青铜剑技术推出双通道驱动器2xD0210T12x0

在现代电力电子系统中，碳化硅MOSFET和IGBT是核心功率器件。其中，碳化硅具备高效率、高开关频率及高温耐受性等特性，IGBT技术成熟且性价比高，两者协同推动着系统性能的提升。

然而，要充分发挥这些功率器件的潜力，搭配高效、可靠且兼具灵活性的驱动电路至关重要，市场对功率半导体驱动方案的要求持续攀升，不仅需要极高的系统可靠性以保证长期稳定运行，更需在保证性能的前提下，具备较高的性价比。同时，驱动方案还需解决不同器件（如碳化硅与IGBT）及复杂拓扑（如三电平）的多样化驱动需求。

青铜剑技术针对以上应用需求设计推出了2xD0210T12x0驱动器，该方案搭载核心芯片BTD5350（基本半导体驱动芯片）以及BTP1521（基本半导体正激电源芯片），可满足IGBT与碳化硅MOSFET的兼容使用需求，且具有电源欠压保护、米勒钳位、过温保护等功能，CMTI高达150kV/μs。

应用领域

//中大功率电源/APF/SVG/PCS/电机驱动

核心亮点

//高兼容度

2xD0210T12x0驱动器电源部分搭载正激DCDC开关电源BTP1521芯片，可为驱动器提供高达6W功率，配合LDO驱动可覆盖15V~30V电源宽输入。

驱动部分采用单通道隔离驱动芯片BTD5350，可覆盖5V/15V信号电平输入，峰值电流10A，配合副边稳压电路即可满足IGBT/碳化硅门极驱动电压需求。

得益于双通道分别独立的产品设计，该驱动可适配多种电平拓扑的应用需求。

//米勒钳位功能

在桥式电路中，功率器件会发生米勒现象，它是指当一个开关管在开通瞬间，使对管的门极电压出现非预期的电压抬升的趋势。这种现象广泛存在于功率器件中，包括IGBT、Si MOSFET、碳化硅MOSFET。

对管门极电压被抬升的高度主要是因为米勒电流的影响，米勒电流主要由桥臂中点du/dt作用于下管的米勒电容引起的，如果不将米勒电流降低或泄放掉，对管门极电压被抬升的幅值超过开关管的门槛电压即会造成短路。

米勒钳位原理是通过一个低阻抗回路泄放掉米勒电流。在IGBT中，因为IGBT的开关速度相较于碳化硅MOSFET要低，且门槛电压相较于碳化硅MOSFET要高，所以通常不需要此功能。下图为实际使用BTD5350芯片搭建的驱动，搭配由碳化硅MOSFET组成的桥式电路的有无米勒钳位功能的对比波形。

0V关断波形

测试条件：上管VGS=0V/+18V，下管VGS=0V；VDS=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=200uH；Ta=25℃

-4V关断波形

测试条件：上管VGS=-4V/+18V，下管VGS=-4V；VDS=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=20uH；Ta=25℃

订货型号

青铜剑技术专注于功率器件驱动器、驱动IC、测试设备的研发、生产、销售和服务，产品广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。