IGBT的静态参数有哪些？怎样去精确测量这些参数呢？

IGBT静态参数是评估其正常工作状态下电学特性的关键指标，主要包含以下核心参数及定义：

一、基本静态参数

‌栅极-发射极阈值电压（VGE(th)）‌
使IGBT导通所需的最小栅极电压，直接影响器件导通控制。

‌栅极-发射极漏电流（IGES）‌
栅极与发射极在关断状态下的漏电流，反映栅极绝缘性能。

‌集电极-发射极截止电流（ICES）‌
关断状态下集电极到发射极的漏电流，表征器件阻断能力。

‌集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）‌
导通状态下的集电极与发射极间压降，决定导通损耗，需在指定温度和电流下测试。

‌续流二极管正向压降（VF）‌
内置续流二极管导通时的正向电压，影响反向续流效率。

二、电容相关参数

‌输入电容（Ciss）‌
栅极-发射极电容与栅极-集电极电容之和，影响驱动电路设计。

‌输出电容（Coss）‌
集电极-发射极间电容，与开关过程中的能量损耗相关。

‌反向传输电容（Crss）‌
栅极-集电极电容，影响开关速度及信号耦合。

三、耐压与可靠性参数

‌集电极-发射极阻断电压（VCES或BVCES）‌
关断时集电极-发射极可承受的最大电压，表征耐压能力。

‌跨导（gfs）‌
栅极电压对集电极电流的控制能力，影响导通特性的一致性。

四、测试条件

静态参数测试通常在固定温度（如25℃及高温）及稳定导通/关断状态下进行，需确保器件处于热平衡状态。

五、测试设备

IGBT静态参数测试仪SC5016可用于多种封装形式的大功率二极管 、大功率IGBT模块、大功率双极型晶体管，大功率MOS管等器件的 V-I 特性测试，也可用于中小功率单管测试，几乎可以测试1600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，还可用测试标准低阻值电阻，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试，整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，方便操作使用。

产品特点：

1、产品型号及名称：SC5016 IGBT静态参数测试仪

2、产品测试电流电压为1200A,±5000V,向下兼容

3、VGE最高可达±100V；开启电压VGETH支持两种测试方法；

4、采用插槽式设计结构，便于升级和维护；

5、设备支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT单管及模块，二极管测试，晶闸管测试，

6、自动进行分档测试，既覆盖大功率特征下的测试范围，又可保证小功率器件测试精度

7、支持单点测试，I-V曲线扫描，还具有曲线对比功能；

8、测试数据可存储为Excel文件，WORD报告

9、安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。

产品指标：

1) 测试电压范围：0-±5000V

2) 测试电流范围：0-±1600A

3) 测试栅极电压范围：0-±100V

4) 电压最高分辨率：1mV

5) 电流最高分辨率：1nA

6)恒流脉冲宽度：50~300uS

7)工作频率：0.1~10Hz

8)电源输入电压：220VAC

测试参数：

（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

静态参数：BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降；

（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

静态参数：BVDSS/漏源极击穿电压，VGS(th)/栅极开启电压，IDSS/漏源极漏电流，VF/二极管正向压降；Rdson/导通内阻

（3）IGBT单管及模块（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

静态参数：BVCES/集射极击穿电压，VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降；VCESAT/饱和压降，IGESR,IGESF/栅极漏电流

说明：整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。

审核编辑 黄宇