Arm和三星代工厂携手推进7nm先进工艺

在超深亚微米工艺节点创新方面已合作多年的 Arm与三星代工厂宣布双方合作之旅的新里程碑：为期待已久的极紫外 (EUV)光刻技术，提供首款 7LPP (7nm Low Power Plus)和5LPE (5nm Low Power Early)库面市。这是 Arm与三星代工厂12 年成功合作旅程的最新成果，双方从 65nm工艺开始不断推出新技术和产品库，利用Arm独特的IP集成能力，三星代工厂可使用Arm物理和处理器IP验证其最顶级节点的设计就绪状态。

三星代工厂的EUV特性和优点

EUV是芯片设计的重要变革。它可降低7nm设计实施的复杂性。制造商可将三个或四个光刻层变为一个光刻层，并将多个图层变成单个图层，从而大大缩短处理周期时间，缩小芯片尺寸。此外，由于采用比多色图层更严格的设计规则，EUV还可实现更紧凑的布局。

三星代工厂最新的 7LPP EUV制造工艺采用高能EUV光源生产具有超精细设备特性的芯片，临界尺寸只有7nm。作为对比，常见的病毒细胞为10nm宽，微观DNA链的宽度约为2.5nm，而一个硅原子的宽度略低于1nm。

“三星电子市场营销副总裁 Ryan Lee表示：“7LPP和5LPE工艺技术可实现EUV光科技术的优势， 同时降低这些先进技术节点的布局复杂性和设计开发时间。通过在开发初期与Arm合作，并借助各种设计技术联合优化技巧 ，我们优化了制造和设计流程。针对7LPP和5LPE的Arm Artisan IP基础平台就是建立在这种合作之上的，客户能够提前获取我们针对下一代设计的差异化EUV解决方案。”

除了这一先进技术之外，三星最近还推出了SAFE™（三星高级代工厂生态系统）计划，以期提供全面的设计解决方案。Arm是SAFE™ 计划的战略成员之一，为生态系统和客户提供领先的联合优化物理IP解决方案，以期增强下一代SoC设计。

基于三星7LPP的物理IP平台概述

三星代工厂在市场上率先使用 7nm EUV工艺。由三星代工厂赞助的Arm Artisan物理IP综合平台将于今年年底开始供货。Arm正在开发HD逻辑架构、全套内存编译器、1.8V和3.3V GPIO库，同时还针对我们的最新处理器内核提供采用DynamIQ技术的POP IP解决方案。POP IP是一项核心硬件加速技术，可以實現最佳Arm处理器的生产，在最短的时间内上市。

该平台将于 2018年下半年可以提供我们的主要客户进行设计。针对 7LPP的Arm Artisan物理IP用于支持低电压运行，以便存储器和位单元能够在低至0.55V的电压条件下运行。

基于三星5LPE的物理IP平台概述

除了 7LPP EUV，三星代工厂还利用EUV优势和其他面积优势设计了首款5LPE。5LPE节点不仅具有面积优势，还可实现轻松布局，这是最大的EUV优势。

除了全套内存编译器和 GPIO库，Arm还在开发另一个适用于5LPE的UHD逻辑架构。我们的平台产品中还将添加其他适用于下一代高级内核的POP IP产品，包括对Arm big.LITTLE配置的支持。

Arm Artisan IP供货

Arm 7LPP物理IP平台将从2018年第3季度开始供货，面向移动、消费、高性能计算和汽车领域的主要客户设计。5LPE物理IP平台产品将于2019年年初开始供货。更多信息，请联系 Arm物理设计部门或点击“阅读原文”访问Arm物理 IP页面。