‌TPIC6596 8位功率移位寄存器技术文档总结

该TPIC6596是一款单片、高压、大电流功率的8位移位寄存器，设计用于需要相对高负载功率的系统。该器件在输出端包含一个内置电压钳位，用于电感瞬态保护。功率驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中电流或高压负载。

该器件包含一个 8 位串行输入、并行输出移位寄存器，该寄存器为 8 位 D 型存储寄存器供电。数据分别通过移位寄存器时钟 （SRCK） 和寄存器时钟 （RCK） 上升沿的移位寄存器和存储寄存器传输。当移位寄存器清除 （SRCLR） 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。写入数据和读取数据仅在 RCK 较低时有效。当SRCLR为低电平时，器件中的所有寄存器都被清除。当输出使能（G）保持为高电平时，输出缓冲器中的所有数据都保持为低电平，并且所有漏极输出都关断。当G保持低电平时，来自存储寄存器的数据对输出缓冲器是透明的。串行输出 （SER OUT） 在 SRCK 的下降沿从器件中时钟输出，为级联应用提供额外的保持时间。这为时钟信号可能偏斜、设备彼此不靠近或系统必须承受电磁干扰的应用提供了更高的性能。
*附件：tpic6596.pdf

输出为低侧漏极开路DMOS晶体管，输出额定值为45V，连续灌电流能力为250mA。当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS晶体管输出关断。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有灌电流能力。

提供单独的电源和逻辑电平接地引脚，以促进最大的系统灵活性。引脚 1、10、11 和 20 是内部连接的，每个引脚必须外部连接到电源系统接地，以尽量减少寄生电感。引脚 19 逻辑接地 （LGND） 和引脚 1、10、11 和 20 电源接地 （PGND） 之间的单点连接必须以减少逻辑和负载电路之间串扰的方式进行外部连接。该TPIC6596的表征是在−40°C至125°C的工作温度范围内工作。

特性

• 低rDS（on）：1.3Ω（典型值）
• 雪崩能量：75mJ
• 八个功率 DMOS 晶体管输出，连续电流为 250mA
• 每个输出 1.5A 脉冲电流
• 45V 时的输出钳位电压
• 增强的多级级联，所有寄存器均通过单个输入清除
• 低功耗

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌低导通电阻‌：典型值1.3Ω，支持高效功率传输。
• ‌高电流输出‌：每路输出250mA连续电流，1.5A脉冲电流，45V输出钳位电压。
• ‌级联功能‌：通过串行输出（SER OUT）支持多级联，单次输入即可清除所有寄存器。
• ‌低功耗设计‌：优化逻辑与功率地分离（LGND/PGND），减少串扰。

‌2. 关键应用场景‌

• ‌汽车电子‌：仪表盘集群、指示灯控制。
• ‌工业驱动‌：继电器、电磁阀驱动。
• ‌LED控制‌：照明系统及动态调光。

‌3. 功能描述‌

• ‌数据流控制‌：
  • 8位串入并出移位寄存器，数据在SRCK上升沿移位，RCK上升沿存储。
  • SRCLR低电平时清除所有寄存器，G引脚控制输出使能（低电平有效）。
• ‌保护机制‌：
  • 内置45V输出钳位，75mJ雪崩能量保护，防止感性负载瞬态损坏。

‌4. 电气参数‌

• ‌工作电压‌：4.5V–5.5V（逻辑电源VCC）。
• ‌温度范围‌：-40°C至125°C。
• ‌开关特性‌：
  • 传播延迟（tPLH/tPHL）≤650ns，串行时钟频率最高5MHz。

‌5. 封装与型号‌

• ‌封装选项‌：20引脚SOIC（DW）或PDIP（N），尺寸分别为12.8mm×7.5mm和25.4mm×6.35mm。
• ‌型号示例‌：TPIC6596DWRG4（SOIC带卷装）、TPIC6596N（PDIP管装）。