‌LM185/LM285/LM385-2.5-N系列微功耗电压基准芯片技术文档总结

‌1. 产品概述‌

• ‌型号系列‌：LM185-2.5-N、LM285-2.5-N、LM385-2.5-N，均为2端带隙电压基准芯片。
• ‌关键特性‌：
  • ‌高精度‌：A级初始容差±20mV（±0.8%）。
  • ‌宽工作电流‌：20μA至20mA。
  • ‌低动态阻抗‌：0.6Ω（A级）。
  • ‌低温漂‌：优化温度稳定性。
  • ‌低噪声‌：长期稳定性优异。
    *附件：lm285-2.5-n.pdf

‌2. 技术参数‌

• ‌电气特性‌：
  • 基准电压：2.5V（典型值），1.2V和可调型号可选。
  • 工作温度范围：
    • LM185：-55°C至125°C（军用级）。
    • LM285：-40°C至85°C（工业级）。
    • LM385：0°C至70°C（商业级）。
  • 封装选项：TO-92、SOIC、SOT-23、LCCC（芯片载体）。

‌3. 应用设计‌

• ‌典型电路‌：
  • 宽输入范围参考源（图15）。
  • 9V电池微功耗参考（图16）。
  • 精密电流源（1μA至1mA）。
  • 温度传感器（0°C–100°C热电偶补偿，图22）。
• ‌优势‌：
  • 低功耗延长电池寿命，适用于便携仪表、模拟电路。
  • 抗电容负载能力强，易集成。

‌4. 封装与生产信息‌

• ‌封装规格‌：
  • TO-92（直插/弯脚）、SOIC-8、SOT-23等。
  • 引脚定义与焊盘设计参考JEDEC标准。
• ‌可靠性‌：
  • ESD防护有限，需防静电操作。
  • 长期稳定性数据：1000小时老化后漂移<20ppm。

‌5. 修订与支持‌

• 最新修订（2024年8月）更新封装图纸和材料信息。
• 提供军用级（RETS185H-2.5）定制选项。

‌附件说明‌
文档包含完整性能曲线、封装尺寸图（如TO-92底部视图）、校准步骤及TI生产数据（RoHS合规）。