ADuM110N单通道数字隔离器技术手册

概述
ADuM110N是采用ADI公司 iCoupler ^®^技术的单通道数字隔离器。 该隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。

ADuM110N支持高达150 Mbps的数据速率，可承受3.0 kV rms的电压额定值（请参考“订购指南”）。 该器件均可采用1.8 V至5 V电源电压工作，与低压系统兼容，并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。

与其它光耦合器不同，可确保不存在输入逻辑转换时的直流正确性。 它们提供两种不同的故障安全选项，输入电源未用或输入禁用时，输出转换到预定状态。 ADuM110N与ADuM1100引脚兼容。
数据表：*附件：ADuM110N单通道数字隔离器技术手册.pdf

应用

• 通用单通道隔离
• 工业现场总线隔离

特性

• 高共模瞬变抗扰度：100 kV/μs
• 对辐射和传导噪声的高抗干扰能力
• 低传输延迟
  • 13 ns（最大值，5 V）
  • 15 ns（最大值，1.8 V）
• 最大数据速率：150 Mbps
• 安全和法规认证
  • UL认证
    • 1分钟3000 V rms，符合UL 1577
  • CSA元件验收通知5A
  • VDE合格证书
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • VIORM = 565 V 峰值
  • CQC认证符合GB4943.1-2011
• 向后兼容性
  • 与[ADuM1100]引脚兼容
• 低动态功耗
• 1.8 V至5 V电平转换
• 工作温度最高可达：125°C
• 故障安全高或低选项
• 8引脚SOIC封装，符合RoHS标准

框图

引脚配置描述

典型性能特征

应用信息

概述

ADuM110N采用高频载波，借助iCoupler芯片级变压器线圈（线圈之间由聚酰亚胺隔离层分隔），透过隔离栅传输数据。它运用开关键控（OOK）技术以及图9和图10所示的差分架构，具备低传播延迟和高速逻辑信号传输能力。内部稳压器和输入/输出设计技术可实现从1.7V到5.5V的宽范围电压转换，支持1.8V、2.5V、3.3V和5V逻辑电平。这种架构具备高共模瞬态抗扰度，以及对电噪声和磁干扰的高抗扰能力。采用频谱开关键控载波及相关技术，可最大程度降低辐射发射。

图9展示了ADuM110N等型号的波形，在载波波形为关断（即输入未使能或未工作）时，故障安全输出状态为低电平（部分型号，如ADuM110N1，故障安全输出为低电平）。对于故障安全输出为高电平的型号（在型号编号中有所标注），图10展示了载波波形关断（输入未使能或未工作）时，故障安全输出为高电平的情况。具体故障安全输出状态（低或高），可查阅《订购指南》。

印刷电路板（PCB）布局

ADuM110N数字隔离器的逻辑接口、电源及外部接口电路，强烈建议在输入和输出电源引脚处进行电源去耦（见图8）。去耦电容最便捷的连接方式是：在引脚1（VDD1）与引脚4（VSS1）之间，以及引脚5（VDD2）与引脚8（VSS2）之间连接。去耦电容值推荐为0.01μF和0.1μF。需注意，电容两端的总走线长度以及输入电源引脚的走线长度不得超过10mm 。

在涉及高共模瞬态的应用中，务必使隔离栅两侧的电路板耦合降至最低。此外，要精心设计电路板布局，避免任何耦合影响特定组件侧的绝对最大额定值。若未做到这一点，可能会使器件承受超出“绝对最大额定值”的电压，进而导致器件闩锁或永久性损坏。

如需电路板布局指南，可参考AN - 1109应用笔记 。