CSD43301Q5M NexFET™ 智能同步整流器数据手册

CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款 高度优化的设计，用于在高功率高密度 DC/DC 中进行二次同步整流 转炉。该产品集成了驱动IC和超低R上权力 MOSFET完成同步整流功能。此外，PCB占用空间已 优化有助于缩短设计时间并简化整个系统设计的完成。
*附件：csd43301q5m.pdf

特性

• 典型 R上4.5 V 时为 0.55 mΩDD
• 集成 FET 驱动器
• 最大额定电流 80A
• 高密度 – SON 5 毫米× 6 毫米封装
• 超低电感封装
• 系统优化的PCB封装
• 兼容TTL IN信号
• 无卤素
• 符合 RoHS 标准 – 无铅端子
  电镀无卤素
  参数

方框图

1. ‌产品概述‌
   • ‌型号‌：CSD43301Q5M，德州仪器（TI）NexFET™系列产品，专为高功率密度DC/DC转换器的次级同步整流优化设计。
   • ‌核心特性‌：
     • 超低导通电阻（典型值0.55mΩ@4.5V）。
     • 集成FET驱动器和功率MOSFET，简化系统设计。
     • 80A最大额定电流，5mm×6mm SON封装，符合RoHS标准。
2. ‌关键参数‌
   • ‌电气特性‌：
     • 工作电压范围：4.5V至6V（推荐），支持9.6V瞬态电压。
     • 开关频率最高1500kHz，最小输入脉冲宽度48ns。
     • 热阻：结到外壳（RθJC）20°C/W，结到电路板（RθJB）2°C/W。
   • ‌保护功能‌：
     • 欠压锁定（UVLO）：4.2V（典型值），300mV滞后。
     • ESD防护：HBM 2000V，CDM 500V。
3. ‌应用设计要点‌
   • ‌PCB布局建议‌：
     • 缩短DRAIN引脚与电感的距离以降低损耗。
     • 必须将引脚7（PGND）与底部散热焊盘（引脚13）直接连接。
     • 使用热通孔阵列散热，推荐孔径0.25mm，间距1mm。
   • ‌损耗计算‌：
     • 总损耗=驱动损耗（PDRV）+导通损耗（PCOND）+开关损耗（PSW）。
     • 开关损耗包含体二极管导通、反向恢复及输出电荷损耗。
4. ‌封装与订购信息‌
   • ‌封装‌：12引脚LSON-CLIP（5mm×6mm），卷带包装（2500片/卷）。
   • ‌工作温度‌：-40°C至125°C，存储温度-65°C至150°C。