半导体分立器件分类、静态参数及测量是什么？
根据半导体分立器件的功能与结构差异，可将其分为以下核心类别，各类型典型器件及应用场景如下：
一、基础二极管类
| 类型 | 代表器件 | 核心功能 | 典型应用 |
|---|---|---|---|
| 整流二极管 | 1N4007系列 | 交流转直流（单向导电） | 电源适配器、充电电路 |
| 稳压二极管 | Zener系列 | 电压钳位保护 | 电路过压保护（如TVS管） |
| 肖特基二极管 | BAT54系列 | 低压降、高速开关（VF＜0.3V） | 高频开关电源、太阳能逆变器6 |
| 变容二极管 | BBY系列 | 电容值随电压变化 | 调频电路、压控振荡器 |
二、晶体管类
功能特性：
BJT：电流放大（HFE参数）
MOSFET：电压控制开关（低RDS(on)）
三、功率控制器件
晶闸管家族：
单向可控硅（SCR）：整流调压（如BT151）
双向可控硅（TRIAC）：交流相位控制（照明调光）
门极可关断晶闸管（GTO）：兆瓦级功率切换（工业变频）
整流桥堆：
GBJ系列整流桥（集成多二极管）
四、特种器件与传感器
| 类别 | 器件示例 | 功能特性 |
|---|---|---|
| 光电器件 | 光耦（PC817） | 电→光→电隔离信号传输 |
| 磁敏器件 | 霍尔传感器 | 磁场强度检测（电机转速监控） |
| 压敏/温敏器件 | 压敏电阻（MOV） | 过电压吸收、温度监控 |
| 射频器件 | PIN二极管 | 微波信号衰减/切换 |
五、第三代半导体器件
SiC基器件：
SiC MOSFET（1700V耐压，电动汽车主驱）
SiC Schottky二极管（高频低损耗）
GaN基器件：
GaN HEMT（＞100MHz开关，手机快充）
六、核心静态参数测量方法
1. 基础电参数
| 参数 | 测量方法 | 关键设备 |
|---|---|---|
| 阈值电压 | 逐步增加栅极电压，监测漏极电流达到特定值（如1mA）时的电压 | SMU（源测量单元） |
| 击穿电压 | 反向施加阶梯电压，限定电流阈值（如1mA）作为击穿点 | 高压源表（限流模式） |
| 漏电流 | 反向偏置下用高精度电流表（pA级）测量漏源极/集电极电流，引脚浮空时需接地降噪 | 皮安表+屏蔽箱 |
| 导通压降 | 在饱和电流下直接测量器件两端压降（BJT测V | 四线制开尔文连接 |
2. 热相关参数
| 参数 | 测量方案 |
|---|---|
| 最大功耗 | 逐步增加功率负载至器件失效，记录临界值（需配合散热器） |
| 热阻 | 测量结温与环境温度差值 |
七、关键测试技术
抗自热干扰
大电流测试使用脉冲法（脉宽≤100μs）替代直流，避免温升影响精度
示例：测IGBT时，脉冲电流可缩短至10ms内
高精度连接
低阻参数必须采用四线开尔文法消除引线误差
安全防护
高压测试（＞100V）需设置电流钳位（如1mA）并启用高压警示区
稳压管测试时串联限流电阻防烧毁
西安中昊芯测的SC2010半导体分立器件测试系统是国内自主研发的高端测试设备，完美替代美国STI5000系列测试机。该系统具有以下核心优势：
精准测试能力：
采用ATE系统逐点建立I-V特性曲线
测试精度高达0.2%+2LSB
支持6~20ms快速测试，百点曲线仅需数秒
智能化功能：
支持自动生成功率器件I-V曲线
可定制功能测试方案
数据可导出为Excel/Word格式
安全防护系统：
集成过电保护功能
门极过电保护适配器
内置自诊断测试代码
便捷操作体验：
图形化人机交互界面
570×450×280mm紧凑设计
审核编辑 黄宇
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