SM74101 MOSFET 栅极驱动器在微型 WSON-6 中提供高峰值栅极驱动电流 封装(相当于 SOT23 的封装),具有更高的高频所需的功率耗散 操作。复合输出驱动级包括工作在 并联它们一起从容性负载吸收超过 7A 的峰值。结合独特的 MOS 和双极器件的特性减少了驱动电流随电压的变化,并且 温度。提供欠压锁定保护,以防止因以下原因损坏 MOSFET 栅极导通电压不足。SM74101 提供反相和非反相输入,以 通过单个器件满足反相和非反相栅极驱动的要求 类型。
*附件:sm74101.pdf
特性
- 可再生能源等级
- 复合 CMOS 和双极输出可减小
输出电流变化 - 7A 灌电流/3A 拉电流
- 快速传播时间(典型值为 25 ns)
- 快速上升和下降时间(14 ns/12 ns 上升/下降
,2 nF 负载) - 反相和非反相输入通过单个器件提供任一
配置 - 电源轨欠压锁定保护
- 专用输入接地 (IN_REF) 用于双电源
或单电源作 - 功率增强型 6 引脚 WSON 封装 (3.0mm ×
3.0mm) - V 向的输出摆幅
抄送到 VEE 系列相对于 Input Ground 可以是负数
参数
方框图

一、产品概述
- 型号:SM
- 类型:高速、高峰值电流MOSFET栅极驱动器
- 特点:
- A峰值沉电流,A峰值源电流
- 快速传播时间(典型值ns)
- 快速上升和下降时间(ns/ns)
- 提供欠压锁定保护
- 兼具反相和非反相输入配置
- 适用于可再生能源系统
二、应用领域
三、引脚配置与功能
- IN:TTL兼容阈值的反相输入
- INB:TTL兼容阈值的非反相输入
- VCC:正电源输入
- VEE:负电源输入或接地
- OUT:栅极驱动输出,可源出A、沉入A
- IN_REF:专用输入地,用于分离或单一供电操作
- Exposed Pad:内部连接到芯片衬底,用于低热阻抗
四、电气特性
- 电源电压(VCC) :.V至V
- 欠压锁定(UVLO) :VCC-IN_REF电压低于.V时禁用驱动器
- 逻辑高电平阈值(VthH) :.V至.V
- 逻辑低电平阈值(VthL) :.V至.V
- 输出电阻(高) :Ω至Ω
- 输出电阻(低) :.Ω至.Ω
五、保护功能
- 欠压锁定(UVLO) :防止因栅极开启电压不足而损坏MOSFET
六、热特性
- 提供了多种热阻参数,包括结到环境热阻(RθJA)、结到壳热阻(RθJC)等
- 强调了热管理的重要性,并提供了功率耗散和结温的计算方法
七、应用与实施
- 提供了在非反相模式下驱动MOSFET的典型应用电路
- 描述了设计要求和详细设计过程,包括电源推荐、布局指南和示例
八、布局指南
- 强调了适当接地的重要性,以减少噪声和耦合
- 推荐了电流返回路径的最短化,以最小化电感
- 提供了布局示例,展示了组件放置和走线建议
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