Texas Instruments DRV8334/DRV8334-Q1集成式智能栅极驱动器数据手册-电子发烧友网

Texas Instruments DRV8334/DRV8334-Q1集成式智能栅极驱动器专为三相BLDC应用而设计。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器均能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。DRV8334使用集成自举二极管和GVDD电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持从0.7mA至高达1A（拉电流）和2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334可以采用单电源运行，并具有4.5V至60V宽输入电压范围。涓流电荷泵可使栅极驱动器实现100%PWM占空比控制，并为外部开关提供过驱动栅极驱动电压。

数据手册：

*附件：DRV8334 数据表.pdf

*附件：DRV8334-Q1 数据表.pdf

Texas Instruments DRV8334/DRV8334-Q1提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精确的电机电流测量值。DRV8334/DRV8334-Q1集成了各种诊断和保护功能，可实现稳健的电机驱动系统设计，同时也有助于消除对外部元件的需求。器件的响应高度可配置，使其能够无缝集成到各种系统设计中。DRV8334-Q1器件符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用。

特性

三相半桥栅极驱动器
- 驱动六个N沟道MOSFET (NMOS)
- 宽工作电压范围：4.5 V至60 V
- 适用于高侧栅极驱动器的自举架构
- 强大的GVDD电荷泵可支持高达50mA的平均栅极开关电流，能够以20kHz的频率驱动400nC MOSFET
- 涓流电荷泵可支持100% PWM占空比，并可生成过驱电源以驱动外部切断或反极性保护电路
智能栅极驱动架构
- 高达1000/2000mA（拉电流/灌电流）的45级可配置峰值栅极驱动电流
- 三步驱动电流配置可优化充电/放电周期并尽可能减少死区时间
- 基于栅源电压监控的闭环自动死区时间插入
- 可配置的软关断可在过流关断期间更大限度地降低电感电压尖峰
低侧电流检测放大器
- 在整个温度范围内具有低于1mV的低输入失调电压
- 9级可调增益
基于SPI的详细配置和诊断
DRVOFF引脚可独立禁用驱动器
高压唤醒引脚 (nSLEEP)
6x、3x、1x和独立PWM模式
支持3.3V和5V逻辑输入
集成保护功能
- 电池和电源电压监视器
- 相位反馈比较器
- MOSFET~~VDS~~ 和~~Rsense~~ 过流监测器
- MOSFET~~VGS~~ 栅极故障监测器
- 器件热警告和热关断
- 故障状态指示引脚