌：引脚和功能兼容JEDEC标准SSTV16859，性能提升600ps（PC2700应用）
• ‌输出设计‌：1-to-2输出拓扑支持堆叠DDR DIMM，边缘控制电路降低无端接线路噪声
• ‌接口标准‌：输入符合SSTL_2规范，RESET支持LVCMOS电平
• ‌可靠性‌：闩锁性能>100mA（JESD 78 Class II），ESD防护达2000V HBM

‌2. 关键参数‌

• ‌电气特性‌：
  • 输出高电平1.95V（典型值@8mA）
  • 静态电流10μA（最大），动态功耗19μA/MHz
  • 输入电容3.5pF（典型值）
• ‌时序性能‌：
  • 最高时钟频率500MHz
  • 传播延迟1.1ns（QFN封装）
  • 建立/保持时间0.65ns（快斜率）

‌3. 封装与订购‌

• ‌封装选项‌：
  • 56引脚QFN（RGQ）：2mm×2mm，热阻22°C/W
  • 64引脚TSSOP（DGG）：热阻55°C/W
• ‌型号标识‌：
  • SN74SSTVF16859GR（TSSOP带卷）
  • SN74SSTVF16859SR（QFN锡铅镀层）

‌4. 功能控制‌

• ‌复位机制‌：
  • RESET低电平时禁用差分接收器，强制输出低电平
  • 上电期间需保持RESET低电平
• ‌时钟要求‌：
  • 差分时钟输入（CLK/CLK）
  • 最小脉冲宽度1ns

‌5. 应用设计要点‌

• ‌PCB布局‌：优化DIMM布局，中心焊盘必须接地（QFN封装）
• ‌电源设计‌：需配置VREF（VDDQ/2）参考电压
• ‌信号完整性‌：建议输入信号斜率≥1V/ns，输出压摆率1-4V/ns