中国力推半导体国产化,2018年底或将开始提供三维NAND闪存芯片

日媒称，中国正式推进设备投资加快半导体国产化，2018年底或将开始提供三维NAND闪存芯片。

据《日本经济新闻》4月12日报道，半导体公司爱德万测试公司的一位负责人不无惊讶地表示：“两三年前还是无法相信研发能顺利进行，现在却大不相同了。”他说的是中国国有半导体公司紫光集团旗下的长江存储科技公司。该公司正在武汉推进三维NAND闪存芯片批量生产项目。据称，这个批量生产项目在2018年底至2019年将实现急速发展。

报道称，三维NAND闪存芯片可用作智能手机和数据中心的记忆装置。它的单位记忆容量高于传统平面产品。

报道称，中国政府2015年提出“中国制造2025”，鼓励发展半导体产业。中国在制造电子设备方面占有较高份额，半导体是最大的进口品种。为改善贸易收支，必须提高半导体自给率。

国际半导体设备与材料组织预测，2018年中国的半导体制造装置市场规模将达113亿美元，比前一年增加40%。

据报道，由于智能手机需求下降，NAND目前行情疲软。不过，年初向来是需求下降的时期。很多人认为，为迎接年底促销，各公司2018年夏季将开始采购智能手机零件，届时可能再次出现NAND短缺的情况。

报道称，今后会怎么样呢？IHS马基特公司首席分析师南川明表示：“2020年以后的NAND供需将取决于长江存储科技公司。”如果将该公司的所有计划考虑进去，那么2021年将出现供大于求的情况。从2019年到2021年，容量为256G的NAND价格预计将以年均20%至30%的幅度下降。

据报道，不少人认为，长江存储科技公司目前仅提供低端产品。确保技术人才供应等课题尚未解决。

但报道认为，在中小型液晶屏市场，中国企业最初也是通过向中国的智能手机制造商提供低端产品而不断提高市场份额的。日韩制造商占据优势的高端精细产品与中国产品的价格差距已缩小至10%左右。

报道称，在供应和需求方面，中国掌握价格主导权的时代或将来临。