SM74611 器件是一种用于光伏的智能旁路二极管 应用。SM74611 设备用于为 string 提供备用路径 电流 (当面板的某些部分在正常作期间被着色时)。如果没有旁路二极管, 阴影单元将表现出一个热点,这是由反向的过度功率耗散引起的 偏向细胞。
*附件:sm74611.pdf
目前,传统的 P-N 结二极管或肖特基二极管用于 缓解此问题。遗憾的是,这些二极管的正向压降仍然被考虑在 高(普通二极管约为 0.6 V,肖特基约为 0.4 V)。流过 10 A 的电流 通过这些二极管,功耗可高达 6 W。这反过来会提高 这些二极管通常所在的接线盒内部的温度,并减少模块 可靠性。
SM74611 的优点是它具有比 P-N 更低的正向压降 结和肖特基二极管。它在 8 A 时的典型平均正向压降为 26 mV,小于 当前。这意味着典型功耗为 208 mW,明显更低 比传统肖特基二极管的 3.2 W 高。SM74611 还兼容封装和引脚 与传统的 D2PAK 肖特基二极管配合使用,使其成为许多 应用。
特性
- 最大反向电压 (V
R) 的 30 V - 工作正向电流 (I
F) 高达 15 A - 低平均正向电压(8 A 时为 26 mV)
- 比肖特基二极管更低的功率耗散
- 漏电流比肖特基二极管低
- 封装和引脚与传统
D2PAK 肖特基二极管兼容 - 工作范围 (T
J) 的 –40°C 至 125°C
参数
方框图
1. 产品概述
SM74611是一款智能旁路二极管,专为光伏应用设计。它提供了一种替代传统P-N结二极管或肖特基二极管的解决方案,用于在光伏面板部分被遮挡时提供电流旁路路径。
2. 主要特性
- 低正向电压降:在8A电流下,平均正向电压降为26mV,远低于传统二极管(约0.6V)和肖特基二极管(约0.4V)。
- 低功率损耗:在8A电流下,典型功率损耗为208mW,远低于传统肖特基二极管的3.2W。
- 高反向电压承受能力:最大反向电压(V_R)为30V。
- 高正向电流能力:操作正向电流(I_F)高达15A。
- 宽工作温度范围:结温(T_J)范围为-40°C至125°C。
- 兼容传统封装:与常规D2PAK肖特基二极管封装和引脚兼容,易于替换。
3. 应用领域
- 光伏面板旁路二极管。
- 微逆变器和功率优化器旁路二极管。
4. 工作原理
SM74611使用电荷泵驱动N-Channel FET,为旁路电流提供低阻路径。当光伏面板部分被遮挡时,FET导通,减少功率损耗并防止热点产生。当没有遮挡时,FET关闭,电流通过光伏面板的正常路径流动。
5. 电气特性
- 平均正向电压(V_F(AVG)) :在8A电流、25°C结温下为26mV。
- 功率损耗(P_D) :在8A电流、25°C结温下为208mW,在125°C结温下为450mW。
- 反向泄漏电流(I_R) :在28V反向电压、25°C结温下为0.3μA,在125°C结温下为3.3μA。
6. 热特性
- 结到环境热阻(R_θJA) :40.4°C/W。
- 结到外壳顶部热阻(R_θJC(top)) :42.6°C/W。
7. 封装与尺寸
- 封装类型:TO-263(3引脚D2PAK)。
- 尺寸:10.18mm × 8.41mm。
8. 应用指南
- 设计考虑:在光伏应用中,SM74611应作为旁路二极管串联连接在光伏面板的子字符串上。
- 热测试:根据IEC和UL标准,应进行热测试以验证旁路二极管的可靠性。
- 布局建议:ANODE和CATHODE引脚上的负载电流路径应尽可能宽,以减少寄生电感。
9. 文档与支持
- 提供了详细的数据手册,包括电气特性、封装信息、应用指南等。
- 提供了TI社区资源链接,以便用户获取更多支持和帮助。
SM74611作为一款智能旁路二极管,通过显著降低功率损耗和提高效率,为光伏应用提供了一种优于传统二极管的解决方案。
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