LM2724A 高速 3A 同步 MOSFET 驱动器数据手册

LM2724A 是一个双 N 沟道 MOSFET 驱动器，可以驱动顶部和底部 MOSFET 同时采用推挽式结构。LM2724A 接受一个 logic input 并将其拆分为 两个互补信号，中间有一个典型的 20ns 死区时间。内置交叉传导 保护电路可防止顶部和底部 MOSFET 同时导通。使用 偏置电压为 5V，LM2724A 的每个驱动器的峰值拉电流和灌电流约为 3A 的。输入 UVLO （欠压锁定） 确保所有驱动器输出保持低电平，直到 电源轨在系统通电期间或电源轨下降后超过通电阈值 在系统断电期间，低于 power-on threshold 指定的滞后。交叉传导 保护电路检测两个驱动器输出，直到另一个驱动器输出才会打开 驱动器输出较低。顶部 MOSFET 所需的顶部栅极电压通过外部 boot-strap 结构。当不切换时，LM2724A仅从 5V 电源轨吸收高达 195μA 的电流。这 通过将 SYNC 引脚拉至 地。
*附件：lm2724a.pdf

特性

• 击穿保护
• Input Under-Voltage-Lock-Out
• 3A 峰值驱动电流
• 195μA 静态电流
• 降压配置中的 28V 输入电压
• SOIC-8 和 WSON 封装

参数

方框图

一、产品概述

LM4A是一款高速3A同步MOSFET驱动器，适用于需要同时驱动顶部和底部MOSFET的推挽结构。它提供了射极跟随保护，可防止顶部和底部MOSFET同时导通，并具备输入欠压锁定（UVLO）功能。

二、主要特性

• ‌双N沟道MOSFET驱动‌：能够同时驱动顶部和底部MOSFET。
• ‌射极跟随保护‌：内置交叉传导保护电路，防止顶部和底部MOSFET同时导通。
• ‌高电流能力‌：每路驱动器的峰值驱动电流为A。
• ‌宽输入电压范围‌：支持高达V的输入电压（在降压配置中）。
• ‌低静态电流‌：在5V偏置电压下，静态电流仅为5μA。
• ‌同步操作控制‌：底部MOSFET的同步操作可通过SYNC引脚进行控制。

三、引脚描述

• ‌SW‌：顶部驱动器返回，应连接到顶部和底部FET的公共节点。
• ‌HG‌：顶部栅极驱动输出，应连接到顶部FET的栅极。
• ‌BOOT‌：自举，接受自举电压以供电高侧驱动器。
• ‌IN‌：接受逻辑控制信号。
• ‌SYNC‌：底部栅极使能。
• ‌VCC‌：连接到+V电源。
• ‌LG‌：底部栅极驱动输出，应连接到底部FET的栅极。
• ‌GND‌：接地。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VCC为.V至6.8V。
• ‌欠压锁定‌：具有上电阈值（4V）和下电阈值（.V），以及.V的迟滞电压。
• ‌驱动能力‌：顶部和底部驱动器的峰值拉电流和灌电流均为3.2A。
• ‌响应时间‌：快速的上升和下降时间，以及可调的死区时间，以防止射极跟随。

五、应用

• ‌高电流DC/DC电源供应器‌
• ‌高输入电压开关调节器‌
• ‌快速瞬态微处理器电源‌
• ‌笔记本电脑电源‌

六、封装与尺寸

• 提供SOIC-和WSON封装选项。
• 详细的封装尺寸和引脚布局信息可在数据手册中找到。

七、热管理

• 提供了最大允许功耗的计算公式，以及不同封装下的热阻信息。
• 用户在设计时需要考虑热管理，以确保器件在允许的工作温度范围内运行。

八、安全警示

• 设备具有有限的内置ESD保护，存储或处理过程中应采取静电防护措施。