半导体分立器件静态参数有哪些？怎样去测量——测试仪SC2010全部搞定

半导体分立器件的静态参数是指在直流稳态下测量的关键电气性能指标，主要用于评估器件的导通能力、耐压特性和功耗特性等。以下是主要分类及参数说明：

一、基本电参数

‌阈值电压（Vth/VGS(th)）‌

MOSFET/IGBT开始导通的最低栅极电压，决定器件导通的门槛。

‌导通电压（VBE/VCESAT）‌

BJT/IGBT导通时基极-发射极或集电极-发射极的电压降，影响导通功耗。

‌击穿电压（BV）‌

反向偏置下器件能承受的最大电压，如BVCBO（基极-集电极击穿电压）、BVDSS（漏源击穿电压）等。

二、电流特性参数

‌漏电流（Ioff/IDSS/ICEO）‌

关断状态下漏源或集电极-发射极的微小电流，反映绝缘性能。

‌饱和电流（IDSS/ICES）‌

器件在饱和区的最大承载电流，用于评估电流容量。

‌静态工作电流‌

稳态下的电流值，直接影响功耗与效率。

三、阻抗特性参数

‌导通电阻（RDS(on)）‌

MOSFET导通时漏源极间的电阻，决定导通损耗。

‌饱和压降（VCES）‌

BJT/IGBT在饱和区的集电极-发射极电压，反映导通阻抗。

四、放大与传输特性

‌电流放大系数（hFE/β）‌

BJT集电极电流与基极电流的比值，衡量放大能力。

‌跨导（gm）‌

漏极电流随栅极电压变化的比率，表征MOSFET的放大效率。

五、热相关参数

‌最大允许功耗（Ptot）‌

器件可承受的功率耗散极限，与散热设计直接相关。

‌热阻（RthJC）‌

结到外壳的散热能力，影响温度稳定性。

六、其他关键参数

‌反向电压（VR）‌

二极管等器件在反向工作时的耐压能力。

‌绝缘电阻‌

正负极间在高电压下的绝缘特性，影响器件安全性。

怎样去测量这些参数呢？今天介绍一种半导体分立器件测试仪——

半导体分立器件测试系统SC2010是一款非常具有代表性的新型半导体晶体管参数测试图示系统，是美国STI5000系列测试机的完美国产替代机型，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间6~20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。

本系统使用方便，只需要通过USB或者RS232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。

1.2关键指标

1.测试电压： 0-2000V

2.测试电流： 0-100A

3.电压分辨率：1mV

4.电流分辨率：0.1nA

5.测试精度： 0.2%+2LSB

6.测试速度： 约0.5mS/参数

7.测 试 方 式：程控脉冲式

8.脉 冲 宽 度：300us至5ms

9.规 格 尺 寸： 570*450*280mm

1.3 测试能力及特点

SC2010测试系统是专为测试半导体分立器件而研发设计，它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：

审核编辑 黄宇