0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

世界先进目前掌握足够硅晶圆,不会有缺货问题

中国半导体论坛 来源:未知 作者:李倩 2018-06-19 16:37 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

晶圆代工大厂世界先进14日召开股东会,面对硅晶圆供货吃紧与涨价问题,竞争对手联电已首度表示会将硅晶圆涨价所造成的成本增加部分转嫁给客户,采取一次涨足策略,董事长方略则说,世界先进与供应商、客户多年来合作关系良好,目前掌握足够硅晶圆,不会有缺货问题,硅晶圆涨价问题则会持续与客户沟通,会采取机动因应策略,适时反应成本。

方略表示,2018年全球GDP成长较2017年为佳,估达3.7%的水准,半导体产业整体产值成长约可成长4%,达4,270亿美元规模,而晶圆代工领域在先进制程需求的带动下,约有3%的成长,达590亿美元,其中有162亿美元来自8英寸晶圆代工的贡献,约有2%的年成长率,整体而言,整体经济情势稳定,加上世界先进接单畅旺,8英寸产能满载,乐观看待下半年运营表现。

此外,世界先进在显示器相关驱动IC,电源管理IC 和分离式功率元件的运营已见绩效,为了分散产品及市场集中度,进一步降低运营风险,目前积极往高毛利市场耕耘,除既有的高压模拟、BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)、超高压制程外,也持续加速感测元件、指纹辨识IC、高功率电源管理IC和嵌入式存储器平台等计划的执行,以因应节能减碳时代的来临且满足车用电子和物联网市场需求。

同时也全力引进更多IDM客户群,提高国外客户比重的计划也将持续进行,希望借由深化客户长期伙伴关系,进而确保特殊晶圆代工的领先地位,并成为全球晶圆代工领域中高压及功率半导体制程的领导厂商之一。

而对于近期挖矿需求降温,方略则说,世界先进专注特殊晶圆代工领域,主要提供各类制程与客户设计生产电源管理IC与LCD面板驱动IC等各项运用,并持续与客户合作开发BCD以及高压/超高压的制程,而挖矿用的特殊应用芯片(ASIC)主要是采用先进制程,为高速运算芯片,世界先进并未着墨太多,因此需求升跌并未带来影响。

只有8英寸晶圆厂的世界先进,目前产能持续满载,基于客户需求和未来成长性,方略表示已积极评估各种成长方向,除现有3座8英寸晶圆厂会采取提升效率等方式持续扩充产能外,新建或购买12英寸厂也是评估选项之一,但目前仍未确定。

2017年运营状况方面,由于受到新台币汇率变动的影响,世界先进合并营收为新台币249.1亿元,较2016年258.3亿元减少3.6%。此外,全年平均毛利率约32%,税后净利约45亿元,每股税后(EPS) 2.73元,不及2016年3.35元。

2017年全年资本支出约为新台币18亿元,全年生产产能约为234.2万片,年增4%,产能利用率89%,晶圆出货量达到209万片。为持续提升制程技术及进行产能扩充,2018年资本支出预估略增至新台币21亿元,预估2018年产能为239.2万片,年增2%。

受到电源管理IC客户库存调整及新台币升值等影响,世界先进2018年第1季合并营收约为64.25亿元,较2017年第4季略增0.8%,与2017年同期相比小幅成长2.6%,毛利率32.2%,较2017年第4季33.9%减少1.7个百分点,税后净利11.48亿元,季减5.7%,年减0.2%,EPS 0.7元,略低于2017年第4季0.74%,与2017年同期持平。

展望第2季,随着电源IC客户库存调整结束,需求逐步回升,以及IT面板受惠电竞需求成长,驱动IC相对稳定,世界先进预估合并营收约介于67亿~71亿元之间,毛利率约31.5~33.5%,营业利益率介于21~23%之间,第2季产能将较首季增加6%,单月约19.8万片。

整体技术发展方面,显示器驱动芯片的技术开发部分,0.2微米、0.18微米、0.15微米、0.11微米高压制程,以及专供于触控面板的0.16微米及0.18微米附加嵌入式非挥发性存储器的高压制程均已导入量产;电源管理IC的BCD制程部分,0.5微米、0.4微米、0.35微米、0.25微米、0.15微米及0.11微米BCD制程均已导入量产。更新第二代的0.5微米超低导通阻值、制程精简的超高压和0.25微米SOI制程也已完成开发,并与特定客户完成产品设计及进行量产。此外,0.5/0.4微米SOI制程也已通过车用电子相关验证,累积出货量已达一定规模,深耕车用电子市场效益渐显;另应用于电容式指纹辨识的0.18um/0.15um IC制程已导入量产,而应用于光学式指纹辨识的0.18um IC制程,已有客户开发完成,并顺利整合在智能手机上,成功展现最新的光学式指纹辨识功能。

另受关注的是,5G高频率特性让氮化镓(GaN)半导体制程成为功率放大器(PA)市场主流技术, GaN功率元件也开始应用在车联网及电动车领域。据了解,世界先进于2015年开始投入开发GaN技术,与设备材料厂Kyma、转投资GaN矽基板厂QROMIS合作,2017年底已成功试产8英寸GaN晶圆,但目前仍有新材料与成本等问题待克服,预计2019年才会明显放量。

在全球晶圆代工营收及排名方面,据调研机构Gartner统计,2017年全球晶圆代工(含Pure Play和IDM)市占龙头为台积电,营收成长9%,市占率小幅衰退至53.8%,GlobalFoundries以8.9%市占位居第二,紧追在后的联电是8.2%,三星电子(Samsung Electronics)与中芯国际分居四、五名,而TowerJazz透过购并产能及产品组合优化,年营收成长14%为第六名,力晶科技则以1.9%市占位居第七名,世界先进位居第九名,市占率约1.4%。

世界先进股东会14日股东会通过2017年财报及盈余分派案,EPS为2.75元,每股配发3元现金股利。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 存储器
    +关注

    关注

    39

    文章

    7756

    浏览量

    172181
  • 硅晶圆
    +关注

    关注

    4

    文章

    276

    浏览量

    22193
  • 驱动芯片
    +关注

    关注

    14

    文章

    1690

    浏览量

    58104

原文标题:硅晶圆供货吃紧,世界先进:货源充足

文章出处:【微信号:CSF211ic,微信公众号:中国半导体论坛】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    测试的关键核心:高性能光学耦合方案解析

    光芯片量产的核心瓶颈在于级测试,其效率取决于光信号能否被高效、精准地耦合至芯片。
    的头像 发表于 03-16 17:17 533次阅读
    <b class='flag-5'>硅</b>光<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>测试的关键核心:高性能光学耦合方案解析

    SOI片的结构特性及表征技术

    SOI片结构特性由层厚度、BOX层厚度、Si-SiO₂界面状态及薄膜缺陷与应力分布共同决定,其厚度调控范围覆盖MEMS应用的微米级至先进CMOS的纳米级。
    的头像 发表于 12-26 15:21 791次阅读
    SOI<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>片的结构特性及表征技术

    大尺寸槽式清洗机的参数化设计

    大尺寸槽式清洗机的参数化设计是一个复杂而精细的过程,它涉及多个关键参数的优化与协同工作,以确保清洗效果、设备稳定性及生产效率。以下是对这一设计过程的详细阐述:清洗对象适配性
    的头像 发表于 12-17 11:25 673次阅读
    大尺寸<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>槽式清洗机的参数化设计

    共聚焦显微镜在半导体检测中的应用

    半导体制造工艺中,经棒切割后的尺寸检测,是保障后续制程精度的核心环节。共聚焦显微镜凭借其高分辨率成像能力与无损检测特性,成为检测过程的关键分析工具。下文,光子湾科技将详解共聚焦
    的头像 发表于 10-14 18:03 763次阅读
    共聚焦显微镜在半导体<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>检测中的应用

    再生和普通的区别

    再生与普通在半导体产业链中扮演着不同角色,二者的核心区别体现在来源、制造工艺、性能指标及应用场景等方面。以下是具体分析:定义与来源差异普通
    的头像 发表于 09-23 11:14 1498次阅读
    再生<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>和普通<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>的区别

    一文详解加工的基本流程

    棒需要经过一系列加工,才能形成符合半导体制造要求的衬底,即。加工的基本流程为:滚磨、切断、切片、硅片退火、倒角、研磨、抛光,以及清洗与包装等。
    的头像 发表于 08-12 10:43 5541次阅读
    一文详解<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>加工的基本流程

    TSV工艺中的减薄与铜平坦化技术

    本文主要讲述TSV工艺中的减薄与铜平坦化。 减薄与铜平坦化作为 TSV 三维集成技术
    的头像 发表于 08-12 10:35 2125次阅读
    TSV工艺中的<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>减薄与铜平坦化技术

    清洗机怎么做夹持

    清洗机中的夹持是确保在清洗过程中保持稳定、避免污染或损伤的关键环节。以下是
    的头像 发表于 07-23 14:25 1469次阅读

    用于切割 TTV 控制的棒安装机构

    摘要:本文针对切割过程中 TTV(总厚度偏差)控制难题,提出一种用于切割 TTV 控制的棒安装机构。详细介绍该机构的结构设计、工作
    的头像 发表于 05-21 11:00 658次阅读
    用于切割<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b> TTV 控制的<b class='flag-5'>硅</b>棒安装机构

    减薄对后续划切的影响

    前言在半导体制造的前段制程中,需要具备足够的厚度,以确保其在流片过程中的结构稳定性。尽管芯片功能层的制备仅涉及表面几微米范围,但完整
    的头像 发表于 05-16 16:58 1628次阅读
    减薄对后续<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>划切的影响